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公开(公告)号：CN110600471B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN201910249427.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H01L21/764 , H10D84/03
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括从衬底突出的沟道区。半导体器件包括沟道区上的栅极线。此外，半导体器件包括位于栅极线的第一部分和栅极线的第二部分之间的栅极隔离层。栅极隔离层与栅极线接触并且包括在栅极隔离层中的间隙。还提供了制造半导体器件的相关方法。
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公开(公告)号：CN106601666B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201610893808.6
申请日：2016-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。
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公开(公告)号：CN108091653A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711171980.1
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/1108 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/785 , H01L27/092 , H01L21/823878
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN106601666A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610893808.6
申请日：2016-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/76807 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L2029/7858 , H01L21/823475
Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。
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公开(公告)号：CN110752212B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910374990.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H10B10/00
Abstract: 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110310986B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910231444.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。
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公开(公告)号：CN106960870B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201710017972.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。
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公开(公告)号：CN110600471A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910249427.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括从衬底突出的沟道区。半导体器件包括沟道区上的栅极线。此外，半导体器件包括位于栅极线的第一部分和栅极线的第二部分之间的栅极隔离层。栅极隔离层与栅极线接触并且包括在栅极隔离层中的间隙。还提供了制造半导体器件的相关方法。
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公开(公告)号：CN106960870A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710017972.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823468 , H01L21/84 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/4966 , H01L29/4991 , H01L29/517 , H01L29/66439 , H01L29/7853 , H01L29/0642 , H01L29/423 , H01L29/42316
Abstract: 提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。
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公开(公告)号：CN110416304B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910052730.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍式图案，在基底上沿第一方向延伸；场绝缘层，位于基底上，场绝缘层包围鳍式图案的侧壁；栅电极，位于鳍式图案上，栅电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一分隔件，位于栅电极的下部的侧壁上；以及蚀刻停止层，沿栅电极的上部的侧壁和上表面延伸，沿第一分隔件的侧壁延伸，并且沿场绝缘层的上表面延伸。
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