公开(公告)号：CN1149672C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98120826.6

申请日：1998-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  坂井裕一 ,  岩崎正修 ,  千叶原宏幸

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在半导体器件中消除层间绝缘膜中的布线层与经过附近的垂直的导电体栓短路的情况。在半导体衬底上的绝缘膜中形成开口，在绝缘膜上形成导电体膜以便充填该开口。首先用化学刻蚀除去该导电体膜，用充填了开口的导电体膜形成导电体栓。其后，对绝缘膜的表面进行化学机械研磨，形成与导电体栓的表面相同的平坦的表面。在其上经薄的绝缘膜形成布线图形。

公开(公告)号：CN1226747A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN98120826.6

申请日：1998-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  坂井裕一 ,  岩崎正修 ,  千叶原宏幸

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在半导体器件中消除层间绝缘膜中的布线层与经过附近的垂直的导电体栓短路的情况。在半导体衬底上的绝缘膜中形成开口,在绝缘膜上形成导电体膜以便充填该开口。首先用化学刻蚀除去该导电体膜,用充填了开口的导电体膜形成导电体栓。其后,对绝缘膜的表面进行化学机械研磨,形成与导电体栓的表面相同的平坦的表面。在其上经薄的绝缘膜形成布线图形。

公开(公告)号：CN1225503A

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN98120821.5

申请日：1998-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 坂井裕一 ,  千叶原宏幸 ,  须田核太郎 ,  岩崎正修

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于准确地测定在半导体晶片的器件图形上形成的层间绝缘膜的厚度。在用半导体晶片的划线区域区分的芯片区中形成半导体器件用的器件图形,同时在该芯片区中与器件图形同时地用同一种材料形成监视图形。用层间绝缘膜覆盖在它上面后,通过研磨进行平坦化。在监视图形上测定该平坦化了的层间绝缘膜的厚度。