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公开(公告)号：CN1225503A
公开(公告)日：1999-08-11
申请号：CN98120821.5
申请日：1998-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于准确地测定在半导体晶片的器件图形上形成的层间绝缘膜的厚度。在用半导体晶片的划线区域区分的芯片区中形成半导体器件用的器件图形,同时在该芯片区中与器件图形同时地用同一种材料形成监视图形。用层间绝缘膜覆盖在它上面后,通过研磨进行平坦化。在监视图形上测定该平坦化了的层间绝缘膜的厚度。
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