公开(公告)号：CN117320447A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310653535.8

申请日：2023-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知善 ,  金俊秀 ,  文大炫 ,  李南显 ,  李善行 ,  张成豪 ,  全柱炫 ,  韩俊

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括第一有源图案，第一有源图案在存储器单元区域中包括在基底的上部中，并且具有孤立形状，第一有源图案延伸使得与第一方向倾斜的方向是第一有源图案的长轴方向。第一器件隔离图案设置在包括在基底中的第一沟槽内，并覆盖第一有源图案的侧壁。第一栅极结构在第一有源图案和第一器件隔离图案的上部上设置在沿第一方向延伸的栅极沟槽内部。阻挡杂质区域选择性地形成在仅第一有源图案的长轴的两个侧壁的表面上。第一杂质区域和第二杂质区域设置在第一有源图案的与第一栅极结构的两侧相邻的上部上。

公开(公告)号：CN116896880A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310354489.1

申请日：2023-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善行 ,  裵相友 ,  李南显

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍图案，从基底的顶表面突出并沿第一方向延伸；第一有源层和第二有源层，在第一鳍图案上沿第一方向延伸，第二有源层设置在比第一有源层的水平高的水平处；第一栅极和第二栅极，与第一有源层和第二有源层相交，围绕第一有源层和第二有源层中的每个的上表面、下表面和相对的侧表面，并沿第二方向平行地延伸；第一接触插塞至第三接触插塞，位于由第一有源层和第二有源层形成的第一有源层结构上。第一有源层包括从第一有源层的与第一栅极叠置的区域沿远离第二栅极的方向延伸第一长度的区域，第二有源层包括从第二有源层的与第一栅极叠置的区域沿远离第二栅极的方向延伸比第一长度短的第二长度的区域。