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公开(公告)号：CN117896985A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310754537.6
申请日：2023-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述三维半导体存储器装置可以包括基底、包括交替堆叠在基底上的层间绝缘层和栅电极的堆叠件、在每个栅电极的垫部上的虚设垫、在基底和堆叠件之间的源极结构以及穿透堆叠件和源极结构的第一垂直沟道结构。垫部可以包括与虚设垫竖直叠置的第一垫部和与虚设垫水平叠置的第二垫部。第一垫部和第二垫部可以与虚设垫间隔开并且层间绝缘层中的一个层间绝缘层可以置于第一垫部和虚设垫之间。层间绝缘层中的一个层间绝缘层可以经由连接部分从第一部分连续地延伸到第二部分。
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公开(公告)号：CN101487961A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910002122.3
申请日：2009-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/017 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2202/108 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙，因此在所述第一半导体图案中形成量子阱，从而提高其中的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN1956225A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610152496.X
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/15 , H01L27/32 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。
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公开(公告)号：CN101097854B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710129230.8
申请日：2007-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/18 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/56 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , H01L27/1214 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法，包括通过RF溅射在柔性塑料基板上形成阻挡层，在塑料基板上形成非晶硅层，以及使非晶硅层经受快速热处理从而改善非晶硅层的电特性和/或均一性。
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公开(公告)号：CN101221925B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200710306900.9
申请日：2007-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101232041A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810000902.X
申请日：2008-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L21/336 , H01L21/84
Abstract: 显示器件包括：绝缘基板；形成在绝缘基板上的开关TFT，开关TFT接收数据电压并包括第一半导体层；形成在基板上的驱动TFT，驱动TFT包括与开关TFT的输出终端连接的控制终端和含有多晶硅和卤素材料的第二半导体层；绝缘层，形成在开关TFT和驱动TFT上；第一电极，形成在绝缘层上并电连接到驱动TFT的输出终端；有机发光层，形成在第一电极上；和第二电极，形成在有机发光层上。本发明还涉及显示器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN102457754A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110351213.5
申请日：2011-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N13/341 , G09G3/003 , G09G3/342 , G09G3/3648 , G09G2310/024 , H04N13/398 , H04N2213/008
Abstract: 本发明公开了一种显示立体影像的方法及一种显示设备。一种显示立体影像的方法，该方法包括：在第N帧期间向显示面板的第一显示块和第二显示块输出左眼图像。在第N帧的第一时段期间向第一显示块提供光，在第N帧的第二时段期间向第二显示块提供光。在第M帧期间向显示面板的第一显示块和第二显示块输出右眼图像。在第M帧的第一时段期间向第一显示块提供光，在第M帧的第二时段期间向第二显示块提供光。
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公开(公告)号：CN1956225B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610152496.X
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/15 , H01L27/32 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。
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公开(公告)号：CN101221925A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710306900.9
申请日：2007-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。
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公开(公告)号：CN101097854A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710129230.8
申请日：2007-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/18 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/56 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , H01L27/1214 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法，包括通过RF溅射在柔性塑料基板上形成阻挡层，在塑料基板上形成非晶硅层，以及使非晶硅层经受快速热处理从而改善非晶硅层的电特性和/或均一性。
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