公开(公告)号：CN110875225A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN106997902A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201610809531.4

申请日：2016-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：鳍型图案，从基板突出并包括彼此相反的第一侧表面和第二侧表面；第一沟槽，与第一侧表面接触；第二沟槽，与第二侧表面接触；第一衬层，共形地形成在第一沟槽的侧表面和底表面上；第一场绝缘膜，设置在第一衬层上并部分地填充第一沟槽；第二衬层，共形地形成在第二沟槽的侧表面上并暴露第二沟槽的底表面；以及第二场绝缘膜，设置在第二衬层上并部分地填充第二沟槽。

公开(公告)号：CN101494161B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810171011.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金明哲 ,  车知勋 ,  田炅烨 ,  尹东基

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。

公开(公告)号：CN101494161A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810171011.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金明哲 ,  车知勋 ,  田炅烨 ,  尹东基

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。

公开(公告)号：CN101236931A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008637.X

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈雨宽 ,  李梦燮 ,  车知勋 ,  洪昌基 ,  李根泽

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 提出了非易失性存储装置的制造方法，包括在具有沟道区的衬底上顺序地形成隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡层和导电层。对导电层进行构图以形成字线结构，以及使用酸的水溶液作为刻蚀溶液对阻挡层和电荷俘获层进行刻蚀，以形成阻挡层图案和电荷俘获层图案。

公开(公告)号：CN110875225B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN111834249A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN111190331A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910722297.5

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  李根泽 ,  赵庸真 ,  高次元 ,  朴晟见 ,  李晓山 ,  车知勋 ,  崔秀瑛

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 公开了基底干燥方法、光致抗蚀剂显影方法、光刻方法和基底干燥系统。可提供基底干燥方法，该基底干燥方法包括在基底上提供干燥液体、增大干燥液体的压力以产生超临界流体和去除超临界流体以干燥基底。

公开(公告)号：CN102117698B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN111834249B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。