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公开(公告)号：CN119403173A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410547819.3
申请日：2024-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括下图案。沟道隔离结构和场绝缘层接触下图案。栅极结构在下图案上，与沟道隔离结构接触。沟道图案在下图案上，并且包括片图案，每个片图案与沟道隔离结构接触。源极/漏极图案接触沟道图案和沟道隔离结构。沟道隔离结构包括接触栅极结构的第一区域和接触源极/漏极图案的第二区域。沟道隔离结构的第二区域包括其宽度随着距场绝缘层的底表面的距离增大而增大的部分。沟道隔离结构的最上部分的宽度大于沟道隔离结构的最下部分的宽度。
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公开(公告)号：CN109003975B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810467183.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，彼此间隔开并在第一鳍型图案及第二鳍型图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及共享外延图案，在第一栅极结构与第二栅极结构之间连接第一鳍型图案与第二鳍型图案，其中所述共享外延图案的上表面包括：第一共享斜坡及第二共享斜坡，连接第一栅极结构与第二栅极结构；第三共享斜坡，接触第一栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡；以及第四共享斜坡，接触第二栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡。
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公开(公告)号：CN110620150A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910412594.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍在衬底上；栅电极，所述栅电极与所述多个有源鳍交叉；以及源/漏极区，所述源/漏极区在所述多个有源鳍上，并在所述栅电极的第一侧和第二侧延伸。所述源/漏极区包括在所述多个有源鳍中一些上的多个下外延层。所述多个下外延层包含具有第一浓度的锗(Ge)。上外延层在所述多个下外延层上并且包含具有高于所述第一浓度的第二浓度的锗。所述多个下外延层具有凸的上表面，并且在所述有源鳍之间彼此连接。
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公开(公告)号：CN110581130A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910124739.6
申请日：2019-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括第一杂质区、沟道图案、第二杂质区、栅极结构、第一接触图案、第二接触图案和间隔件。第一杂质区可形成在基底上。沟道图案可从基底的上表面突出。第二杂质区可形成在沟道图案上。栅极结构可形成在沟道图案的侧壁以及与沟道图案相邻的基底上，并且栅极结构可包括栅极绝缘图案和栅电极。第一接触图案可与第二杂质区的上表面接触。第二接触图案可与栅电极的表面接触。间隔件可形成在第一接触图案与第二接触图案之间。间隔件可围绕第二接触图案的侧壁的一部分，并且间隔件可与第一接触图案和第二接触图案中的每个接触图案的侧壁接触。
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公开(公告)号：CN101576754B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200810096794.0
申请日：2008-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明提供了一种电荷泵电路及相关方法。该电荷泵电路包括第一、第二和第三电压产生单元、第一和第二控制单元、以及闩锁防止单元。该第一产生单元对第一输出信号进行稳压，第二产生单元对第二输出信号进行升压，以及第三产生单元响应于第一和第二输出信号而对第三输出信号进行升压。第一控制单元连接在第一产生单元与第三产生单元之间，第二控制单元连接在第二产生单元与第三产生单元之间。第一和第二控制单元在第二输出信号的升压时间期间阻断第一和第二产生单元的各个输出。在第三输出信号维持在第三电压之前，该闩锁防止单元防止由寄生晶体管引起的闩锁操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120035211A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411189852.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83
Abstract: 一种半导体装置包括：第一下图案，沿第一方向延伸并包括沿第二方向相对的第一和第二侧壁及沿第三方向相对的上表面和下表面；沟道分离结构，沿第一方向延伸并接触第一下图案的第一侧壁；场绝缘膜，接触第一下图案的第二侧壁；第一沟道图案，在第一下图案的上表面上并包括沿第三方向彼此间隔开且接触沟道分离结构的第一片状图案；第一源极/漏极图案，接触第一沟道图案和沟道分离结构；接触阻挡图案，在第一源极/漏极图案上且由绝缘材料形成并具有与沟道分离结构的上表面处于同一平面的上表面；第一背侧源极/漏极接触件，在第一下图案内并连接到第一源极/漏极图案；以及背侧布线，在第一下图案的下表面上并连接到第一背侧源极/漏极接触件。
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公开(公告)号：CN119653854A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411220743.X
申请日：2024-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；下沟道层，在垂直于衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开，并且沿第一方向延伸；上沟道层，分别在下沟道层上，并且在竖直方向上彼此间隔开；中间介电隔离结构，在下沟道层之中的最上面的下沟道层与上沟道层之中的最下面的上沟道层之间；下栅极结构，在下沟道层上；上栅极结构，在上沟道层上且在下栅极结构上，并且沿垂直于第一方向的第二方向延伸；栅极隔离绝缘层，在下栅极结构与上栅极结构之间，与中间介电隔离结构的侧表面接触，并且围绕下栅极结构延伸。
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公开(公告)号：CN119230595A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410486931.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一沟道分离结构和第二沟道分离结构，沿第一方向延伸，并且在第二方向彼此间隔开；第一栅极结构，在第一沟道分离结构与第二沟道分离结构之间在第一方向上彼此间隔开，与第一沟道分离结构和第二沟道分离结构接触；第一沟道图案和第二沟道图案，分别包括第一片状图案和第二片状图案，第一和第二片状图案在第三方向上彼此间隔开，与对应的第一和第二沟道分离结构接触；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在第一沟道分离结构与第二沟道分离结构之间，第一源/漏图案与第一沟道图案和第一沟道分离结构接触，第二源/漏图案与第二沟道图案和第二沟道分离结构接触；第一栅极分离结构，在第一源/漏图案与第二源/漏图案之间。
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公开(公告)号：CN118412374A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410111703.5
申请日：2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/41 , H01L29/06 , H01L23/52 , H01L23/535 , H01L27/085
Abstract: 提供了一种集成电路装置。装置包括：下源极/漏极区域；下接触件，其分别在下源极/漏极区域的底表面上；上源极/漏极区域，其在竖直方向上与下源极/漏极区域间隔开；上接触件，其分别在上源极/漏极区域的上表面上；以及第一竖直导电轨，其电连接至下接触件和上接触件的第一接触件；第一竖直导电轨，其在竖直方向上延伸，并且包括在第一竖直水平处具有第一上表面的第一部分和在低于第一竖直水平的第二竖直水平处具有第二上表面的第二部分。第二部分在竖直方向上与上接触件中的第一上接触件重叠。
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公开(公告)号：CN117769632A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280053567.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 加湿装置可以包括：水槽，设置为装水；加热装置，加热装在水槽中的水；排出腔室，布置在水槽的上方，包括排出因加热而在水槽中产生的水蒸气的排出口；引导腔室，位于水槽与排出腔室之间，设置为将在水槽中产生的水蒸气引导到排出腔室；以及挡板，位于引导腔室内部的中心部，与引导腔室的内侧壁隔开而在挡板与内侧壁之间形成间隙，阻碍由引导腔室引导的水蒸气的流动，并使水蒸气通过间隙流动而被引导腔室引导到排出腔室。
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