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公开(公告)号：CN118211009A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311639708.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种计算设备，包括计算部分，该计算部分将具有数值解应用部分、连接部分和分析解应用部分的样本划分为多个单元，并且基于与单元相关联的物理属性值来计算每个单元的电磁场。计算部分通过使用麦克斯韦方程组的数值计算来计算数值解应用部分和连接部分的电磁场，将计算出的连接部分的电磁场傅里叶变换为由波数矢量表示的平面波，将变换后的平面波设置为初始值，并且通过亥姆霍兹方程的分析解来计算当平面波在传播方向上在分析解应用部分中传播时的波数空间电磁场，并且通过对波数空间电磁场进行逆傅里叶变换来计算分析解应用部分的电磁场。
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公开(公告)号：CN105489715A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510612160.6
申请日：2015-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/005 , H01L2933/0008 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。
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公开(公告)号：CN105006502A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510202504.6
申请日：2015-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C16/34 , C23C16/4404 , H01L21/02107 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02496 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01J37/3288
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和维护沉积设备的方法。制造半导体器件的方法包括：通过将铝(Al)源供应至处理室，在处理室的表面上形成铝化合物膜，所述表面接触处理室中的铝源；在形成铝化合物膜之后，将晶圆布置在设置在处理室中的承受器上；以及在晶圆上形成用于半导体器件的薄膜。
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公开(公告)号：CN115688503A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210910287.6
申请日：2022-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/08
Abstract: 提供了一种模拟系统。该模拟系统包括处理器，以及存储模拟程序的存储装置，该模拟程序在由处理器执行时使处理器使用有限差分法(FDM)来计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，基于计算的热能数据使用有限元法(FEM)计算模拟域随时间的温度改变数据和计算模拟域随时间的相改变数据，并使用计算的温度改变数据和计算的相改变数据来计算模拟域的硅损失。
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公开(公告)号：CN100536024C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610007698.5
申请日：2006-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种包括铁电层的数据记录介质以及制造该数据记录介质的方法。在所述数据记录介质中，阻挡层、导电层和种子层依次堆叠在基板上。数据记录层在种子层上形成并具有竖直的剩余极化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119521656A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410729145.9
申请日：2024-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：位线，其在衬底上；突出绝缘图案，其在位线上并在沟道沟槽中；第一沟道图案和第二沟道图案，其沿着沟道沟槽的侧壁延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；沟道界面层，其沿着沟道沟槽的侧壁延伸，并且与第一沟道图案和第二沟道图案接触；第一字线，其在第一沟道图案和第二沟道图案之间；第二字线，其在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在第一方向上与第一字线间隔开；以及第一电容器和第二电容器，其分别电连接到第一沟道图案和第二沟道图案。
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公开(公告)号：CN118475114A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311566855.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件，可以包括：衬底；下导线，在衬底上；隔离绝缘层，在下导线上，并且包括沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽内，并且包括第一氧化物半导体材料；界面导电图案，在沟道结构的下表面与下导线之间；栅介电层，覆盖沟道沟槽内的沟道结构；上导线，在沟道沟槽内的栅介电层上；导电接触图案，在沟道结构上；界面氧化物半导体图案，在沟道结构与导电接触图案之间，并且包括第二氧化物半导体材料；以及电容器结构，包括与导电接触图案连接的下电极。
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公开(公告)号：CN115130418A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210146758.0
申请日：2022-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法。所述对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法包括：获得粒子信息和晶体信息；基于粒子信息和晶体信息，估计入射粒子的能量损失；基于能量损失，估计空位的体积；基于晶体信息和空位的体积，估计空位反应；以及基于空位反应生成输出数据，输出数据包括所述损伤的量化数据。
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公开(公告)号：CN105489715B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510612160.6
申请日：2015-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。
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公开(公告)号：CN103887383A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310713410.6
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/20 , H01L2933/0091 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。制造半导体发光器件的方法包括：在衬底上形成多个凹部；将二氧化硅粒子注入多个凹部；以及在衬底上形成半导体层，半导体层包括在半导体层的位于多个凹部的上方的部分中形成的空隙。
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