公开(公告)号：CN109884342A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201811311158.5

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴德满 ,  柳成润 ,  孙荣薰 ,  全忠森 ,  池仑庭

IPC: G01Q30/00

Abstract: 提供一种扫描探针检查器，所述扫描探针检查器包括：探针，包括悬臂和尖部，尖部的长度对应于在晶圆中形成的沟槽的深度；沟槽检测器，使用探针获取沟槽的位置信息，其中，位置信息包括沟槽的深度信息；控制器，基于沟槽的位置信息将尖部插入存在沟槽的第一点中，并使用沟槽的位置信息使尖部移动穿过沟槽；以及缺陷检测器，当尖部移动穿过沟槽时，检测沟槽的侧壁中的缺陷的存在。

公开(公告)号：CN1239321A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98126555.3

申请日：1998-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  金定坤 ,  崔相奉

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R31/307 ,  H01J37/28

Abstract: 本发明提供用于半导体器件的接触故障检测系统和方法及制造半导体器件的方法。通过将使用扫描电子显微镜检测的电子信号数字化，可以检测接触，以识别例如未开口接触孔的故障。接触故障检测是通过将从包括至少一个接触孔的单元区域检测的电子信号值与表示对应于正常接触的电子信号的值相比较进行的。

公开(公告)号：CN109671636A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811100269.1

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成实 ,  柳成润 ,  孙荣薰 ,  全忠森

IPC: H01L21/66

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片来生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。

公开(公告)号：CN109884342B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201811311158.5

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴德满 ,  柳成润 ,  孙荣薰 ,  全忠森 ,  池仑庭

IPC: G01Q30/00

Abstract: 提供一种扫描探针检查器，所述扫描探针检查器包括：探针，包括悬臂和尖部，尖部的长度对应于在晶圆中形成的沟槽的深度；沟槽检测器，使用探针获取沟槽的位置信息，其中，位置信息包括沟槽的深度信息；控制器，基于沟槽的位置信息将尖部插入存在沟槽的第一点中，并使用沟槽的位置信息使尖部移动穿过沟槽；以及缺陷检测器，当尖部移动穿过沟槽时，检测沟槽的侧壁中的缺陷的存在。

公开(公告)号：CN107782742B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201710606610.X

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成润 ,  全忠森 ,  梁裕信 ,  池仑庭 ,  宋吉宇

IPC: G01N21/95

Abstract: 提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括：制备基板；通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率；朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像；基于第一特定波长图像，产生第一光谱数据；基于第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。

公开(公告)号：CN113567774A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110450857.3

申请日：2021-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受营 ,  金钟敏 ,  朴日锡 ,  申光一 ,  全忠森

IPC: G01R31/00

Abstract: 公开了用于检查半导体器件的检查装置和方法。检查装置包括：载物台，其上布置有半导体器件；第一光源，其将高频光照射到半导体器件的检查区域上，以减小半导体器件中的PN结的势垒；束扫描器，被布置在半导体器件上方，并且将带电粒子束照射到半导体器件的检查区域上以产生二次电子；以及，缺陷检测器，其产生与检查区域相对应的检测图像，并且基于参考图像和多个检测图像之间的电压对比，从多个检测图像中检测缺陷图像，缺陷图像指示半导体器件的缺陷。

公开(公告)号：CN109765189A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201810982065.9

申请日：2018-08-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 柳成润 ,  梁裕信 ,  全忠森 ,  金正元 ,  郭炫秀

IPC: G01N21/27 ,  G01N21/55 ,  G01N21/95

Abstract: 提供了检查样品中的多层结构而不破坏样品的多层结构检测装置和方法，多层结构检查装置配置为测量反射率和色散两者而不破坏样品，其中，反射率和色散是对于多层结构的重复模式的改变灵敏地改变的变量，通过测量其值，以高精确度来检查处理之前与处理之后样品的结构改变。

公开(公告)号：CN107782742A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710606610.X

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成润 ,  全忠森 ,  梁裕信 ,  池仑庭 ,  宋吉宇

IPC: G01N21/95

CPC classification number: H01L22/12 ,  G06K9/00013 ,  G06K9/00624 ,  G06K9/2018 ,  G06K9/4604 ,  H01L21/77 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L22/34 ,  G01N21/9501

Abstract: 提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括：制备基板；通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率；朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像；基于第一特定波长图像，产生第一光谱数据；基于第一特定波长图像，产生各个像素的第一光谱数据；以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱；以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。

公开(公告)号：CN1213469C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN98126555.3

申请日：1998-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  金定坤 ,  崔相奉

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28 ,  G01R31/307

CPC classification number: G01R31/307 ,  H01J37/28

Abstract: 本发明提供用于半导体器件的接触故障检测系统和方法及制造半导体器件的方法。通过将使用扫描电子显微镜检测的电子信号数字化，可以检测接触，以识别例如未开口接触孔的故障。接触故障检测是通过将从包括至少一个接触孔的单元区域检测的电子信号值与表示对应于正常接触的电子信号的值相比较进行的。

公开(公告)号：CN1645549A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510004015.6

申请日：2005-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹英智 ,  全忠森 ,  全相文

IPC: H01J37/26 ,  H01L21/66 ,  G01R31/307

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G01R31/307 ,  H01J1/3042 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/0635 ,  H01J2237/2594

Abstract: 电子束发生器具有宽区域与定向射束生成能力。发生器包括以相互间隔和对置的关系设置的阳极电极和阴极电极。提供簇形碳纳米管阵列以支持宽区域与定向射束生成。簇形纳米管阵列在阳极电极和阴极电极之间伸展。纳米管阵列在其上也有在与阴极电极的主平面对置处伸展的宽区域发射面。簇形纳米管阵列被配置成其中的纳米管为电子从阴极电极通过发射面流向阳极电极提供导电通道。