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公开(公告)号：CN108568320B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201710138281.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种微流体装置、生化检测系统及方法，其中生化检测系统，包括一探针卡及一微流体装置。探针卡具有多个探针及一开口，探针用于接触一基板上至少一芯片的多个电极垫，以检测该至少一芯片的至少一生化感测器的电性信号。微流体装置卡合于开口内且具有一腔室，腔室用于接收一待测溶液，并使得待测溶液与生化感测器接触。
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公开(公告)号：CN108568320A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710138281.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种微流体装置、生化检测系统及方法，其中生化检测系统，包括一探针卡及一微流体装置。探针卡具有多个探针及一开口，探针用于接触一基板上至少一芯片的多个电极垫，以检测该至少一芯片的至少一生化感测器的电性信号。微流体装置卡合于开口内且具有一腔室，腔室用于接收一待测溶液，并使得待测溶液与生化感测器接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261629A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911205331.8
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , G01N27/414
Abstract: 本申请的各个实施例针对用于增强灵敏度的离子敏感场效应晶体管。在一些实施例中，衬底包括一对第一源极/漏极区域和一对第二源极/漏极区域。此外，第一栅电极和第二栅电极位于衬底下面。第一栅电极横向位于第一源极/漏极区域之间，并且第二栅电极横向位于第二源极/漏极区域之间。互连结构位于衬底下面并且限定将第二源极/漏极区域和第二栅电极电耦合在一起的导电路径。钝化层位于衬底上方并且限定第一阱和第二阱。第一阱和第二阱分别位于第一栅电极和第二栅电极上面，并且感测层衬里第一阱和第二阱中的衬底。在一些实施例中，感测分子探针位于第一阱中但不位于第二阱中。本发明的实施例还涉及传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111261629B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911205331.8
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , G01N27/414
Abstract: 本申请的各个实施例针对用于增强灵敏度的离子敏感场效应晶体管。在一些实施例中，衬底包括一对第一源极/漏极区域和一对第二源极/漏极区域。此外，第一栅电极和第二栅电极位于衬底下面。第一栅电极横向位于第一源极/漏极区域之间，并且第二栅电极横向位于第二源极/漏极区域之间。互连结构位于衬底下面并且限定将第二源极/漏极区域和第二栅电极电耦合在一起的导电路径。钝化层位于衬底上方并且限定第一阱和第二阱。第一阱和第二阱分别位于第一栅电极和第二栅电极上面，并且感测层衬里第一阱和第二阱中的衬底。在一些实施例中，感测分子探针位于第一阱中但不位于第二阱中。本发明的实施例还涉及传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN221041130U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202321745763.X
申请日：2023-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/48 , H01L23/528 , G01N27/00
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置包括内连结构。内连结构设置于半导体衬底之上。内连结构包括多个内连层。第一薄膜晶体管(TFT)及第二TFT设置于半导体衬底之上。第一TFT及第二TFT各自垂直地延伸穿过内连层的至少一子集。开口形成于内连结构中。开口设置于第一TFT与第二TFT之间。传感膜设置于开口的底表面及侧表面之上。
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公开(公告)号：CN220772986U
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202321684989.3
申请日：2023-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L23/544 , H01L27/085
Abstract: 本实用新型的各种实施例是有关于一种半导体装置。基底具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。第一晶体管具有第一栅极，第二晶体管具有第二栅极，且第三晶体管具有第三栅极。第一栅极、第二栅极及第三栅极各自设置于基底的第一侧之上。第二栅极设置于第一栅极与第三栅极之间。第一栅极与第三栅极具有不同的材料组成物。结构设置于基底的第二侧之上。结构包括与第一晶体管对准的第一开口、与第二晶体管对准的第二开口及与第三晶体管对准的第三开口。感测膜设置于基底的第二侧之上。感测膜被配置成贴合至一个或多个预定义微型目标。
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公开(公告)号：CN220934072U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202321734277.8
申请日：2023-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本实用新型的各种实施例是有关于一种半导体装置。基底具有第一侧及与第一侧垂直地相对的第二侧。感测晶体管至少部分地设置于基底的第一侧之上。多个电压参考晶体管至少部分地设置于基底的第一侧之上。电压参考晶体管设置于感测晶体管的不同的侧向侧上。结构设置于基底的第二侧之上。结构对被配置成收集流体的一个或多个开口进行界定。感测膜设置于基底的第二侧之上，其中感测晶体管被配置成至少部分地通过电容耦合来侦测流体中的一个或多个预定义微型目标的存在，所述一个或多个预定义微型目标在与感测晶体管垂直地对准的开口中贴合至感测膜。
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