公开(公告)号：CN101752216A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225849.8

申请日：2009-11-30

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 腰高利明

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70875 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/70783

摘要： 本发明涉及制造半导体器件的方法、曝光设备和记录介质。制造半导体器件的方法包括第一吸附步骤、释放步骤、第二吸附步骤和曝光步骤。在第一吸附步骤中，晶片台的晶片卡盘吸附半导体晶片，以调节半导体晶片的温度。在释放步骤中，从晶片卡盘释放半导体晶片。在第二吸附步骤中，用于曝光的晶片台的晶片卡盘吸附半导体晶片。在曝光步骤中，曝光半导体晶片。

公开(公告)号：CN101095213B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580018359.0

申请日：2005-06-07

申请人： 尼康股份有限公司

发明人： 白石健一

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70875 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70916

摘要： 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。

公开(公告)号：CN100568093C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200410035209.8

申请日：2004-03-10

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·J·M·范格鲁斯 ,  P·R·M·肯努斯 ,  J·F·胡格坎姆 ,  A·J·H·科洛普 ,  J·安里 ,  R·维斯塞

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L21/67225 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70808 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70858 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67201

摘要： 本发明涉及一种光刻投影组件，包括：至少两个装载锁闭装置，用于在第一环境与第二环境之间传送基底，第二环境具有比第一环境更低的压力；基底处理器包括：主要处于第二环境的处理室；光刻投影装置，包括投影室。处理室和投影室通过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入投影室，另一方面，卸载位置用于将基底从投影室移到处理室。处理室设有：预处理装置，用于预处理基底；和传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。

公开(公告)号：CN100504608C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200410102095.4

申请日：2004-12-22

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： J·J·奥特坦斯 ,  H·K·范德肖特 ,  J·P·斯塔雷维德 ,  W·J·P·M·马亚斯 ,  W·J·维内马 ,  B·门奇特奇科夫

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70616 ,  G03F7/70783 ,  G03F7/70875

摘要： 本发明提出了校正光刻曝光衬底的热致区域形变的方法和装置。在一个实施方案中，该方法包含，按照预定曝光信息把图形曝光到衬底的多个区域，并测量所述区域的属性以评估曝光过程的热效应引起的区域形变。该方法进一步包含基于测得的属性确定校正信息，并基于改校正信息调整预定的曝光信息以补偿热致区域形变。其它实施方案包含使用预计模型以预计区域上的热致效应，并包含热像成像以确定整个衬底上的温度变化。

公开(公告)号：CN100440432C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200480024324.3

申请日：2004-08-26

申请人： 株式会社尼康

发明人： 白井健 ,  国分崇生 ,  石泽均 ,  村上敦信

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G02B7/02 ,  G02B13/00

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983

摘要： 一种在曝光装置中被使用的光学元件，所述曝光装置用曝光束照明掩模并经投影光学系统将所述掩模的图形转印到基板上，且使规定的液体介入到所述基板的表面与所述投影光学系统之间，其中，在所述投影光学系统的所述基板一侧的透过光学元件的表面上具备第1防止溶解构件。

公开(公告)号：CN100429759C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200610082776.8

申请日：2006-05-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 赤池由多加

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/66 ,  H01L21/00 ,  B23Q3/06

CPC分类号： G03F7/70875 ,  G03F7/707 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67109

摘要： 在专利文献1、2记载的技术中，从在卡盘上面形成的密螺旋形槽的一端提供液体，从另一端排出，由于使用毛细管现象向槽和槽之间的基板和卡盘的界面移动，所以液体的移动慢，难以迅速控制基板温度。本发明的基板保持台(10)包括：保持基板W的保持台(11)、控制此保持台(11)温度的温度控制装置，其中，保持台(11)在保持台(11)上面开口，而且具有液体供给口(113)，该液体供给口从温度控制装置(12)向基板(W)和保持台(11)之间提供第二冷却液；真空吸附槽(114)，其在开口部(113)附近形成，并且排出在基板(W)和保持台(11)之间的第二冷却液；开口部(116)，其在真空吸附槽(114)上开口，而且从真空吸附槽(114)排出第二冷却液。

公开(公告)号：CN1746775A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510113235.2

申请日：2005-08-12

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： T·P·M·卡迪 ,  J·H·W·贾科布斯 ,  N·坦卡特 ,  E·R·鲁普斯特拉 ,  A·L·H·J·范米尔 ,  J·J·S·M·梅坦斯 ,  C·G·M·德莫 ,  M·J·E·H·米特詹斯 ,  A·J·范德内特 ,  J·J·奥坦斯 ,  J·A·夸伊达克斯 ,  M·E·鲁曼-休斯肯 ,  M·K·斯塔温加 ,  P·A·J·廷内曼斯 ,  M·C·M·维哈根 ,  J·J·L·H·维斯帕 ,  F·E·德荣格 ,  K·戈尔曼 ,  B·门奇奇科夫 ,  H·博姆 ,  S·尼蒂亚诺夫 ,  R·莫尔曼 ,  M·F·P·斯米特斯 ,  B·L·P·小恩德马克 ,  F·J·J·詹斯森 ,  M·里伊彭

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/70808 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70875

摘要： 一种光刻设备包括：调节辐射束的照明系统；支撑构图器件的支架，该构图器件能够将它截面中的图案赋予辐射束以形成构图的辐射束；支撑衬底的衬底台；把已构图的辐射束投影到衬底的目标部分的投影系统；利用液体至少部分地填充在所述投影系统的最后元件和所述衬底之间的间隙的液体供应系统；在投影系统的所述最后元件和述衬底之间的所述间隙中基本包含所述液体的密封构件；和控制和/或补偿浸渍液体从所述衬底蒸发的元件。

公开(公告)号：CN1726429A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380106274.9

申请日：2003-11-12

申请人： 分子制模股份有限公司

发明人： B-J·乔伊 ,  R·D·弗伊欣 ,  S·V·斯里尼瓦桑 ,  M·P·C·瓦茨 ,  D·A·巴布斯 ,  M·J·美斯尔 ,  H·L·贝利 ,  N·E·苏马克

IPC分类号： G03B27/58 ,  G03B27/60 ,  G03B27/32 ,  B29C35/08 ,  H01L21/461

CPC分类号： G03F7/70875 ,  B29C33/20 ,  B29C43/003 ,  B29C43/021 ,  B29C43/36 ,  B29C43/58 ,  B29C2043/025 ,  B29C2043/3233 ,  B29C2043/3488 ,  B29C2043/5841 ,  B29D11/00365 ,  G03B27/62 ,  G03F7/707

摘要： 本发明涉及一种卡盘系统(40)和调整基底(26)形状的方法，基底具有对置的第一表面(26b)和第二表面(26a)。这是通过在第一对置表面的不同区域之间建立压力差以减轻第二对置表面的结构扭曲而获得，该扭曲是由于基底上的外力负载而发生。为此目的，卡盘系统包括具有对置的第一面和第二面的卡盘体，两面之间延伸侧面。第一面包括隔开距离的第一(58)和第二(60)支承区域。第一支承区域环绕第一(52)和第二(54)凹进处。第二支承区域环绕第二凹进处，其中与第二凹进处重叠的卡盘体的部分对于具有预定波长的辐射是透明的。第二面和侧面限定外部表面。

公开(公告)号：CN1637616A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410102080.8

申请日：2004-12-22

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： W·J·博西 ,  H·J·埃金克

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/707 ,  G03F7/70783 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/709

摘要： 一种光刻装置，其包括用于将辐射光束投射到基底上的照射系统。该光刻装置还包括用于支撑基底和构图部件中的至少一个的吸盘组件，该构图部件用于将图案赋予给辐射光束的截面。一传热系统可在第一表面和第二表面之间操作。该传热系统能够在第一表面和第二表面之间传热。该第一表面至少部分由吸盘组件的至少一部分形成。该第二表面至少由与吸盘组件间隔一段距离的元件的至少一部分形成。该第二表面与第一表面机械分开并与第一表面热耦合。

公开(公告)号：CN1508631A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310123918.7

申请日：2003-12-18

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： J·J·奥坦斯 ,  M·N·J·范科温克

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/70066 ,  G03F7/70216 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/70875

摘要： 在对衬底边缘处的目标部分进行扫描曝光的过程中，改变照射区域的边缘的位置，从而防止或减少落在衬底台上的辐射或曝光L形区域。这样就可降低施加在衬底台上的热负载，并且可用假结构来填充缺口且不会重叠在对准标记上。