公开(公告)号：CN108807345B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L49/02

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。

公开(公告)号：CN118484911A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410039911.9

申请日：2024-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安在湜 ,  吴东益 ,  阮成纲 ,  林宣泽 ,  李昇玟 ,  张印国 ,  全柱炫

IPC: G06F30/20 ,  C23C14/34 ,  C23C16/50 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  G16C20/10

Abstract: 提供等离子体工艺模拟方法以及包括其的半导体器件制造方法，所述等离子体工艺模拟方法包括：定义晶片的等离子体反应，计算等离子体反应的反应参数，以及基于计算的反应参数生成等离子体工艺模拟曲线图。反应参数基于物理反应和化学反应来设置。

公开(公告)号：CN113964269A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111189869.1

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L49/02

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN115688503A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210910287.6

申请日：2022-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承贤 ,  全柱炫 ,  朴载星 ,  金性珍 ,  洪成德

IPC: G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F119/08

Abstract: 提供了一种模拟系统。该模拟系统包括处理器，以及存储模拟程序的存储装置，该模拟程序在由处理器执行时使处理器使用有限差分法(FDM)来计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，基于计算的热能数据使用有限元法(FEM)计算模拟域随时间的温度改变数据和计算模拟域随时间的相改变数据，并使用计算的温度改变数据和计算的相改变数据来计算模拟域的硅损失。

公开(公告)号：CN107104075A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710099074.9

申请日：2017-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李盛三 ,  金俊秀 ,  安孝信 ,  山田悟 ,  全柱炫 ,  郑文泳 ,  郑天炯 ,  赵珉熙 ,  蔡教锡 ,  崔恩爱

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L28/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/13 ,  H01L29/772

Abstract: 一种半导体器件包括：包含沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或者关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。

公开(公告)号：CN117320447A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310653535.8

申请日：2023-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知善 ,  金俊秀 ,  文大炫 ,  李南显 ,  李善行 ,  张成豪 ,  全柱炫 ,  韩俊

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括第一有源图案，第一有源图案在存储器单元区域中包括在基底的上部中，并且具有孤立形状，第一有源图案延伸使得与第一方向倾斜的方向是第一有源图案的长轴方向。第一器件隔离图案设置在包括在基底中的第一沟槽内，并覆盖第一有源图案的侧壁。第一栅极结构在第一有源图案和第一器件隔离图案的上部上设置在沿第一方向延伸的栅极沟槽内部。阻挡杂质区域选择性地形成在仅第一有源图案的长轴的两个侧壁的表面上。第一杂质区域和第二杂质区域设置在第一有源图案的与第一栅极结构的两侧相邻的上部上。

公开(公告)号：CN115130418A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210146758.0

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相运 ,  全柱炫 ,  金性珍 ,  金承贤 ,  卢元基 ,  朴彻佑 ,  卞诚载 ,  安泰玧 ,  郑孝恩

IPC: G06F30/39 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法。所述对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法包括：获得粒子信息和晶体信息；基于粒子信息和晶体信息，估计入射粒子的能量损失；基于能量损失，估计空位的体积；基于晶体信息和空位的体积，估计空位反应；以及基于空位反应生成输出数据，输出数据包括所述损伤的量化数据。

公开(公告)号：CN108807345A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L23/64 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L28/91 ,  H01L28/40 ,  H01G4/10

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。