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发明公开
三维半导体存储器装置和包括其的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN117896985A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310754537.6

申请日：2023-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昇珉 , 李大永 , 李善伊 , 崔在镐

IPC: H10B43/27 , H10B43/35 , H10B43/50 , H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/50

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述三维半导体存储器装置可以包括基底、包括交替堆叠在基底上的层间绝缘层和栅电极的堆叠件、在每个栅电极的垫部上的虚设垫、在基底和堆叠件之间的源极结构以及穿透堆叠件和源极结构的第一垂直沟道结构。垫部可以包括与虚设垫竖直叠置的第一垫部和与虚设垫水平叠置的第二垫部。第一垫部和第二垫部可以与虚设垫间隔开并且层间绝缘层中的一个层间绝缘层可以置于第一垫部和虚设垫之间。层间绝缘层中的一个层间绝缘层可以经由连接部分从第一部分连续地延伸到第二部分。

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