公开(公告)号：CN101146874A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009348.0

申请日：2006-03-17

Applicant: 株式会社爱发科 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  三井化学株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  金山敏彦 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C09D7/12 ,  C09D183/00 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101146874B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200680009348.0

申请日：2006-03-17

Applicant: 株式会社爱发科 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  金山敏彦 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C09D7/12 ,  C09D183/00 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4-a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101120436A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN100474530C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN118974649A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380027548.2

申请日：2023-03-03

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 石川彰 ,  藤村真史 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: G03F1/64

Abstract: 本发明的目的在于提供可抑制由防护膜的张力引起的应变并且能够抑制由防护膜组件框的变形引起的原版的应变的防护膜组件框、防护膜组件以及防护膜组件的制造方法。防护膜组件框具备用于支撑防护膜的硬质框构件(12A)和用于与具有图案的原版连接的软质框构件(11X)。软质框构件(11X)与前述硬质框构件(12A)连接。前述软质框构件(11X)是由基材层(112)和粘着层(111)在与前述防护膜的面方向正交的厚度方向上以前述粘着层(111)配置于两端的方式交替层叠而成的。前述硬质框构件(12A)的杨氏模量高于前述软质框构件(11X)的表观杨氏模量。前述硬质框构件(12A)的杨氏模量为25GPa以上。

公开(公告)号：CN117070147A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311043410.X

申请日：2016-11-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  田中博文 ,  井上浩二

IPC: C09D183/08 ,  H01L21/027 ,  C09D7/63

Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；添加剂(C)，所述添加剂(C)选自由具有羧基且重均分子量46以上195以下的酸(C‑1)和具有氮原子且重均分子量17以上120以下的碱(C‑2)组成的组中的至少一种以及极性溶剂(D)，所述交联剂(B)在分子内具有环结构，所述交联剂(B)中的羧基数相对于所述化合物(A)中的全部氮原子数的比率，即COOH/N为0.1以上3.0以下。

公开(公告)号：CN106537564B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201580038048.4

申请日：2015-08-05

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  田中博文 ,  小野升子 ,  井上浩二 ,  和知浩子 ,  铃木常司

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。

公开(公告)号：CN105051872B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480017656.2

申请日：2014-03-11

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  小野升子 ,  田中博文 ,  铃木常司 ,  三尾茂 ,  高村一夫

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/02 ,  C08K5/09 ,  C08L79/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C08K5/0091 ,  C08L79/02 ,  C09J179/04 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。

公开(公告)号：CN101983223B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980112061.4

申请日：2009-03-30

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  田中博文

IPC: C08L83/04 ,  C08J9/28 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C08K3/08 ,  C09D7/61 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L2924/0002 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种组合物，含有烷氧基硅烷化合物的水解产物、下述通式(1)表示的硅氧烷化合物的水解产物、表面活性剂和电负性为2.5以下的元素。通式(1)中，RA及RB分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或-CdH2d-1基。其中，RA及RB不同时为氢原子。RC及RD表示将硅原子和氧原子相互连接形成环状硅氧烷结构的单键，或者分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或者-CdH2d-1基。a表示1～6的整数，b表示0～4的整数，c表示0～10的整数，d表示2～4的整数，n表示3以上的整数。

公开(公告)号：CN112805813B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201980066019.7

申请日：2019-11-19

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 和知浩子 ,  田中博文 ,  茅场靖刚 ,  藤井谦一

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40

Abstract: 一种半导体元件中间体的制造方法，其包括下述工序：准备表面具有凹部的基板的准备工序；将上述基板的温度设为250℃以上，通过原子层沉积法，使用包含下述通式(1)所示的化合物的氧化锡前体，向上述凹部填充氧化锡的填充工序。通式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。#imgabs0#