发明授权
CN100504608C 光刻过程中晶片热形变的优化校正
失效 - 权利终止
- 专利标题： 光刻过程中晶片热形变的优化校正
- 专利标题（英）： Optimized calibration method of thermal deformation of a wafer in a lithographic process
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申请号： CN200410102095.4申请日： 2004-12-22
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公开(公告)号： CN100504608C公开(公告)日： 2009-06-24
- 发明人: J·J·奥特坦斯 , H·K·范德肖特 , J·P·斯塔雷维德 , W·J·P·M·马亚斯 , W·J·维内马 , B·门奇特奇科夫
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维尔德霍芬
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维尔德霍芬
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 优先权： 10/743272 2003.12.23 US
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20
摘要：
本发明提出了校正光刻曝光衬底的热致区域形变的方法和装置。在一个实施方案中，该方法包含，按照预定曝光信息把图形曝光到衬底的多个区域，并测量所述区域的属性以评估曝光过程的热效应引起的区域形变。该方法进一步包含基于测得的属性确定校正信息，并基于改校正信息调整预定的曝光信息以补偿热致区域形变。其它实施方案包含使用预计模型以预计区域上的热致效应，并包含热像成像以确定整个衬底上的温度变化。
公开/授权文献
- CN1645255A 光刻过程中晶片热形变的优化校正 公开/授权日：2005-07-27
IPC分类:
