公开(公告)号：CN105322011A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410339812.9

申请日：2014-07-16

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 许静 ,  闫江 ,  陈邦明 ,  王红丽 ,  唐波 ,  唐兆云 ,  徐烨锋 ,  李春龙 ,  杨萌萌

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为器件形成区域；隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；绝缘层，位于第三半导体层的源漏区域之下、隔离结构与第二半导体层端部之间。本发明的器件结构，同时具有体硅器件和SOI器件的各自优势，具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。同时，与SOI器件相比，消除了浮体效应和自热效应。

公开(公告)号：CN102842614B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110165241.8

申请日：2011-06-20

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王桂磊 ,  李春龙 ,  赵超 ,  李俊峰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成有绝缘隔离层；在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽；在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层；在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构；其特征在于，所述有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。依照本发明的半导体器件及其制造方法，使用了不同于衬底材料的有源区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。此外，不同于已有的STI制造工序，本发明先形成STI后填充形成有源区，避免了STI中出现孔洞的问题，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN104465493A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310438771.4

申请日：2013-09-24

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李俊杰 ,  李春龙 ,  李俊峰 ,  王文武 ,  洪培真

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L2221/101

摘要： 本发明提供了一种自对准接触孔刻蚀工艺方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上从下至上依次形成有栅堆叠、保护层和层间介质层，在所述衬底内部、栅堆叠之间形成有源漏区；对层间介质层进行刻蚀形成接触孔的上半部分，至栅堆叠顶部上方的保护层停止；采用沉积与刻蚀循环的方法刻蚀栅堆叠之间的层间介质层形成接触孔的下半部分，停止在源漏区上方的保护层上；采用沉积与刻蚀循环的方法刻蚀源漏区上方的保护层形成接触孔的底部，停止在衬底的源漏区上。本发明通过采用沉积和刻蚀循环的方法，增加了刻蚀过程对栅堆叠侧壁的保护，减少了刻蚀对栅堆叠侧壁的损伤，降低了漏电风险。

公开(公告)号：CN102760638B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110104354.7

申请日：2011-04-25

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李春龙

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/324

摘要： 本发明公开了一种用于保持热预算稳定的加热方法，通过在主工序后插入一个虚拟工序，使得整个加热工艺的总时间保持不变，有利于保持热预算稳定，进一步有利于器件性能维持稳定。

公开(公告)号：CN102800872B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110134239.4

申请日：2011-05-23

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李春龙 ,  赵超

IPC分类号： H01M4/88 ,  B81C1/00

摘要： 本发明提供了一种燃料电池极板的MEMS制造方法，包括：在衬底上形成垫氧层；在所述垫氧层上形成垫氮层；蚀刻所述垫氮层和所述垫氧层，以形成硬掩模图形；以所述硬掩模图形为掩模，蚀刻所述衬底，在所述衬底的上表面上形成未贯穿所述衬底的多个微孔，所述多个微孔构成台面微结构；采用填充物以部分填充所述多个微孔，继续蚀刻其余微孔，直至形成贯穿所述衬底的多个穿孔；去除所述填充物、垫氧层、垫氮层，完全暴露所述衬底；在所述衬底的整个表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的上表面上形成电极层。依照本发明的燃料电池极板的MEMS制造方法，相对于现有技术，减少了工艺步骤，降低了制造和时间成本，提高了加工精度及其相应的可靠性。

公开(公告)号：CN103855009A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210505760.9

申请日：2012-11-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑 ,  罗军 ,  李春龙

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/6681 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32115 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/1033

摘要： 本申请公开了一种鳍结构制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成构图的图案转移层；在图案转移层的侧壁上形成第一侧墙；在第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙；选择性去除图案转移层和第一侧墙；以及以第二侧墙为掩模，对衬底进行构图，以形成初始鳍。

公开(公告)号：CN103854985A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210510130.0

申请日：2012-12-03

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李春龙 ,  李俊峰 ,  闫江 ,  赵超

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成宽度为32nm~45nm的光刻胶线条；以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。本发明还提供了一种后栅工艺假栅。采用本发明提供的技术方案，能精确控制栅极的关键尺寸，栅极的剖面形貌，并能有效改善栅极线条的粗糙度，保证了器件的性能及稳定性。

公开(公告)号：CN103854965A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210505359.5

申请日：2012-11-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑 ,  罗军 ,  李春龙 ,  邓坚 ,  赵超

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/8234

摘要： 本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：在材料层中对于溅射的负载条件较高的区域中形成沟槽；以及对材料层进行溅射，以使材料层平坦。

公开(公告)号：CN102842614A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110165241.8

申请日：2011-06-20

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王桂磊 ,  李春龙 ,  赵超 ,  李俊峰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成有绝缘隔离层；在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽；在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层；在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构；其特征在于，所述有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。依照本发明的半导体器件及其制造方法，使用了不同于衬底材料的有源区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。此外，不同于已有的STI制造工序，本发明先形成STI后填充形成有源区，避免了STI中出现孔洞的问题，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102800879A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110133383.6

申请日：2011-05-23

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李春龙 ,  赵超

IPC分类号： H01M8/10 ,  B81C1/00

CPC分类号： Y02P70/56

摘要： 本发明提供了一种燃料电池的MEMS制造方法，包括：步骤A，提供衬底；步骤B，在所述衬底上同时形成阳极和阴极，以构成燃料电池的极板；步骤C，将所述燃料电池的极板与质子交换薄膜层叠，压合组装形成燃料电池。依照本发明的燃料电池的MEMS制造方法，集成燃料电池阳极、阴极板在同一硅片上，因此本发明工艺简单、构造简洁、便于组装。