公开(公告)号：CN104103695A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310112449.2

申请日：2013-04-02

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 邹渊 ,  李群庆 ,  刘军库 ,  朱振东 ,  范守善

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0231 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极；一半导体层，所述漏极和源极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，进一步包括一过渡层设置于所述半导体层与所述绝缘层之间，所述过渡层为通过固化HSQ形成的硅氧多聚交联体层，所述硅氧多聚交联体层中的硅原子分别与所述半导体层及所述绝缘层中的原子相键合。本发明还提供所述薄膜晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN1271692C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03800758.4

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 渡部祥文 ,  相泽浩一 ,  菰田卓哉 ,  幡井崇 ,  本多由明

IPC: H01L21/316 ,  C25D11/32 ,  H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C25D11/32 ,  C25D21/12 ,  H01J9/025 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/31687

Abstract: 公开了用于半导体层的电化学氧化的方法。在用于作为电子器件之一的电子源10(场致发射类型电子源)的生产过程中的电化学氧化处理过程中，基于来自电阻检测部分35的检测电压，控制部分37预先测定由于电解溶液B的电阻导致的电压增量。然后，控制部分37控制电源以供应恒电流，以便引发对于在物体30上形成的半导体层的氧化处理。控制部分37通过从中减去电压增量来校正来自电压检测部分36的检测电压。当校正电压达到给定的上限电压值时，可以操作控制部分37来中断电源32的输出和终止氧化处理。本发明使得可以生产在其特性方面具有减小的变化的电子器件。

公开(公告)号：CN1249803C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200310120669.6

申请日：2003-12-18

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 李圣勋

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76205 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的隔离膜的方法。该方法包括步骤：在硅衬底上顺序形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜；在衬垫氮化膜上形成透过其开放隔离区域的光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻衬垫氮化膜和衬垫氧化膜，由此暴露隔离区域的硅衬底；通过使用电解液和紫外线实施电化学蚀刻工艺以在暴露的隔离区域的硅衬底中形成多个沟槽状的孔隙，从而形成多孔硅；移除光致抗蚀剂图案；以及，实施热氧化工艺以氧化多孔硅，藉此在隔离区域形成氧化膜。

公开(公告)号：CN107015445A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710188523.7

申请日：2017-03-27

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 吴珂

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/0274

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。在本发明提供的半导体结构表面处理方法中，在第一等离子体处理方式去除掉光刻胶以及完成清洁工艺后，通过第二等离子体处理方式可修复半导体结构表面形貌，并增加了薄膜层在后续工艺中的附着力，减少了产品缺陷，提高产品良率，同时可降低薄膜层悬键数量，使薄膜层表面的化学活性降低，提高薄膜层的抗腐蚀能力。

公开(公告)号：CN105810777A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610178832.1

申请日：2016-03-25

Applicant: 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司

Inventor： 魏葳 ,  赵炎 ,  雷国伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/02348 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明提供的柔性基板，采用紫外臭氧处理柔性基板，增加了表面的亲水性基团，从而增加了柔性基底亲水性，使膜层牢固。本发明针对柔性基底不能耐受高温的特点，采用紫外光照射处理溶胶膜，在柔性基板上制备纳米减反膜，达到低温免烧结的效果，使减反膜在低温下达到固化致密，提高硬度和透过率，使柔性薄膜免于高温烧结。获得了高透(透过率≥94％)、成膜性好、膜层牢固(附着力5B级)、硬度高(铅笔硬度4H)的减反膜。

公开(公告)号：CN1261973C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03108289.0

申请日：2003-03-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 平井利充 ,  长谷井宏宣

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3121 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/2225 ,  H01Q7/00 ,  H01Q9/27

Abstract: 本发明提供为了改善由喷墨法完成的膜图案的形成，而能得到均匀具有所需亲液性的基板的表面处理方法、以及依据该表面处理得到的表面处理基板及膜图案的形成方法等。本发明中，在基板表面上进行形成由有机分子构成的自我组织化膜的疏液化处理。之后用紫外光照射等方法缓和疏液性，而达到所需的疏液性。

公开(公告)号：CN1459824A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03108289.0

申请日：2003-03-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 平井利充 ,  长谷井宏宣

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3121 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/2225 ,  H01Q7/00 ,  H01Q9/27

Abstract: 本发明提供为了改善由喷墨法完成的膜图案的形成，而能得到均匀具有所需亲液性的基板的表面处理方法、以及依据该表面处理得到的表面处理基板及膜图案的形成方法等。本发明中，在基板表面上进行形成由有机分子构成的自我组织化膜的疏液化处理。之后用紫外光照射等方法缓和疏液性，而达到所需的疏液性。

公开(公告)号：CN105453243B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201480025735.8

申请日：2014-02-05

Applicant: 鲁道夫技术公司 ,  科罗拉多州立大学董事会法人团体

Inventor： 托德·默里 ,  曼朱莎·梅赫代尔 ,  迈克尔·科特扬斯基 ,  罗宾·迈尔 ,  普里亚·穆昆汗

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  G01N21/00 ,  G01N21/1702 ,  G01N21/41 ,  G01N21/9501 ,  G01N29/04 ,  G01N29/2418 ,  G01N2021/8461 ,  G01N2201/06113 ,  G01N2291/011 ,  G01N2291/028 ,  G01N2291/0423 ,  G01N2291/0426 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/78 ,  H01L22/00 ,  H01L22/10 ,  H01L22/12

Abstract: 本文公开了一种用于识别形成到基底中的结构的一个或多个特征的系统和方法。在所述基底中诱发表面声波和体声波并使其行进通过其中感测到所述声波的所感兴趣的结构。将与所述结构的一个或多个特征有关的信息编码在所述波中。对所编码的信息进行评估以确定所述所感兴趣的特征。

公开(公告)号：CN107658219A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710616990.5

申请日：2017-07-26

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 谷村英昭

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/2636 ,  H01L21/0231 ,  H01L33/343 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供能够抑制生成热施主的以锗为主要成分的p型半导体的热处理方法。注入了硼等掺杂剂的锗半导体层为p型半导体。以200℃以上且300℃以下的预备加热温度T1预备加热上述半导体层后，用照射时间极短的闪光照射将该半导体层加热至500℃以上且900℃以下的处理温度T2。在锗中不可避免地混入的氧在300℃～500℃的条件下成为热施主，但由于闪光的照射时间为0.1微秒以上且100微秒以下的极短时间，所以半导体层的温度停留在300℃～500℃的温度范区域的时间短到可以忽略的程度。因此，能够抑制锗半导体层中的热施主的生成。

公开(公告)号：CN103959442B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201280057787.4

申请日：2012-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 西奥多·P·莫菲特

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/428 ,  B23K26/034 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/127 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明的实施方式涉及用于在基板处理系统中控制激光装置以及与激光装置的运用相关的安全特征的方法和设备。一个实施方式中，提供一种用于处理基板的系统。所述系统包括：腔室，所述腔室具有处理容积；第一激光装置，所述第一激光装置向所述处理容积中发射第一波长的射束；以及第二激光装置，所述第二激光装置向所述处理容积中发射第二波长的射束，其中所述第二波长与所述第一波长不同，并且所述第二激光装置包含滤光器，所述滤光器适于衰减所述第一波长和所述第二波长之一或两者。