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公开(公告)号：CN117790658A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311837690.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，一方面，通过控制生长条件在外延结构上制备具有刻蚀速率差异的I TO复合层，I TO复合层包括层叠的I TO导电层和I TO掩蔽层，并刻蚀I TO复合层形成悬空结构，使I TO掩蔽层的侧向刻蚀深度大于I TO导电层的侧向刻蚀深度，通过控制ITO掩蔽层的侧向刻蚀深度，让I TO导电层可以不受光刻胶粘附性影响，以使ITO导电层侧向刻蚀深度达到预设长度，经过刻蚀后的倾斜侧壁与I TO导电层具有一定的间距，避免搭边引起漏电问题；另一方面，MESA/I TO工序合并光刻，避免单独工序时造成不同区域易套偏导致需要较大过刻蚀量，使发光区损失，而影响微型LED芯片的亮度问题，既简化流程，提升产量，降低成本，又可提升亮度。
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公开(公告)号：CN116207202A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310296933.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接；其中，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以串联相邻两个LED单元的设置；实现了第一钝化层前置蚀刻开孔裸露所述台面，从而，可精准控制透明导电层的有效面积，确保高压微型发光器件的每个LED单元的发光面积一致；此外，所述第一钝化层可同时并作为电流阻挡层实现均匀电流分布，防止LED单元的电流聚集。同时，通过在所述沟道内形成玻璃化绝缘层，以减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，且由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题。
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公开(公告)号：CN119677260A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411770114.4
申请日：2024-12-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括：衬底；设于衬底一侧表面并沿第一方向依次布设的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、第一钝化层、反射层和第二钝化层；第一方向垂直于衬底并由衬底指向有源层；反射层靠近第一钝化层的一侧设有若干阵列设置的凹槽，各凹槽的开口朝向第一钝化层，且各凹槽的槽壁为曲面，以将进入凹槽的光整形收束后反射至出光面；与第一型半导体层电连接的第一电极；与第二型半导体层电连接的第二电极。该LED芯片能够减小光在LED芯片出光面的入射角度，进而降低光线被全反射的概率，提高光提取效率。
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公开(公告)号：CN118782710A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410863676.7
申请日：2024-06-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光二极管外延片及其制作方法，本申请提供的微型发光二极管外延片的制作方法，生长复合透明导电膜包括：在反应腔室内，采用射频结合直流的溅射方式在第二型半导体层的表面依次制备低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层，可提高复合透明导电膜的致密性及复合透明导电膜与第二型半导体层的欧姆接触，进而提高复合透明导电膜的ESD能力；结合低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层以实现制备低电阻率、高透过率和高稳定性的复合透明导电膜的目的。
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公开(公告)号：CN117117055A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311267678.1
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过在所述第一电极和第二电极的侧壁分别设有金属粘附层，且所述金属粘附层与所述钝化层之间的粘附力大于所述电极与所述钝化层之间的粘附力。基于此结构，可利用第一电极/第二电极表面与钝化层材料直接接触时粘附性差的特点，通过蓝膜对芯片表面进行撕膜，使所述第一电极、第二电极表面的钝化层随着蓝膜脱落，从而形成分别裸露所述第一电极和第二电极的至少部分表面的钝化层图形。如此，在保证电极被钝化层覆盖以解决金属逆压迁移问题的同时，通过撕膜即可形成钝化层图形，减少光刻次数，简化工艺，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119208466A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411335743.4
申请日：2024-09-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L23/544 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，通过深刻蚀外延叠层，形成通过切割道相互间隔排布的若干个子外延叠层和与其对应设置的切割对准结构，其中，切割对准结构通过沟道与对应的子外延叠层间隔设置，沟道为切偏控制线，可在通过切割道实现LED芯片器件的物理分离时提高切割对准精度，进而提升切割良率；此外，在切割道预设区表面形成光刻胶栅线图形，通过干法刻蚀工艺露出衬底以形成切割道，其中，光刻胶栅线图形的栅线密度沿外延叠层的中心往外延叠层的边缘方向逐渐降低，且外延叠层的边缘区域无栅线，利用与刻蚀深宽比相关的负载效应，以提高刻蚀切割道的线宽均匀性，进一步提升切割良率。
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公开(公告)号：CN119069505A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411166760.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法和显示器，LED芯片包括发光主体，发光主体包括外延结构、通道和电极结构；外延结构至少包括依次层叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；通道沿第一方向贯穿外延结构以将其划分为至少两个独立的外延单元，第一方向垂直于所述第一型半导体层，并由第一型半导体层指向有源层；电极结构设于外延结构设置第一型半导体层的一侧，并与各外延单元电连接形成独立的导电回路，以使得各外延单元适于独立发光。本申请的LED芯片及其制作方法和显示器能够在实现显示屏相同像素密度的情况下，相比于现有技术减少芯片的使用颗粒数，减少固晶成本和芯片成本。
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公开(公告)号：CN116364830A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310352619.8
申请日：2023-04-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：衬底、外延结构、P电极、N电极以及钝化层，其中，P电极包括第一P电极和第二P电极，N电极包括第一N电极和第二N电极，钝化层与P电极对应的部分同P电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，与N电极对应的部分同N电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，即钝化层与电极结构相对应的部分被电极结构中的顶层金属电极所包覆，使得环境中的水汽不会直接接触到钝化层与第一P电极以及第一N电极的接触面所存在的孔隙，有效避免LED芯片水汽渗透的发生，从而避免LED芯片在逆压环境中发生微短路，提高了LED芯片在实际应用中的可靠性。
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公开(公告)号：CN116454188A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310457123.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED芯片的制备方法以及LED芯片，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成外延结构，在外延结构上形成P电极和N电极，形成P电极包括：以第一蒸镀速率形成第一金层，以第二蒸镀速率形成第二金层，以第三蒸镀速率形成第三金层，形成N电极包括：以第一蒸镀速率形成第四金层，以第二蒸镀速率形成第五金层，以第三蒸镀速率形成第六金层，第二蒸镀速率大于或小于第一蒸镀速率和第三蒸镀速率，使得P电极和N电极中的相邻金层的孔隙错开，尽可能的抑制P电极和N电极的金层中存在贯通整个金层的孔隙，降低盐雾环境中的氯离子进入到电极内部的可能性，提高LED芯片在盐雾环境中的可靠性。
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公开(公告)号：CN219435878U
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202320601956.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种高压微型发光器件，包括衬底及设置于所述衬底表面且通过沟道相互隔离的若干个LED单元；其中，相邻两个LED单元通过桥接电极形成电连接，且在所述沟道内设有玻璃化绝缘层，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式连接相邻两个LED单元。从而通过玻璃化绝缘层减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，同时，由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题，进而提高高压微型发光器件的可靠性。
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