公开(公告)号：CN101236931A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008637.X

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈雨宽 ,  李梦燮 ,  车知勋 ,  洪昌基 ,  李根泽

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 提出了非易失性存储装置的制造方法，包括在具有沟道区的衬底上顺序地形成隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡层和导电层。对导电层进行构图以形成字线结构，以及使用酸的水溶液作为刻蚀溶液对阻挡层和电荷俘获层进行刻蚀，以形成阻挡层图案和电荷俘获层图案。

公开(公告)号：CN110828419B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201910387172.1

申请日：2019-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东阁 ,  孙渊豪 ,  李梦燮 ,  李昱烈

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路(IC)器件。IC器件包括衬底，衬底包括有源区。IC器件包括衬底上的位线。IC器件包括连接在有源区与位线之间的直接接触部。IC器件包括衬底上的接触插塞。此外，IC器件包括在接触插塞和直接接触部之间的含硼绝缘图案。

公开(公告)号：CN110828419A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910387172.1

申请日：2019-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东阁 ,  孙渊豪 ,  李梦燮 ,  李昱烈

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路(IC)器件。IC器件包括衬底，衬底包括有源区。IC器件包括衬底上的位线。IC器件包括连接在有源区与位线之间的直接接触部。IC器件包括衬底上的接触插塞。此外，IC器件包括在接触插塞和直接接触部之间的含硼绝缘图案。