-
公开(公告)号：CN114137396A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479803.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种基于测试系统的裸芯片测试装置及测试方法，包括：真空吸笔吸取裸芯片（12），放入装载腔体（11）中，使探针（9）与对应的PAD接触，移动柔性压块（15）固定裸芯片，将PCB转接板（10）下的排针（9a）插入测试系统接口（8）中；运行测试软件，由电压电流单元（2）、差分电压表（3）、精密交流源单元（4）给待测裸芯片施加所需电压电流，测试数据通过高精度采集单元（5）采集，经主机计算得最终测试结果，自动判断电路测试数据是否合格。本发明的优点：裸芯片通过真空吸笔吸取平行放置在夹具腔体内，不损伤裸芯片表面，直接对裸芯片进行测试评估，不会因封装过程损坏造成浪费，提高了测试效率及准确性。
-
公开(公告)号：CN112269116A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026830.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法，包括以下步骤：S1、MEMS陀螺微结构芯片初测，S2、MEMS陀螺微结构芯片粘片，S3、MEMS陀螺微结构芯片引线键合，S4、MEMS陀螺微结构芯片第二次测试，S5、MEMS陀螺微结构芯片激光打孔，S6、标定真空度与MEMS陀螺微结构芯片Q值的对应曲线，S7、管壳级真空封装，S8、MEMS陀螺微结构芯片第三次测试，S9、根据步骤S6标定的对应曲线，查找与步骤S8的Q值相对应的真空度，该真空度即是管壳级封装的真空度；该方法能够对管壳级封装后内部的真空度进行评价，从而验证封装或类似设备生产加工的产品内部实际的真空度。
-
公开(公告)号：CN112098809A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011026787.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种MEMS微镜晶圆级全自动电学测试方法，包括：a、采用主控计算机、测试模块、矩阵控制面板、探针卡、探针台、显微镜与探针台控制模块构建测试系统；b、将待测晶圆置于探针台的承片台上；探针台控制模块对探针台进行控制，对待测晶圆进行定位，使探针卡与待测晶圆对应连接；c、主控计算机控制电源模块对待测晶圆施加阶梯电压，CV测量模块测量与阶梯电压相对应的阶梯电容，阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度相对应；d、主控计算机通过采集模块读取测试结果，并绘制阶梯电压、阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度的对应关系图；该方法采用电学测试方式，测量精度高，减少测试时间，节省成本。
-
公开(公告)号：CN105259372B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510664521.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开晶圆级电容式加速度计自动测试系统，包括微处理器以及与微处理器相连的上位机，四个电容数字转换器、第一数模转换器、第二数模转换器、第一继电器与第二继电器；微处理器控制数模转换器与继电器，向电容式加速度计的其中两个固定电极上在不同时刻分别施加直流电压，产生静电力，模拟外界加速度，所述四个电容数字转换器由微处理器控制，并向微处理器发送所采集不同时刻的电容式加速度计的电容值，再由微处理器计算得出电容变化量，实现参数测试的目的，并判断出电容式加速度计的品质。
-
公开(公告)号：CN106128972A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610643554.2
申请日：2016-08-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/30
Abstract: 本发明公开一种分立裸芯片探针测试定位矩阵装置，包括呈SOI结构的载体硅片，载体硅片的顶层设有定位槽阵列，定位槽阵列包含两个以上的阵列区，每个阵列区均由一组定位槽构成阵列，各个阵列区的定位槽分别与各个尺寸的分立裸芯片形成配合；所有的定位槽均采用干法刻蚀工艺制得；由于载体硅片的埋氧层具有对干法刻蚀工艺无响应的特点，所以蚀刻后埋氧层的顶面即是定位槽的底面，能够保证定位槽底面的平整度；另外，干法刻蚀工艺对定位槽内壁钻蚀微弱，也保证了定位槽内壁的垂直度；将定位槽阵列分成不同的阵列区域，每个阵列区域中的定位槽分别对应一种尺寸的分立裸芯片，实现在同一载体上同时对多种尺寸分立裸芯片的批量定位。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103532394A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310505338.8
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开一种连续可调的智能电源模块，包括单片机(2)，单片机(2)外围设有与其相连的整流滤波稳压电路(1)、数字键盘(3)、液晶显示屏(4)与可编程数字电位器(R2)；所述电源模块还包括由DC-DC转换器(5)为主体的升压反压转换电路(6)，整流滤波稳压电路(1)的输出作为DC-DC转换器(5)的输入，DC-DC转换器(5)还与可编程数字电位器(R2)相连；升压反压转换电路(6)的正输出端与负输出端即为所述电源模块的输出，升压反压转换电路(6)的负输出端与可编程数字电位器(R2)之间还连接有固定电阻(R1)；将整流滤波后的交流电压进行升压与负压处理，采用单片机(2)与可编程数字电位器(R2)对输出电压进行智能调节，实现连续可调的正电压与负电压输出。
-
公开(公告)号：CN102368086A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110253293.0
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R27/00
Abstract: 本发明涉及一种惠斯通电桥补偿电阻的测试方法，其特征在于包括以下步骤：a、在惠斯通电桥各桥臂电阻两端，分别并连接一个由电流表和开关组成的并联支路；b、每次只有一个电流表接通工作，分别测得每一个桥臂电阻对应的电流I1、I2、I3和I4，然后利用公式或计算得出R的阻值。本发明与现有技术相比，其显著优点是：通过电学测试电路以及数学公式变换，可以精确计算出需要在桥臂上补偿的电阻值，计算方法可编程价值高，易于在测试系统上开发，实现在线生产的大规模测试，从而高效的解决问题。
-
公开(公告)号：CN118759345A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410862128.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了裸芯片转接测试夹具，适用于裸芯片与PCB之间的转接，包括：底部固定板，其上具有贯通腔；顶部固定板，通过轴承与底部固定板可转动连接；转接结构，设于贯通腔内，用于承托裸芯片并将其与PCB转接；以及，盖板结构，设于顶部固定板内，用于在顶部固定板与底部固定板对接后固定裸芯片并施加弹性作用力；本发明中，夹具采用先进的零件制造技术和整体组装结构，具有性能稳定可靠、使用方便，芯片固定性好、芯片无划伤等特点，与专用的芯片夹具不同的是，本发明夹具整体结构无需改变，只需定制中间PCB层和芯片放置层小板，即可使用上千余种不同芯片的转接测试。
-
公开(公告)号：CN115718244A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211343384.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于硅基片上多芯片集成的中试评价方法，包括：a.设置测试系统和适配器；b.PCB板（7）上设有开窗（10），使用导电胶将硅基片（1）边缘不带有电气连接部分粘接到PCB板开窗边缘，利用键合丝（3）将硅基片上测试用PAD点（2）与PCB板上PAD点（4）进行键合，PCB板上PAD点通过PCB板布线（5）与排针焊盘（6）连接，排针焊盘焊接直插排针；c.将焊接直插排针插入适配器上，运行测试系统软件，根据设定的门限自动判断电路测试数据是否合格。本发明可以对研制过程中的硅基片上多芯片集成进行过程监控，可以在每颗芯片组装后进行整体的测试评估，有效的定位失效位置，避免后续全部安装后无法进行失效分析。
-
公开(公告)号：CN112345913A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011026761.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种多PAD单芯片微型的测试装置，其特征在于：它包括电路板（1），在电路板（1）上从下向上依次设有探针台（2）、芯片容置板（3）以及支撑台（4），在支撑台（4）上交接有上盖板（5），在上盖板（5）上连接有与芯片容置板（3）对应配合的压块（6），在上盖板（5）上还设有与压块（6）连接配合的旋钮（7）。本发明结构简单、使用方便、测试过程更稳定，可根据测试要求的不同安装相应数量的探针，可同时完成多针测试。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.13 seconds)
