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公开(公告)号：CN114335036A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110798120.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，其可以包括：半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。
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公开(公告)号：CN107968119B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710217824.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
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公开(公告)号：CN102384620B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201110259925.4
申请日：2011-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F25D11/00
CPC classification number: F25D11/006 , F25D25/02
Abstract: 本发明提供一种冰箱，该冰箱具有冰蓄冷装置。该冰箱包括：箱体；储藏室，限定在箱体中；冰蓄冷装置，放置在储藏室中。该冰蓄冷装置包括：盒，包括至少一个传热板；冰蓄冷包，容纳在所述盒中，且被布置为与所述至少一个传热板接触。
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公开(公告)号：CN102384620A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110259925.4
申请日：2011-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F25D11/00
CPC classification number: F25D11/006 , F25D25/02
Abstract: 本发明提供一种冰箱，该冰箱具有冰蓄冷装置。该冰箱包括：箱体；储藏室，限定在箱体中；冰蓄冷装置，放置在储藏室中。该冰蓄冷装置包括：盒，包括至少一个传热板；冰蓄冷包，容纳在所述盒中，且被布置为与所述至少一个传热板接触。
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公开(公告)号：CN116404016A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310007855.6
申请日：2023-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括像素划分结构、感光元件、滤色器阵列层和微透镜。像素划分结构在垂直方向上延伸穿过基板，并限定单位像素区。感光元件在每个单位像素区中。包括滤色器的滤色器阵列层在基板上。微透镜在滤色器阵列层上。像素划分结构包括芯和在芯的侧壁上的侧面图案结构。芯包括第一填充图案和在由第一填充图案形成的空间中的第二填充图案，第一填充图案包括以第一浓度掺有杂质的多晶硅。第二填充图案的侧壁被第一填充图案覆盖，第二填充图案包括以不同于第一浓度的第二浓度掺有杂质的多晶硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068680B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710063574.7
申请日：2017-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。
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公开(公告)号：CN102374750A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110228300.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种冰箱和该冰箱的控制方法。在具有用于对肉进行排酸的储存室的冰箱的控制方法中，重复将储存室保持在排酸温度的操作和将储存室冷却到比排酸温度低的冷却温度的操作。这能够通过适于肉的排酸时间和排酸温度对肉进行最佳排酸。
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公开(公告)号：CN116525626A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310058975.9
申请日：2023-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴美善
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括像素划分结构、光感测元件、平坦化层、滤色器阵列层和微透镜。像素划分结构在竖直方向上延伸穿过衬底，并限定形成有单位像素的单位像素区。光感测元件位于每一个单位像素区中。平坦层位于衬底上。包括滤色器的滤色器阵列层位于平坦化层上。微透镜位于滤色器阵列层上。像素划分结构包括在竖直方向上延伸的核心和在核心的侧壁上的横向图案结构。横向图案结构包括在核心的下部的侧壁上的第一横向图案、在第一横向图案上的空气间隔件、以及在第一横向图案和空气间隔件的外侧壁上的第二横向图案。
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公开(公告)号：CN115132766A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210116471.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括：半导体衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素隔离结构，其设置在从半导体衬底的第一表面垂直地延伸并限定多个像素区的第一沟槽中；以及第二像素隔离结构，其设置在从半导体衬底的第二表面垂直地延伸的第二沟槽中。第二像素隔离结构与第一像素隔离结构重叠。第一像素隔离结构包括：衬里半导体图案，其将间隙区限定在第一沟槽中，衬里半导体图案包括侧壁部分和连接侧壁部分的底部部分；衬里绝缘图案，其设置在衬里半导体图案和半导体衬底之间；以及封盖绝缘图案，其设置在衬里半导体图案的间隙区中。
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公开(公告)号：CN107968119A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710217824.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/42376 , H01L23/5283 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/7831 , H01L29/78696 , H01L29/4232
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
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