公开(公告)号：CN101562189A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200810189700.4

申请日：2008-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  尹在亨 ,  姜秀馨

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136209 ,  H01L27/1248

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；在基板上沿第一方向延伸的栅极线；设置在基板上的数据线，数据线与栅极线相交且该数据线与栅极线之间具有绝缘层，并且数据线在第二方向上延伸；包括连接到栅极线的控制端子、连接到数据线的输入端子、以及输出端子的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的彩色滤光片，彩色滤光片具有对应于薄膜晶体管的输出端子的开口；设置在彩色滤光片的开口中的光线阻挡件，光线阻挡件露出薄膜晶体管的输出端子的第一端部的第一区域，并且具有包围第一区域的圆周的输出端子光线阻挡部分；以及设置在光线阻挡件以及彩色滤光片上的像素电极，像素电极接触输出端子的第一区域。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。

公开(公告)号：CN102191467A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110034991.1

申请日：2011-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柄范 ,  朴帝亨 ,  尹在亨 ,  宋溱镐 ,  金钟仁

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/18 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法。一种根据本发明示例性实施例的形成薄膜的方法包括以范围在大约1.5W/cm2至大约3W/cm2的功率密度以及以范围在大约0.2Pa至大约0.3Pa的惰性气体的压力形成薄膜。即使当该阻挡层比许多传统的阻挡层薄时，该工艺也获得了防止不期望的来自相邻层的扩散的非晶金属薄膜阻挡层。

公开(公告)号：CN102104049A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010570119.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔新逸 ,  洪瑄英 ,  金时烈 ,  李基晔 ,  尹在亨 ,  金成烈 ,  徐五成 ,  裴良浩 ,  郑钟铉 ,  杨东周 ,  金俸均 ,  吴和烈 ,  洪泌荀 ,  金柄范 ,  朴帝亨 ,  丁有光 ,  金钟仁 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。