公开(公告)号：CN104048103A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410061946.9

申请日：2014-02-24

申请人： 艾姆斯特工程有限公司

发明人： 赵汉重 ,  金相镐

IPC分类号： F16K51/00 ,  F16L55/00

CPC分类号： F16K51/02 ,  F16K3/18 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/4245 ,  B08B5/00

摘要： 根据本发明的真空截止阀包括：外罩部，设置于腔和腔洗涤气体供给部之间，形成用于连接腔和腔洗涤气体供给部使其相连通的管道；管道阻隔部，形成于管道的预定位置，用于选择性地阻隔管道；第一阻隔部，设置于外罩部，沿着第一方向移动并选择性地阻隔管道阻隔部的开放的第一面，确保腔和腔洗涤气体供给部保持相连通的状态；第二阻隔部，在第一阻隔部沿着第一方向移动的情况下，沿着第二方向移动并施压于第一阻隔部，确保腔和腔洗涤气体供给部保持相连通的状态，而在第一阻隔部沿着与第一方向相反的方向移动的情况下，沿着第二方向移动并通过第一面来插入到管道阻隔部，紧贴于第一面的对置面并阻隔管道，从而阻隔腔和腔洗涤气体供给部的连通。

公开(公告)号：CN103928280A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310353859.6

申请日：2013-08-14

申请人： 日新离子机器株式会社

发明人： 松本武

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/30

CPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304

摘要： 本发明提供能够在清洗离子源内部后在短时间内重新启动离子束的离子注入装置和该离子注入装置的运转方法。所述离子注入装置在进行离子注入处理时，向离子源（IS）内部导入工艺气体，使用由多块电极构成的引出电极系统（2），从离子源（IS）引出带状的离子束（3），向配置在处理室（5）内的基板（4）照射离子束（3），并且在离子注入处理以外时，向离子源（IS）内部导入清洗气体，对该离子源（IS）内部进行清洗，在这样的离子注入装置（IM）中，在清洗结束后重新启动离子束（3）时，在引出电极系统（2）上施加规定电压后，将离子源（IS）的运转参数设定为与作为处理对象的基板（4）的注入配方对应的运转参数。

公开(公告)号：CN101730927B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200880023867.1

申请日：2008-07-03

申请人： 高美科株式会社

发明人： 张敬翼 ,  芮庚焕 ,  金三雄 ,  林容涉

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/022

摘要： 一种离子注入机，包括处理室和涂层。处理室容纳基板，并且提供用于在基板上进行离子注入处理的空间。涂层设在处理室的内壁上以减小基板的污染，并且包括与基板相同的材料。

公开(公告)号：CN101432841B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200780015094.8

申请日：2007-04-13

申请人： 艾克塞利斯科技公司

发明人： 彼得·克雷曼 ,  维特·班威尼斯特 ,  亚历山大·普瑞尔 ,  布莱恩·弗瑞尔 ,  麦可·葛瑞夫

IPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/12 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/049

摘要： 一种用于离子植入作业的聚焦粒子捕捉系统，此系统可在植入之前先从离子束移除不希望的粒子。入口电极包括进入孔，并被偏压至第一基底电压，其中入口电极包括平坦的第一表面和面向中央电极的凹入第二表面。中央电极位于该入口电极下游而距其有距离处，并且包括中央孔。该中央电极被偏压至小于该第一基底电压的负值。出口电极位于该中央电极下游而与其具有距离，并且包括出口孔。该出口电极被偏压至第二基底电压。产生从该入口电极朝向该中央电极第一静电场，和产生从该出口电极朝向该中央电极的第二静电场，藉此捕捉在离子束内不想要的粒子。

公开(公告)号：CN102668016A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080054595.9

申请日：2010-10-25

申请人： 先进科技材料股份有限公司

发明人： E·E·琼斯 ,  S·N·叶德弗 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·拜尔 ,  邹鹏

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/265 ,  C23C14/48 ,  C23C14/52 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

摘要： 一种离子注入系统及方法，提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却，以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置，以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，以及源寿命的最优化，以实现离子注入系统的有效操作。

公开(公告)号：CN102484028A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080027722.6

申请日：2010-06-22

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 威尔汉·P·普拉托 ,  奈尔·J·巴森 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  艾力克斯恩德·S·培尔 ,  奎格·R·钱尼

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J9/38

CPC分类号： H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/30466

摘要： 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。

公开(公告)号：CN101512716B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200780016534.1

申请日：2007-06-12

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  罗伯特·W·米尔盖特 ,  乔治·P·萨科 ,  韦德·艾伦·克鲁尔

IPC分类号： H01J27/00

CPC分类号： H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J9/38 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/265

摘要： 为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。

公开(公告)号：CN102203914A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143988.4

申请日：2009-11-12

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 维克多·M·本夫尼斯特 ,  詹姆士·S·贝福 ,  法兰克·辛克莱 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/30 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31705

摘要： 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。

公开(公告)号：CN101501813B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200780029033.7

申请日：2007-08-03

申请人： 科里普瑟维斯赛尔公司

发明人： 安娜·安德烈亚娜·希利克 ,  阿列克谢·赛尔吉耶维奇·米哈伊洛夫 ,  赛尔古耶·米哈伊洛夫

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C14/22 ,  B23B51/02

CPC分类号： C23C14/025 ,  B05B1/1609 ,  B05B7/0408 ,  C23C14/027 ,  C23C14/0605 ,  E03C1/0409 ,  F16K3/085 ,  F16K3/32 ,  H01J37/32055 ,  H01J2237/022 ,  Y10T428/24752

摘要： 本发明涉及以基于碳的耐磨层被覆基体的方法，所述方法包括下述步骤：i)提供包含对碳具有亲和性的材料的基体，ii)清理基体表面，iii)在所述表面上沉积含有金属的层，iv)离子轰击经被覆的表面，v)在所述表面上沉积碳层。此外，本发明还涉及在其表面上具有类金刚石碳被覆层的基体，和用于实施本发明的方法的设备。

公开(公告)号：CN102119439A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131177.2

申请日：2009-06-19

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 大卫·苏若恩 ,  岱尔·K·史东 ,  茂雄·S·大城 ,  亚瑟·P·瑞福 ,  爱德华·D·梅克英特许

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/67109 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/6875

摘要： 本发明揭示减少基材上粒子污染的技术。在一特殊实施例中，此技术可以一具有多个不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一平台主体，其包括第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽用以保持一接地电路；一第一介层窗定义于平台主体中，第一介层窗具有第一与第二开口，第一开口邻近于流体区域，而第二开口邻近于第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相等于第一凹槽的压力值。