公开(公告)号：CN1359157A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01125517.X

申请日：2001-08-10

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  泉谷淳子 ,  砂田繁树

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/75

Abstract: 一种具有电容元件的半导体器件及其制造方法,在下层电极9A上形成电容元件用电介质层10。在该下部电极层9A和电容元件用电介质层10上形成层间绝缘层11,在该层间绝缘层11上形成到达电容元件用电介质层10的插塞孔11a。形成上层电极12A,13A使得充填该插塞孔11a的内部,而且把电容元件用电介质层10夹在中间与下层电极9A相对。电容元件用电介质层10在插塞孔11a的正下方区以及插塞孔11a的周壁的外周的区域与下层电极9A接触。由此,可以得到能够防止下层电极9A的金属原子的扩散的同时具有大容量的电容元件的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1330405A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01111348.0

申请日：2001-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  原田繁 ,  竹若博基

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种使用现有的半导体制造装置、不使制造方法复杂而能改善凹陷部处的金属膜的台阶覆盖性、可靠性高的半导体装置及其制造方法。解决方法是形成第4和第5层间绝缘膜,形成贯通第4和第5层间绝缘膜的连接口。在连接口中埋入了金属栓后,在包含CF

公开(公告)号：CN1226747A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN98120826.6

申请日：1998-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  坂井裕一 ,  岩崎正修 ,  千叶原宏幸

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在半导体器件中消除层间绝缘膜中的布线层与经过附近的垂直的导电体栓短路的情况。在半导体衬底上的绝缘膜中形成开口,在绝缘膜上形成导电体膜以便充填该开口。首先用化学刻蚀除去该导电体膜,用充填了开口的导电体膜形成导电体栓。其后,对绝缘膜的表面进行化学机械研磨,形成与导电体栓的表面相同的平坦的表面。在其上经薄的绝缘膜形成布线图形。

公开(公告)号：CN1172370C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN01111348.0

申请日：2001-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  原田繁 ,  竹若博基

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种使用现有的半导体制造装置、不使制造方法复杂而能改善凹陷部处的金属膜的台阶覆盖性、可靠性高的半导体装置及其制造方法。解决方法是形成第4和第5层间绝缘膜，形成贯通第4和第5层间绝缘膜的连接口。在连接口中埋入了金属栓后，在包含CF4的气氛中对第5层间绝缘膜和金属栓进行干法刻蚀，将连接口的形状整形为越接近于连接口的开口上端部、开口直径越增大。

公开(公告)号：CN1149672C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98120826.6

申请日：1998-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  坂井裕一 ,  岩崎正修 ,  千叶原宏幸

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在半导体器件中消除层间绝缘膜中的布线层与经过附近的垂直的导电体栓短路的情况。在半导体衬底上的绝缘膜中形成开口，在绝缘膜上形成导电体膜以便充填该开口。首先用化学刻蚀除去该导电体膜，用充填了开口的导电体膜形成导电体栓。其后，对绝缘膜的表面进行化学机械研磨，形成与导电体栓的表面相同的平坦的表面。在其上经薄的绝缘膜形成布线图形。

公开(公告)号：CN1307363A

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN01110846.0

申请日：2001-01-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  高田佳史 ,  泉谷淳子

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 提供防止高集成化的半导体器件的焊盘电极的表面氧化,与外部端子的连接强度高的半导体器件。一种半导体器件,配有用于连接外部电极的焊盘电极和与该焊盘电极连接的多层布线结构,覆盖该焊盘电极、在该焊盘电极上有开口部并使该焊盘电极的表面露出的绝缘膜的单面与贵金属和从以该贵金属为主要成分的金属中选择的一种贵金属材料组成的金属面连接。