公开(公告)号：CN1832207B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610009063.9

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  菅原裕辅 ,  高桥宽畅 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/04 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/1133 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。

公开(公告)号：CN101438418A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780015170.5

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  长谷川真也 ,  高桥秀和 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/14643 ,  Y02E10/50

Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。

公开(公告)号：CN101233394A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027408.1

申请日：2006-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  菅原裕辅 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和

IPC: G01J1/44 ,  H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/102 ,  G01J1/44 ,  H01L31/145 ,  H04N5/2351

Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。

公开(公告)号：CN101082521A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108176.9

申请日：2007-05-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 広濑笃志 ,  荒尾达也

IPC: G01J1/44 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G01J1/1626 ,  G01J1/4228 ,  G01J1/44

Abstract: 本发明的半导体装置包括：第一光电二极管；被遮光的第二光电二极管；包含电压输出电路的第一电路群；第二电路群；校正电路，其中第一光电二极管的输出被输入到第一电路群的电压输出电路，第一电路群的输出被输入到校正电路，并且第二光电二极管的输出经过第二电路被输入到校正电路。通过在校正电路中，对每个这些输入进行加或减，来可以消除在第一光电二极管中的起因于温度的输出变动。注意，对第一光电二极管供给基准电位，以便输出开电压，并且对第二光电二极管供给使顺向偏压施加到第二光电二极管的电位。

公开(公告)号：CN1881607A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610095692.8

申请日：2001-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN1197141C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01112073.8

申请日：2001-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: H01L21/70 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区以及源区和漏区，且LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN1435897A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102284.7

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN1312589A

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：CN01110971.8

申请日：2001-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区,LDD区与第一栅电极重叠,栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN1877269B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200610084883.4

申请日：2006-05-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  西和夫 ,  菅原裕辅

IPC: G01J1/44 ,  H04N3/15

CPC classification number: G01J1/18 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4406 ,  G09G3/3611 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2360/144 ,  G09G2360/145 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目标是提供一种检测从弱光到强光范围的光的光电转换装置。本发明涉及一种光电转换装置，它包括具有光电转换层的光电二极管、包括薄膜晶体管的放大器电路以及偏置切换装置，其中当入射光的强度超过预定强度时，通过偏置切换装置切换与光电二极管和放大器电路相连的偏置，因此，小于预定强度的光被光电二极管检测而大于预定强度的光被放大器电路的薄膜晶体管检测。通过本发明，可以检测从弱光到强光范围的光。

公开(公告)号：CN101615619A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910141718.1

申请日：2005-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒尾达也

IPC: H01L27/13 ,  H01Q23/00 ,  H01Q1/38 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07775 ,  G06K19/07779 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01Q1/2208 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38 ,  H01Q23/00

Abstract: 一种半导体器件，例如本发明的ID芯片，包括使用半导体元件的集成电路，和与集成电路相连的天线，其中半导体元件是通过使用半导体膜构造的。优选机将天线与集成电路构造在一起，因为这样可以增强ID芯片的机械强度。注意，本发明中使用的天线还包括环绕或螺旋缠绕的导线和布置在导线之间的软磁材料微粒。