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公开(公告)号：CN117153985A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310469186.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
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公开(公告)号：CN116504893A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310700041.0
申请日：2023-06-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种抗静电的垂直结构LED芯片及其制作方法，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂直结构LED芯片反向电压保护，来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN115621384A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211202265.0
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一发光结构形成垂直LED芯片；通过所述键合层嵌入所述通孔与对应所述的第一型半导体层形成接触，使所述第二发光结构形成通孔结构的LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述第一发光结构和第二发光结构的串联。如此，使两发光结构无需通过台阶即可实现桥接，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，分割道在反面LED单元化刻蚀时同步形成，无需增加额外工艺，简化高压LED芯片的制备工艺。
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公开(公告)号：CN115148871A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210953631.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN114975714A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210576979.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片包括：衬底，外延结构，N型电极和N型电极扩展部分，P型电极和P型电极扩展部分；P型电极扩展部分为与P型电极连接的若干P型电极扩展条，各P型电极扩展条的宽度范围小于有源区发光波长，各P型电极扩展条形成相互交叉的网格，通过衍射效应可以使被P型电极扩展条遮挡住的光子绕过P型电极扩展条，然后通过网格缝隙出射，使P型电极扩展条相当于无遮挡出光，避免LED光的损耗；同时，网格覆盖在P型半导体层上的设置可以使注入的电流更均匀的分布于整个有源区；再者，有源区发光波长为λ，各网格缝隙的宽度范围在0至3λ之间，能最大程度提取有源区的光，进而提升LED芯片的亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114864625A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210656195.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片及其制作方法，集成式LED中的各LED发光单元具有一个共电极，且另一电极焊盘分布在集成式LED芯片的四周且通过第二金属层(即电极引线)与各LED发光单元连接，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘层与邻近的LED发光单元相互隔离的方式引出至导电基板的边缘，各自独立设置，进而可实现各LED发光单元的灵活控制。因此，基于上述设置，第二金属层既可以与各发光单元的第二半导体层实现电连接，也可充当引线，实现与集成式LED四周电极焊盘的电连接，在晶片端即完成电极引线和电极焊盘的布局，实现一体封装，可有效节省产品制作工艺及人工成本。
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公开(公告)号：CN113328017B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110562795.5
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。另外，与传统制作的PAD金属层不同，该集成金属层的侧壁包覆在绝缘层内，可以较好地耐受外部水汽、酸碱、盐雾等的侵蚀，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN113363358B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110601827.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 发明提供了一种LED芯片，外延结构包括：第一半导体层；位于第一半导体层一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相同；位于第二半导体层背离第一半导体层上的位错阻挡层；位于位错阻挡层背离第一半导体层上的有源层；位于有源层背离第一半导体层上的第三半导体层，第三半导体层与第一半导体层的导电类型不同。本发明提供的技术方案，通过设置位错阻挡层能够减小LED芯片的位错密度，同时能够实现应力释放功能，进而降低LED芯片外延生长过程中出现翘曲的情况的几率。以及通过设置电流阻挡层能够实现LED芯片更好的电流阻挡效果，进而保证LED芯片的性能优良。
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公开(公告)号：CN114078990A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111607942.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片及制作方法，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底的固有晶格常数，使所述量子垒和量子阱具有压应变；所述第一波导层或所述第二波导层的应力大于所述衬底的应力，且所述第一波导层或所述第二波导层的应力不大于所述量子垒的应力；有利于应力的过渡及释放，提高有源区的内量子效率。
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公开(公告)号：CN112652686B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110001890.8
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层，其中，所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面，且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第二N型半导体层和欧姆接触层；所述电流扩展复合层具有第一通孔，所述第一通孔从顶层的欧姆接触层贯穿至部分所述第一N型半导体层，且裸露所述第一N型半导体层的部分表面；使所述P型半导体层与最底层的第二N型半导体层之间形成隧穿效应。从而实现通过外延材料层(即N型半导体层)替代传统结构的透明导电层，在保证其电流扩展效果的同时，可较好地实现稳定可靠的芯片结构。
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