公开(公告)号：CN1307364A

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN00129021.5

申请日：2000-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤本谦昌 ,  原田繁 ,  山下贵司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76819 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种没有因残留、飞溅的浆液引起的例如布线的断线等的不良情况、可靠性高的半导体装置。在衬底1上形成了层间绝缘膜21,在层间绝缘膜21上形成了多晶硅层10。覆盖多晶硅层10,形成了层间绝缘膜22。在层间绝缘膜22上形成了多晶硅层11。覆盖层间绝缘膜22,形成了层间绝缘膜23。从层间绝缘膜23的表面23S开始到多晶硅层11,形成了观察对准标记等的标记用的孔20M。标记用的孔20M比从表面23S到衬底1的接触孔宽,但比该接触孔浅。

公开(公告)号：CN1191630C

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN00129021.5

申请日：2000-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤本谦昌 ,  原田繁 ,  山下贵司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76819 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种没有因残留、飞溅的浆液引起的例如布线的断线等的不良情况、可靠性高的半导体装置。在衬底(1)上形成了层间绝缘膜(21)，在层间绝缘膜(21)上形成了多晶硅层(10)。覆盖多晶硅层(10)，形成了层间绝缘膜(22)。在层间绝缘膜(22)上形成了多晶硅层(11)。覆盖层间绝缘膜(22)，形成了层间绝缘膜(23)。从层间绝缘膜(23)的表面(23S)开始到多晶硅层(11)，形成了观察对准标记等的标记用的孔(20M)。标记用的孔(20M)比从表面(23S)到衬底(1)的接触孔宽，但比该接触孔浅。