公开(公告)号：CN109003975B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201810467183.6

申请日：2018-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  姜沅衡 ,  金孝珍 ,  閔崇富

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，彼此间隔开并在第一鳍型图案及第二鳍型图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及共享外延图案，在第一栅极结构与第二栅极结构之间连接第一鳍型图案与第二鳍型图案，其中所述共享外延图案的上表面包括：第一共享斜坡及第二共享斜坡，连接第一栅极结构与第二栅极结构；第三共享斜坡，接触第一栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡；以及第四共享斜坡，接触第二栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡。

公开(公告)号：CN109003975A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810467183.6

申请日：2018-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  姜沅衡 ,  金孝珍 ,  閔崇富

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，彼此间隔开并在第一鳍型图案及第二鳍型图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及共享外延图案，在第一栅极结构与第二栅极结构之间连接第一鳍型图案与第二鳍型图案，其中所述共享外延图案的上表面包括：第一共享斜坡及第二共享斜坡，连接第一栅极结构与第二栅极结构；第三共享斜坡，接触第一栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡；以及第四共享斜坡，接触第二栅极结构并连接第一共享斜坡与第二共享斜坡。