公开(公告)号：US08456889B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US12929519

申请日：2011-01-31

申请人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

发明人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L29/685 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/53

摘要： Semiconductor devices including variable resistance materials and methods of operating the semiconductor devices. The semiconductor devices use variable resistance materials with resistances that vary according to applied voltages as channel layers.

摘要翻译： 包括可变电阻材料的半导体器件和操作半导体器件的方法。 半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。

公开(公告)号：US20130026558A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13451688

申请日：2012-04-20

申请人： Sang-hun Jeon ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim

发明人： Sang-hun Jeon ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： The semiconductor device includes an insulating substrate, a channel layer over the insulating substrate, a gate at least partially extending from an upper surface of the channel layer into the channel layer, a source and a drain respectively at opposing sides of the gate on the channel layer, a gate insulating layer surrounding, the gate and electrically insulating the gate from the channel layer, the source, and the drain, and a variable resistance material layer between the insulating substrate and the gate.

摘要翻译： 半导体器件包括绝缘衬底，绝缘衬底上的沟道层，至少部分地从沟道层的上表面延伸到沟道层中的栅极，分别在沟道上的栅极的相对侧处的源极和漏极 所述栅极绝缘层包围所述栅极并使所述栅极与所述沟道层，所述源极和所述漏极电绝缘，以及所述绝缘基板和所述栅极之间的可变电阻材料层。

公开(公告)号：US20110188290A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12929519

申请日：2011-01-31

申请人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

发明人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/12 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L29/685 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/53

摘要： Semiconductor devices including variable resistance materials and methods of operating the semiconductor devices. The semiconductor devices use variable resistance materials with resistances that vary according to applied voltages as channel layers.

摘要翻译： 包括可变电阻材料的半导体器件和操作半导体器件的方法。 半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。

公开(公告)号：US08861253B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13313720

申请日：2011-12-07

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0073

摘要： A method of operating a semiconductor device that includes a variable resistance device, the method including applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value; sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied; determining whether the first current falls within a predetermined range of current; and if the first current does not fall within the first range of current, applying an additional first voltage that is equal to the first voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，所述方法包括向可变电阻器件施加第一电压以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值，该第二电阻值是 不同于第一个电阻值; 感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流; 确定第一电流是否落在预定的电流范围内; 并且如果所述第一电流不在所述第一电流范围内，则向所述可变电阻装置施加等于所述第一电压的附加第一电压。

公开(公告)号：US08611131B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13307672

申请日：2011-11-30

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/36

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device includes applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value, sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied, determining a second voltage used to change the resistance value of the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value based on a distribution of the sensed first current, and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压，以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值 第一电阻值，感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流，基于分布确定用于将可变电阻装置的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压 并且将确定的第二电压施加到可变电阻装置。

公开(公告)号：US08537591B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12926404

申请日：2010-11-16

申请人： Young-bae Kim ,  Chang-bum Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

发明人： Young-bae Kim ,  Chang-bum Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

摘要： Methods of operating semiconductor devices that include variable resistance devices, the methods including writing first data to a semiconductor device by applying a reset pulse voltage to the variable resistance device so that the variable resistance device is switched from a first resistance state to a second resistance state, and writing second data to the semiconductor device by applying a set pulse voltage to the variable resistance device so that the variable resistance device is switched from the second resistance state to the first resistance state to the second resistance state. The reset pulse voltage is higher than the set pulse voltage, and a resistance in the second resistance state is greater than in the first resistance state.

摘要翻译： 操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，所述方法包括通过向可变电阻器件施加复位脉冲电压将第一数据写入半导体器件，使得可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态 并且通过向可变电阻器件施加设置的脉冲电压将第二数据写入半导体器件，使得可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态到第二电阻状态。 复位脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态下的电阻大于第一电阻状态。

公开(公告)号：US08227872B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12591917

申请日：2009-12-04

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。

公开(公告)号：US08445882B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13114497

申请日：2011-05-24

申请人： Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Ji-hyun Hur

发明人： Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Ji-hyun Hur

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146

摘要： Example embodiments, relate to a non-volatile memory element and a memory device including the same. The non-volatile memory element may include a memory layer having a multi-layered structure between two electrodes. The memory layer may include first and second material layers and may show a resistance change characteristic due to movement of ionic species therebetween. The first material layer may be an oxygen-supplying layer. The second material layer may be an oxide layer having a multi-trap level.

摘要翻译： 示例性实施例涉及非易失性存储器元件和包括其的存储器件。 非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。 存储层可以包括第一和第二材料层，并且可以显示出由于其间的离子物质的移动而导致的电阻变化特性。 第一材料层可以是供氧层。 第二材料层可以是具有多阱水平的氧化物层。

公开(公告)号：US20130051164A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13523429

申请日：2012-06-14

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069

摘要： A method of driving a nonvolatile memory device including applying a reset voltage to a unit memory cell, reading a reset current of the unit memory cell, confirming whether the reset current is within a first current range, if the reset current is not within the first current range, changing the reset voltage and applying a changed reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell, if the reset current is within the first current range, confirming whether a difference between the present reset current and an immediately previous set current is within a second current range, and, if the difference is not within the second current range, applying the reset voltage or applying again the reset voltage to the unit memory cell after applying a set voltage to the unit memory cell.

摘要翻译： 一种驱动非易失性存储器件的方法，包括：将复位电压施加到单元存储单元，读取单元存储单元的复位电流，确认复位电流是否在第一电流范围内，如果复位电流不在第一电流范围内 电流范围，如果复位电流在第一电流范围内，则改变复位电压并施加改变的复位电压或再次将施加设定电压的复位电压施加到单元存储单元， 在当前复位电流和紧接在前的设定电流之间的电流在第二电流范围内，并且如果该差值不在第二电流范围内，则在应用组合之后施加复位电压或再次施加复位电压到单元存储单元 电压到单元存储单元。

公开(公告)号：US20100308297A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12591917

申请日：2009-12-04

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L45/00 ,  H01L21/34 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。