公开(公告)号：CN105779940A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610333336.9

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN105548227A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201511029165.2

申请日：2015-12-31

Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所

Inventor： 周朋 ,  刘铭 ,  折伟林 ,  邢伟荣 ,  尚林涛

IPC: G01N23/207

CPC classification number: G01N23/207

Abstract: 本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θInAlSb测量；对所述θInAlSb测量进行修正，得到θInAlSb修正；根据θInAlSb修正得到所述InAlSb薄膜的点阵常数aInAlSb；根据InSb的点阵常数aInSb、AlSb的点阵常数aAlSb，以及所述aInAlSb得到所述InAlSb薄膜中铝组分的含量，本发明的方法和装置能够在不损伤样品的前提下方便快捷的测定InAlSb薄膜中铝组分含量，测试结果也较为精确。

公开(公告)号：CN105445304A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510785929.4

申请日：2015-11-16

Applicant: 武汉钢铁(集团)公司

Inventor： 周顺兵 ,  姚中海 ,  王志奋 ,  张彦文

IPC: G01N23/207

CPC classification number: G01N23/207

Abstract: 本发明公开了一种钢中残余奥氏体含量非对称衍射测量方法，首先测得衍射峰位置；然后将探测器依次旋转到衍射峰位置时停止并将试样沿1θ轴单独摆动并步进停止；此时，让试样以试样测试面法线为轴旋转360°并记录X-射线衍射线累积强度。类似的测得衍射峰的背底强度I背底后得到该衍射峰的X-射线衍射线累积净强度。该试样在1θ轴上同一倾斜角度下的五个衍射峰的X-射线衍射线累积净强度作为一组数值代入黑色冶金行业标准YB/T5338-2006的公式中，算出1θ轴某倾斜角度下的试样的奥氏体的含量，取其平均值为该试样的奥氏体的含量。利用本方法可准确得到含织构的钢铁材料中奥氏体的含量，有利于钢铁材料的进一步加工及生产。

公开(公告)号：CN105424737A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510964381.X

申请日：2015-12-17

Applicant: 天津市天津医院

Inventor： 周永梅 ,  房德敏 ,  冯鑫 ,  徐卫国 ,  邢国胜

IPC: G01N23/207 ,  G01N1/28

CPC classification number: G01N23/207 ,  G01N1/28

Abstract: 本发明提供一种对生肌膏中矿物成分晶型测定的方法，取生肌膏水浴加热熔化，加热水，充分搅拌，静置，冷却后置冰箱冷冻，待凝固后，取水层冷冻层，熔化，过滤，滤渣用无水乙醇洗涤后，干燥，压制为供X射线衍射仪实验用样品薄片，进行X射线衍射扫描。生肌膏矿物成分供试品与生石膏、煅石膏、生炉甘石及煅炉甘石的X射线衍射图谱的比较发现，生肌膏与生石膏的X射线衍射图谱特征一致，生石膏经过生肌膏制备过程并未转变为煅石膏，仍以生石膏的晶型存在；且生肌膏中矿物成分并未发现生炉甘石及煅炉甘石，说明生炉甘石经过生肌膏制备过程，已不再以矿物晶体形态存在于生肌膏中。

公开(公告)号：CN104656120A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410675937.9

申请日：2014-11-21

Applicant: 株式会社理学

Inventor： 作村拓人 ,  中江保一

IPC: G01T7/00

CPC classification number: G01N23/207 ,  G01N2223/303

Abstract: 本发明提供一种校正信息生成方法以及校正信息生成装置，能没有特殊的附属设备地容易进行平场校正的作业。在用于对像素检测器进行X射线检测灵敏度的平场校正的校正信息生成方法中，包括：使检测器(130)的相对位置相对于横穿检测面的射束剖面形状的入射X射线发生移动，以使得在总时间内检测面的整体被入射X射线照射且在移动方向上排列的各像素被均等地照射的步骤；和根据针对入射X射线的给定能带检测出强度值来生成用于校正像素的灵敏度的信息的步骤。

公开(公告)号：CN104655662A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410683606.X

申请日：2014-11-25

Applicant: 株式会社理学

Inventor： 挂札康治 ,  飞田一郎

IPC: G01N23/207

CPC classification number: G01N23/207 ,  G01N23/20016 ,  G01N2223/303

Abstract: 本发明涉及用于X射线分析器的光轴调整方法和X射线分析器。提供了一种用于X射线分析器的光轴调整方法，所述X射线分析器包括入射侧臂、接收侧臂、X射线源、入射侧狭缝、以及具有在直线上的X射线强度位置分辨的一维X射线检测器。所述方法包括2θ调整步骤，其中将接收侧臂的旋转的0°位置和衍射角2θ的0°位置对准；Zs轴调整步骤，其中调整沿着与从X射线源入射到样本上的X射线的中心线正交的方向的入射侧狭缝的位置；以及θ调整步骤，其中调整从X射线源入射到样本上的X射线的中心线和样本的表面从而使其平行。在2θ调整步骤、Zs轴调整步骤和θ调整步骤中，由一维X射线检测器具有的针对在直线上的X射线强度位置分辨的能力被用于执行2θ调整、Zs轴调整和θ调整。

公开(公告)号：CN104641225A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380035589.2

申请日：2013-07-02

Applicant: NTN株式会社

Inventor： 藤田工 ,  八木田和宽 ,  佐佐木敏彦 ,  丸山洋一

IPC: G01N23/20

CPC classification number: G01N23/207 ,  G01N23/20 ,  G01N2223/624 ,  G01N2223/632

Abstract: 一种轴承部件检查方法包括：步骤(S10)，将X射线施加到要检查的轴承部件的疲劳部分；步骤(S20)，检测由疲劳部分所衍射的环形衍射X射线(X射线衍射环)；以及步骤(S30,S40)，基于所检测的环形衍射X射线(X射线衍射环)估计要检查的轴承部件的使用条件。

公开(公告)号：CN104220867A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380018491.6

申请日：2013-03-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  冈田淳一 ,  祢津茂义

IPC: G01N23/20 ,  C01B33/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B13/34 ,  C01B33/02 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/74 ,  C23C16/24 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007 ,  G01N23/207

Abstract: 针对从多晶硅棒采集的圆板状试样(20)进行评价时，会在扫描图表中出现峰值。这种峰值的个数越少，或者其半峰宽越窄，越适合用作单晶硅制造用原料。扫描图表中出现的峰值的个数，对于米勒指数面 及 的任一个，优选在圆板状试样的每单位面积的换算下为24根/cm2以下。并且，将圆板状试样的半径设为R0时，将上述峰值的半峰宽乘以δL＝21/2πR0/360得到的值定义为非均质晶体粒径，优选将该非均质晶体粒径均小于0.5mm的试样选择作为单晶硅制造用原料。

公开(公告)号：CN102782803B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201180004936.6

申请日：2011-01-06

Applicant: 聚日(苏州)科技有限公司

Inventor： 朱慧珑 ,  骆志炯

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N23/207 ,  G01N2223/6116

Abstract: 一种用于在晶圆上确定晶向的方法及其结构，该方法包括：a）提供半导体晶圆，在晶圆表面形成掩膜，对晶圆上的掩膜层图形化，刻蚀所述掩膜层，形成两个相反的同心圆弧组或者形成一个同心圆弧组以及该同心圆弧组的共同圆心，每个圆弧组包括至少两条同心圆弧，在每条同心圆弧上形成多个露出晶圆表面的圆形开口，其中各圆形开口之间相互交错排列；b）各向异性腐蚀晶圆，在圆形开口下腐蚀出六边形凹坑；c）根据相邻六边形凹坑对顶角之间的相对位置关系确定晶向。

公开(公告)号：CN102854205A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210269014.4

申请日：2012-06-26

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： S·辛赫 ,  A·苏罗米 ,  V·K·托尔皮戈 ,  A·金尼

IPC: G01N23/20

CPC classification number: G01N23/207

Abstract: 提供用于检查晶体缺陷结构的方法和系统的实施方式。在方法中，尤其易受由晶体缺陷引起的衍射影响的X射线波长被识别。然后，提供X射线源发出被识别的X射线波长的X射线。当将结构设置在相对于X射线源的一系列位置时，使多个非平行阵列的X射线照射该结构，产生衍射X射线的系列图案。数字化捕获衍射X射线的图案并传送给计算机，计算机比较他们来定位晶体缺陷。对于表面缺陷，可使用目标物标记缺陷以允许物理移除。