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公开(公告)号：CN113206152A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011287806.5
申请日：2020-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括第一栅极结构，第一栅极结构包括第一界面层、设置在第一界面层上方的第一栅极介电层，以及设置在第一栅极介电层上方的第一栅电极。半导体器件还包括第二栅极结构，第二栅极结构包括第二界面层、设置在第二界面层上方的第二栅极介电层，以及设置在第二栅极介电层上方的第二栅电极。第一界面层包含与第二界面层不同量的偶极材料。
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公开(公告)号：CN113203714A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110451807.7
申请日：2021-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 程仲良
Abstract: 薄膜沉积系统在晶圆上沉积薄膜。辐射源利用激发光照射晶圆。发射物传感器检测响应于激发光的来自晶圆的发射光谱。基于机器学习的分析模型分析光谱，并且基于光谱检测薄膜的污染。本发明的实施例还涉及用于检测薄膜的污染的系统和方法。
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公开(公告)号：CN112838058A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011260979.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本文公开一种具有双金属覆盖的导孔接触结构的半导体装置结构及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包含形成源极/漏极(S/D)区域及栅极结构于鳍片结构上；分别形成S/D接触结构及栅极接触结构于S/D区域及栅极结构上；分别形成第一及第二导孔接触结构于S/D接触结构及栅极接触结构上；以及分别形成第一及第二互连结构于第一及第二导孔接触结构上。形成第一及第二导孔接触结构包含：分别形成插设在介于第一顶金属覆盖层与第一底金属覆盖层之间的第一导孔接触插塞、及插设在介于第二顶金属覆盖层与第二底金属覆盖层之间的第二导孔接触插塞。
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公开(公告)号：CN112687623A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010842523.6
申请日：2020-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 此处公开半导体装置的制作方法，更具体地，公开具有设置以提供超低临界电压的不同栅极结构的半导体装置与其制作方法。方法包括分别形成第一纳米结构的通道区与第二纳米结构的通道区于第一纳米结构层与第二纳米结构层中；以及形成第一全绕式栅极结构与第二全绕式栅极结构以分别围绕第一纳米结构的通道区与第二纳米结构的通道区。形成第一全绕式栅极结构与第二全绕式栅极结构的步骤包括：选择性形成铝为主的n型功函数金属层与硅为主的盖层于第一纳米结构的通道区上；沉积多个双层的无铝p型功函数金属层于第一纳米结构的通道区与第二纳米结构的通道区上；沉积氟阻挡层于双层的无铝p型功函数金属层上；以及沉积栅极金属填充层于氟阻挡层上。
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公开(公告)号：CN111987096A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010314924.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例公开了具有被配置为提供超低阈值电压的不同栅极结构的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括分别在第一和第二纳米结构层中的第一和第二纳米结构沟道区域，以及分别围绕第一和第二纳米结构沟道区域的第一和第二全环栅(GAA)结构。第一GAA结构包括具有第一栅极介电层、Al基的n型功函金属层、第一金属覆盖层和第一栅极金属填充层的Al基的栅叠件。第二GAA结构包括具有第二栅极介电层、无Al的p型功函金属层、金属生长抑制层、第二金属覆盖层和第二栅极金属填充层的无Al的栅叠件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111243958A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911180066.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一沟道层，设置在第一区域中；第二沟道层，设置在第二区域中；第一介电层，设置在第一沟道层上；第二介电层，设置在第二沟道层上；第一栅电极，设置在第一介电层上；第二栅电极，设置在第二介电层上。第一区域中的第一沟道层包括第一Ge浓度的Ge化合物，第二区域中的第二沟道层包括第二Ge浓度的Ge化合物。第一沟道层中的第一Ge浓度大于第二沟道层中的第二Ge浓度。本发明的实施例涉及形成介电层的方法、形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN111092080A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911012695.4
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，此半导体装置包含：半导体基板、多个通道区，这些通道区包含：第一、第二与第三p型通道区，以及第一、第二与第三n型通道区，以及多个栅极结构。这些栅极结构包含：界面层(IL)设置于这些通道区之上，第一高介电常数介电层(HK)设置于此第一p型通道区及此第一n型通道区之上，第二高介电常数介电层设置于此第一n型通道区、此第二n型通道区、此第一p型通道区及此第二p型通道区之上；以及第三高介电常数介电层设置于这些通道区之上。此第一、第二及第三高介电常数介电层彼此不同。
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公开(公告)号：CN106245003B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201510827051.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/45565 , C23C16/5096
Abstract: 提供了一种在沉积设备中使用的气体分配器。该气体分配器包括喷头，喷头包括多个孔；以及掩模层，形成在喷头的表面上，其中孔穿透穿过掩模层。还公开了使用气体分配器的沉积设备。
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公开(公告)号：CN222282000U
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202420943221.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露揭示一种晶圆堆叠。晶圆堆叠包含第一晶圆元件、第二晶圆元件及第三晶圆元件的晶圆堆叠。第一晶圆元件包含前侧及背侧。晶圆堆叠亦包含具有前侧及背侧的第二晶圆元件，使得第二晶圆元件的前侧接合至第一晶圆元件的前侧。此外，晶圆堆叠包含具有前侧及背侧的第三晶圆元件，使得第三晶圆元件的前侧接合至第二晶圆元件的背侧。第一晶圆元件包含一或多个光电二极管形成于背侧上的复合金属网格阵列。
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公开(公告)号：CN221041130U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202321745763.X
申请日：2023-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/48 , H01L23/528 , G01N27/00
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置包括内连结构。内连结构设置于半导体衬底之上。内连结构包括多个内连层。第一薄膜晶体管(TFT)及第二TFT设置于半导体衬底之上。第一TFT及第二TFT各自垂直地延伸穿过内连层的至少一子集。开口形成于内连结构中。开口设置于第一TFT与第二TFT之间。传感膜设置于开口的底表面及侧表面之上。
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