公开(公告)号：CN101083240A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710112396.9

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN1307364A

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN00129021.5

申请日：2000-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤本谦昌 ,  原田繁 ,  山下贵司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76819 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种没有因残留、飞溅的浆液引起的例如布线的断线等的不良情况、可靠性高的半导体装置。在衬底1上形成了层间绝缘膜21,在层间绝缘膜21上形成了多晶硅层10。覆盖多晶硅层10,形成了层间绝缘膜22。在层间绝缘膜22上形成了多晶硅层11。覆盖层间绝缘膜22,形成了层间绝缘膜23。从层间绝缘膜23的表面23S开始到多晶硅层11,形成了观察对准标记等的标记用的孔20M。标记用的孔20M比从表面23S到衬底1的接触孔宽,但比该接触孔浅。

公开(公告)号：CN1172370C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN01111348.0

申请日：2001-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  原田繁 ,  竹若博基

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种使用现有的半导体制造装置、不使制造方法复杂而能改善凹陷部处的金属膜的台阶覆盖性、可靠性高的半导体装置及其制造方法。解决方法是形成第4和第5层间绝缘膜，形成贯通第4和第5层间绝缘膜的连接口。在连接口中埋入了金属栓后，在包含CF4的气氛中对第5层间绝缘膜和金属栓进行干法刻蚀，将连接口的形状整形为越接近于连接口的开口上端部、开口直径越增大。

公开(公告)号：CN1327266A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN01103216.2

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接,在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是,在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN1307363A

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN01110846.0

申请日：2001-01-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  高田佳史 ,  泉谷淳子

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 提供防止高集成化的半导体器件的焊盘电极的表面氧化,与外部端子的连接强度高的半导体器件。一种半导体器件,配有用于连接外部电极的焊盘电极和与该焊盘电极连接的多层布线结构,覆盖该焊盘电极、在该焊盘电极上有开口部并使该焊盘电极的表面露出的绝缘膜的单面与贵金属和从以该贵金属为主要成分的金属中选择的一种贵金属材料组成的金属面连接。

公开(公告)号：CN101853830A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910168969.9

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成园角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN100557794C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710112396.9

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN101853830B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200910168969.9

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成园角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN1331223C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN01103216.2

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN1191630C

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN00129021.5

申请日：2000-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤本谦昌 ,  原田繁 ,  山下贵司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76819 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种没有因残留、飞溅的浆液引起的例如布线的断线等的不良情况、可靠性高的半导体装置。在衬底(1)上形成了层间绝缘膜(21)，在层间绝缘膜(21)上形成了多晶硅层(10)。覆盖多晶硅层(10)，形成了层间绝缘膜(22)。在层间绝缘膜(22)上形成了多晶硅层(11)。覆盖层间绝缘膜(22)，形成了层间绝缘膜(23)。从层间绝缘膜(23)的表面(23S)开始到多晶硅层(11)，形成了观察对准标记等的标记用的孔(20M)。标记用的孔(20M)比从表面(23S)到衬底(1)的接触孔宽，但比该接触孔浅。