-
公开(公告)号：CN109004041B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710416290.1
申请日：2017-06-06
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236
摘要： 本发明涉及一种太阳能电池，其包括：一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层、一上电极以及至少一电极引线。所述硅片衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述背电极设置在所述硅片衬底的第二表面，并与所述硅片衬底欧姆接触；所述掺杂硅层形成于所述硅片衬底的第一表面；所述上电极为设置在掺杂硅层表面的多个多尺度的三维纳米结构；所述电极引线设置在所述上电极远离掺杂硅层的表面，并且电极引线的延伸方向与三维纳米结构的延伸方向交叉设置。
-
公开(公告)号：CN104752460B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310724804.1
申请日：2013-12-25
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01L51/0013 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3281 , H01L51/52 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L2227/323 , H01L2251/558
摘要： 本发明涉及一种有机发光二极管阵列的制备方法，其包括：提供一基板；在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部，每个凸部对应至少一子像素；在多个凸部的表面形成多个第一电极，且多个第一电极相互间隔设置；形成一图案化的第二绝缘层将相邻凸部之间的第一电极覆盖，且使每个第一电极至少位于凸部顶面的部分暴露并突出；在每个第一电极暴露并突出的表面转印形成层叠设置的电洞注入层和电洞传输层；在相邻的三个电洞传输层的表面分别转印形成发不同颜色光的电激发光层；在电激发光层上分别沉积层叠设置的电子传输层和电子注入层；以及形成一第二电极与该电子注入层电连接。
-
公开(公告)号：CN104681742B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201310619300.3
申请日：2013-11-29
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L51/56
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/0014 , H01L51/5265 , H01L2251/105
摘要： 一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；在所述设置有多个第一电极的基板表面沉积一第一有机材料层；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不同的凹部；将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机材料层贴合，并挤压所述模板及所述第一有机材料层；将所述模板与所述第一有机材料层进行脱模，使所述纳米图形转印到第一有机材料层，在所述第一有机材料层远离基板的表面形成高度不同的凸起结构；在所述第一有机材料层凸起结构远离基板的表面沉积一有机发光层；在所述有机发光层上沉积一第二有机材料层；以及形成一第二电极与所述第二有机材料层电连接。
-
公开(公告)号：CN103474522B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210185696.0
申请日：2012-06-07
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L2933/0091
摘要： 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属陶瓷层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层与基底接触的表面；以及步骤e：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。本发明制备的发光二极管具有良好的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN103137804B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110395477.0
申请日：2011-12-03
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/382
摘要： 本发明提供一种发光二极管，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层，一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面，一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面，其中，所述活性层至少一表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，且所述发光二极管的出光面或所述基底与第一半导体层接触的表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。
-
公开(公告)号：CN103094401B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110331458.1
申请日：2011-10-27
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：提供一硅基板，所述硅基板具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面；在所述硅基板的第二表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述硅基板通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述硅基板，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述硅基板的第二表面形成多个M形三维纳米结构；在所述三维纳米结构表面形成一掺杂硅层；在所述掺杂硅层的至少部分表面设置一上电极；以及设置一背电极与所述硅基板欧姆接触。
-
公开(公告)号：CN104752459A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310724781.4
申请日：2013-12-25
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01L51/0013 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3281 , H01L51/5036 , H01L51/504 , H01L51/5044 , H01L51/52 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L2227/323 , H01L2251/558
摘要： 本发明涉及一种有机发光二极管阵列，其包括：一基板，且该基板的一表面具有多个间隔设置的凸部；多个平行且间隔设置的条形第一电极设置于所述基板的表面，且每个第一电极设置于至少一凸部的顶面；多个电激发光层间隔设置于所述多个第一电极的表面；一图案化的第二绝缘层设置于所述基板的表面，将位于相邻的凸部之间的基板的表面覆盖，且使每个电激发光层至少顶面暴露；以及多个平行且间隔设置的条形第二电极设置于所述第二绝缘层远离基板一侧，该多个第二电极与所述多个电激发光层电连接，所述第二电极的延伸方向与第一电极的延伸方向交叉设置，且在每个交叉处定义一子像素。
-
公开(公告)号：CN104681743A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310619394.4
申请日：2013-11-29
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L51/56
CPC分类号： H01L27/3211 , H01L51/0002 , H01L51/56 , H01L2251/105 , H01L2251/558
摘要： 本发明涉及一种有机发光二极管的制备方法，包括：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；在所述基板表面形成一第一有机材料层；在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不同的凹部；将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层贴合，并挤压、脱模，在所述第一有机发光层远离基板的表面形成多个相互间隔的第一凸起、第二凸起及第三凸起；在所述第二凸起的表面形成一第二有机发光层，在所述第三凸起的表面形成一第三有机发光层；形成一第二有机材料层覆盖所述第一凸起、第二有机发光层及第三有机发光层；以及设置一第二电极与所述第二有机材料层电连接。
-
公开(公告)号：CN103030107B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110292901.9
申请日：2011-10-06
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： B81C1/00111 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： 本发明提供一种三维纳米结构阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底的表面形成一掩模层；纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成沟槽；刻蚀所述掩模层，使对应掩模层沟槽位置的衬底表面部分暴露；刻蚀所述衬底，使所述掩模层的所述多个条形凸起结构中相邻条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；以及去除所述掩模层，形成三维纳米结构阵列。
-
公开(公告)号：CN103474543A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185679.7
申请日：2012-06-07
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/0091 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/44
摘要： 本发明涉及一种发光二极管，其包括：第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面;所述第二光学对称层的等效折射率n1，与所述基底、第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n2的差值∆n大于等于0小于等于0.5，其中∆n=|n1-n2|。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
132 条记录 (耗时 0.075 秒)
