公开(公告)号：CN1416170A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02141160.3

申请日：2002-07-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泉谷淳子 ,  竹若博基

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明的课题在于在备有使用铜布线的多层布线结构的半导体装置中，获得将键合引线键合在键合区上时能提高连接的可靠性及稳定性的半导体装置及其制造方法。在第二层间绝缘膜14上局部地形成都是由铝合金构成的第三层布线17及键合区71。在第三层间绝缘膜63、第四层间绝缘膜67、保护绝缘膜72、以及缓冲被覆膜73内局部地形成具有由键合区71规定的底面的开孔部74。在开孔部74内插入键合引线75，键合引线75被键合在键合区71上。

公开(公告)号：CN101853830A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910168969.9

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成园角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN100557794C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710112396.9

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN1172370C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN01111348.0

申请日：2001-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  原田繁 ,  竹若博基

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种使用现有的半导体制造装置、不使制造方法复杂而能改善凹陷部处的金属膜的台阶覆盖性、可靠性高的半导体装置及其制造方法。解决方法是形成第4和第5层间绝缘膜，形成贯通第4和第5层间绝缘膜的连接口。在连接口中埋入了金属栓后，在包含CF4的气氛中对第5层间绝缘膜和金属栓进行干法刻蚀，将连接口的形状整形为越接近于连接口的开口上端部、开口直径越增大。

公开(公告)号：CN1327266A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN01103216.2

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接,在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是,在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN101083240A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710112396.9

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN101853830B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200910168969.9

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成园角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN1331223C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN01103216.2

申请日：2001-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田繁 ,  松冈长 ,  竹若博基

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

公开(公告)号：CN1330405A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01111348.0

申请日：2001-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  原田繁 ,  竹若博基

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种使用现有的半导体制造装置、不使制造方法复杂而能改善凹陷部处的金属膜的台阶覆盖性、可靠性高的半导体装置及其制造方法。解决方法是形成第4和第5层间绝缘膜,形成贯通第4和第5层间绝缘膜的连接口。在连接口中埋入了金属栓后,在包含CF