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公开(公告)号：CN102473751B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , C03C15/00
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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公开(公告)号：CN102362356A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200980158262.8
申请日：2009-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 包含：对形成在半导体衬底101a的表面的保护膜102形成开口部103的步骤；将保护膜102作为掩模实施使用了酸性溶液的第1蚀刻处理，在开口部103的下部及其附近区域形成第1凹部104的步骤；将保护膜102作为掩模实施蚀刻处理，除去形成在第1凹部104的表面的氧化膜104a的步骤；将保护膜102作为掩模实施各向异性蚀刻，在开口部103的下部及其附近区域形成第2凹部106的步骤；以及除去保护膜102的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241429A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410260831.2
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/056 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0516 , H01L31/022441 , H01L31/0508 , H01L31/0682 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开受光元件模块及其制造方法。本发明得到在连接了多个受光元件的受光元件模块中针对设置面积的光电转换效率优良的受光元件模块。将在背面侧具有第1及第2电极的背面连接型的受光元件(10a～10f)通过具备板状的主体部(32)和元件间连接部(31)的元件间连接体(30)进行连接并构成受光元件模块(1)。该主体部(32)对第1电极选择性地直接连接，并且在第2电极中隔着绝缘层配置，除了第2电极的一部分以外，覆盖受光元件(10a～10f)的背面侧的大致整体。第2电极与元件间连接部(31)连接。而且，主体部在受光元件之间构成反射部，构成为反射光能够从第1及第2电极的间隙入射到受光元件(10a～10f)。
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公开(公告)号：CN104241429B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410260831.2
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/056 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0516 , H01L31/022441 , H01L31/0508 , H01L31/0682 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开受光元件模块及其制造方法。本发明得到在连接了多个受光元件的受光元件模块中针对设置面积的光电转换效率优良的受光元件模块。将在背面侧具有第1及第2电极的背面连接型的受光元件(10a～10f)通过具备板状的主体部(32)和元件间连接部(31)的元件间连接体(30)进行连接并构成受光元件模块(1)。该主体部(32)对第1电极选择性地直接连接，并且在第2电极中隔着绝缘层配置，除了第2电极的一部分以外，覆盖受光元件(10a～10f)的背面侧的大致整体。第2电极与元件间连接部(31)连接。而且，主体部在受光元件之间构成反射部，构成为反射光能够从第1及第2电极的间隙入射到受光元件(10a～10f)。
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公开(公告)号：CN102460656B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN200980159654.6
申请日：2009-06-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L31/04 , H05K1/02 , H05K3/34
CPC classification number: H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明得到不会使基板质量产生劣化、缺陷的半导体装置的制造方法。包括：在硅基板(101)上形成凹部(115)的工序；在P型硅基板(101)的表面形成包含N型的杂质的N型扩散层(102)的工序；使包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体接触于P型硅基板(101)的凹部(115)以外的区域，以成为与凹部(115)不同的性质的表面的方式，进行表面处理的工序。
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公开(公告)号：CN102473751A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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公开(公告)号：CN102460656A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159654.6
申请日：2009-06-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L31/04 , H05K1/02 , H05K3/34
CPC classification number: H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明得到不会使基板质量产生劣化、缺陷的半导体装置的制造方法。包括：在硅基板(101)上形成凹部(115)的工序；在P型硅基板(101)的表面形成包含N型的杂质的N型扩散层(102)的工序；使包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体接触于P型硅基板(101)的凹部(115)以外的区域，以成为与凹部(115)不同的性质的表面的方式，进行表面处理的工序。
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