公开(公告)号：CN1149672C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98120826.6

申请日：1998-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  坂井裕一 ,  岩崎正修 ,  千叶原宏幸

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在半导体器件中消除层间绝缘膜中的布线层与经过附近的垂直的导电体栓短路的情况。在半导体衬底上的绝缘膜中形成开口，在绝缘膜上形成导电体膜以便充填该开口。首先用化学刻蚀除去该导电体膜，用充填了开口的导电体膜形成导电体栓。其后，对绝缘膜的表面进行化学机械研磨，形成与导电体栓的表面相同的平坦的表面。在其上经薄的绝缘膜形成布线图形。

公开(公告)号：CN104241429A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410260831.2

申请日：2014-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新延大介 ,  坂井裕一

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0516 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明公开受光元件模块及其制造方法。本发明得到在连接了多个受光元件的受光元件模块中针对设置面积的光电转换效率优良的受光元件模块。将在背面侧具有第1及第2电极的背面连接型的受光元件(10a～10f)通过具备板状的主体部(32)和元件间连接部(31)的元件间连接体(30)进行连接并构成受光元件模块(1)。该主体部(32)对第1电极选择性地直接连接，并且在第2电极中隔着绝缘层配置，除了第2电极的一部分以外，覆盖受光元件(10a～10f)的背面侧的大致整体。第2电极与元件间连接部(31)连接。而且，主体部在受光元件之间构成反射部，构成为反射光能够从第1及第2电极的间隙入射到受光元件(10a～10f)。

公开(公告)号：CN104241429B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410260831.2

申请日：2014-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新延大介 ,  坂井裕一

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0516 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开受光元件模块及其制造方法。本发明得到在连接了多个受光元件的受光元件模块中针对设置面积的光电转换效率优良的受光元件模块。将在背面侧具有第1及第2电极的背面连接型的受光元件(10a～10f)通过具备板状的主体部(32)和元件间连接部(31)的元件间连接体(30)进行连接并构成受光元件模块(1)。该主体部(32)对第1电极选择性地直接连接，并且在第2电极中隔着绝缘层配置，除了第2电极的一部分以外，覆盖受光元件(10a～10f)的背面侧的大致整体。第2电极与元件间连接部(31)连接。而且，主体部在受光元件之间构成反射部，构成为反射光能够从第1及第2电极的间隙入射到受光元件(10a～10f)。

公开(公告)号：CN1226747A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN98120826.6

申请日：1998-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  坂井裕一 ,  岩崎正修 ,  千叶原宏幸

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在半导体器件中消除层间绝缘膜中的布线层与经过附近的垂直的导电体栓短路的情况。在半导体衬底上的绝缘膜中形成开口,在绝缘膜上形成导电体膜以便充填该开口。首先用化学刻蚀除去该导电体膜,用充填了开口的导电体膜形成导电体栓。其后,对绝缘膜的表面进行化学机械研磨,形成与导电体栓的表面相同的平坦的表面。在其上经薄的绝缘膜形成布线图形。

公开(公告)号：CN1225503A

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN98120821.5

申请日：1998-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 坂井裕一 ,  千叶原宏幸 ,  须田核太郎 ,  岩崎正修

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于准确地测定在半导体晶片的器件图形上形成的层间绝缘膜的厚度。在用半导体晶片的划线区域区分的芯片区中形成半导体器件用的器件图形,同时在该芯片区中与器件图形同时地用同一种材料形成监视图形。用层间绝缘膜覆盖在它上面后,通过研磨进行平坦化。在监视图形上测定该平坦化了的层间绝缘膜的厚度。