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公开(公告)号：CN103875082A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201180074119.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 包含：第1工序，在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造；第2工序，在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜；第3工序，在形成有所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出，并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜，在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域；第4工序，除去所述蚀刻膏；以及第5工序，在所述露出的所述凹部内部形成第2导电型的半导体膜，在所述凹部内部形成所述第2导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第2半导体结区域。
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公开(公告)号：CN102362356A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200980158262.8
申请日：2009-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 包含：对形成在半导体衬底101a的表面的保护膜102形成开口部103的步骤；将保护膜102作为掩模实施使用了酸性溶液的第1蚀刻处理，在开口部103的下部及其附近区域形成第1凹部104的步骤；将保护膜102作为掩模实施蚀刻处理，除去形成在第1凹部104的表面的氧化膜104a的步骤；将保护膜102作为掩模实施各向异性蚀刻，在开口部103的下部及其附近区域形成第2凹部106的步骤；以及除去保护膜102的步骤。
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公开(公告)号：CN101309770B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200580052095.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B23H7/02
Abstract: 本发明涉及对太阳能电池用硅等的不良导体的线放电加工方法，和基于该线放电加工方法的半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法。本发明提供通过在线电极上施加脉冲宽度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉冲电压，在上述线电极与加工对象物之间发生放电脉冲，对大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的高电阻率硬脆材料进行放电加工的方法。
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公开(公告)号：CN103875082B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180074119.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 包含：第1工序，在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造；第2工序，在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜；第3工序，在形成有所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出，并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜，在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域；第4工序，除去所述蚀刻膏；以及第5工序，在所述露出的所述凹部内部形成第2导电型的半导体膜，在所述凹部内部形成所述第2导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第2半导体结区域。
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公开(公告)号：CN101309770A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200580052095.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B23H7/02
Abstract: 本发明涉及对太阳能电池用硅等的不良导体的线放电加工方法，和基于该线放电加工方法的半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法。本发明提供通过在线电极上施加脉冲宽度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉冲电压，在上述线电极与加工对象物之间发生放电脉冲，对大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的高电阻率硬脆材料进行放电加工的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460656B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN200980159654.6
申请日：2009-06-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L31/04 , H05K1/02 , H05K3/34
CPC classification number: H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明得到不会使基板质量产生劣化、缺陷的半导体装置的制造方法。包括：在硅基板(101)上形成凹部(115)的工序；在P型硅基板(101)的表面形成包含N型的杂质的N型扩散层(102)的工序；使包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体接触于P型硅基板(101)的凹部(115)以外的区域，以成为与凹部(115)不同的性质的表面的方式，进行表面处理的工序。
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公开(公告)号：CN102473751A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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公开(公告)号：CN102460656A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159654.6
申请日：2009-06-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L31/04 , H05K1/02 , H05K3/34
CPC classification number: H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明得到不会使基板质量产生劣化、缺陷的半导体装置的制造方法。包括：在硅基板(101)上形成凹部(115)的工序；在P型硅基板(101)的表面形成包含N型的杂质的N型扩散层(102)的工序；使包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体接触于P型硅基板(101)的凹部(115)以外的区域，以成为与凹部(115)不同的性质的表面的方式，进行表面处理的工序。
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公开(公告)号：CN102007582A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113397.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种基板的面粗糙化方法，可以在保持了基板的品质的同时均匀地进行基板表面的微细的面粗糙化，其中，包括：在基板的表面形成保护膜的第1工序；对所述保护膜实施喷射加工处理而在所述保护膜中形成开口的第2工序；以形成了所述开口的所述保护膜为掩模，对所述基板中的形成了所述保护膜的面，在所述保护膜具有耐性的条件下实施蚀刻的第3工序；以及去除所述保护膜的第4工序。
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公开(公告)号：CN101044603A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035904.7
申请日：2005-10-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/31 , H01L21/768 , C23C16/38 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/38 , H01L21/318 , H01L21/76801
Abstract: 本发明提供等离子体CVD装置，其具备供给含有硼嗪骨架的化合物的设备(5)、为了发生等离子体的等离子体发生器、在设置基板(8)的电极(7)上施加负电荷的设备(2)。根据这样的本发明，可以提供长期稳定地获得低介电常数和高机械强度，同时降低在加热膜时放出的气体成分(脱气)量，在器件制造工艺上不引起不适宜情况的等离子体CVD装置。
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