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公开(公告)号:CN101083240A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200710112396.9
申请日:2001-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接,在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是,在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。
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公开(公告)号:CN101853830A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200910168969.9
申请日:2001-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成园角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接,在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是,在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。
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公开(公告)号:CN100557794C
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200710112396.9
申请日:2001-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接,在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是,在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。
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公开(公告)号:CN1327266A
公开(公告)日:2001-12-19
申请号:CN01103216.2
申请日:2001-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接,在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是,在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。
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公开(公告)号:CN101853830B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200910168969.9
申请日:2001-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成园角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接,在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是,在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。
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公开(公告)号:CN1331223C
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN01103216.2
申请日:2001-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接,在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是,在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。
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