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公开(公告)号：CN113168971A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099744.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松本纪久
Abstract: 得到能够抑制触点和基体金属之间的接合的劣化的电接触件。该电接触件具有：基体金属，其形成为板形状，在板厚方向形成有贯通孔；接合材料，其设置于基体金属的第1面；触点，其经由接合材料与基体金属接合；以及铆钉，其具有第1凸缘部、脚部及第2凸缘部，该第1凸缘部与第1面相对，设置于接合材料的内部，该脚部与第1凸缘部一体地形成，插入至贯通孔，该第2凸缘部与脚部一体地形成，与基体金属的第2面相对，接合材料通过铆钉被第1面推压。
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公开(公告)号：CN113168971B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201880099744.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松本纪久
Abstract: 得到能够抑制触点和基体金属之间的接合的劣化的电接触件。该电接触件具有：基体金属，其形成为板形状，在板厚方向形成有贯通孔；接合材料，其设置于基体金属的第1面；触点，其经由接合材料与基体金属接合；以及铆钉，其具有第1凸缘部、脚部及第2凸缘部，该第1凸缘部与第1面相对，设置于接合材料的内部，该脚部与第1凸缘部一体地形成，插入至贯通孔，该第2凸缘部与脚部一体地形成，与基体金属的第2面相对，接合材料通过铆钉被第1面推压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103377878A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310128541.8
申请日：2013-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松本纪久
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 在使用碱性的蚀刻液的太阳能电池基板的凹凸结构的制造中，与蚀刻液的使用经历无关，硅基板的蚀刻速率稳定，稳定地并且均一性良好地制造一定的凹凸形状。使用如下制造方法，其包括：将含有添加剂的碱性的蚀刻液5用设置于循环管线的管线加热器加热的工序，将直径1μm～1mm的氢气散气注入蚀刻液5的工序，和将硅基板4浸渍于处理槽1内的蚀刻液5的工序。
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公开(公告)号：CN100464395C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200580031218.2
申请日：2005-10-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/38 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/38 , H01L21/318 , H01L21/76801
Abstract: 本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R1-R6可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C1-4的烷基，链烯基或炔基，并且R1-R6的至少1个不是氢原子)表示的化合物)作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷为特征的膜的制造方法，及使用该方法制造的膜的半导体装置。采用这样的发明可提供长期、稳定地得到低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(放出气)量，不引起器件制造工艺上的问题的膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN101023516A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031218.2
申请日：2005-10-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/38 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/38 , H01L21/318 , H01L21/76801
Abstract: 本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R1－R6可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C1－4的烷基，链烯基或炔基，并且R1－R6的至少1个不是氢原子)表示的化合物)作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷为特征的膜的制造方法，及使用该方法制造的膜的半导体装置。采用这样的发明可提供长期、稳定地得到低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(放出气)量，不引起器件制造工艺上的问题的膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN116964465A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202180094112.6
申请日：2021-02-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松本纪久
IPC: G01R33/12
Abstract: 磁特性取得部(12)检测由被励磁用电磁铁磁化的测定试样的振动引起的感应电压，取得表示测定试样的磁化与外部磁场之和即磁通密度与外部磁场之间的关系的磁特性。控制装置(10)在取得对测定试样施加了压力的状态下的磁特性的情况下，将第一磁场值作为扫描开始值，以第一磁场值以下的磁场进行外部磁场的扫描。第一磁场值是比第二磁场值小的值，所述第二磁场值是在对测定试样施加压力之前取得的、与未施加压力的状态下的测定试样的饱和磁通密度对应的磁场值。
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