公开(公告)号：US20050048727A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10654631

申请日：2003-09-03

申请人： Witold Maszara ,  Jung-Suk Goo ,  James Pan ,  Qi Xiang

发明人： Witold Maszara ,  Jung-Suk Goo ,  James Pan ,  Qi Xiang

IPC分类号： A61F5/37 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/785 ,  A61F5/3776 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687 ,  Y10S438/933

摘要： A method of forming a finFET transistor using a sidewall epitaxial layer includes forming a silicon germanium (SiGe) layer above an oxide layer above a substrate, forming a cap layer above the SiGe layer, removing portions of the SiGe layer and the cap layer to form a feature, forming sidewalls along lateral walls of the feature, and removing the feature.

摘要翻译： 使用侧壁外延层形成finFET晶体管的方法包括在衬底上方的氧化层上形成硅锗（SiGe）层，在SiGe层上方形成覆盖层，去除SiGe层和覆盖层的部分以形成 特征，沿着所述特征的侧壁形成侧壁，以及去除所述特征。

公开(公告)号：US20050048743A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10654497

申请日：2003-09-03

申请人： Ihsan Djomehri ,  Jung-Suk Goo ,  Srinath Krishnan ,  Witold Maszara ,  James Pan ,  Qi Xiang

发明人： Ihsan Djomehri ,  Jung-Suk Goo ,  Srinath Krishnan ,  Witold Maszara ,  James Pan ,  Qi Xiang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78

摘要： A method of forming a channel region for a transistor includes forming a layer of silicon germanium (SiGe) above a substrate, forming an oxide layer above the SiGe layer wherein the oxide layer includes an aperture in a channel area and the aperture is filled with a SiGe feature, depositing a layer having a first thickness above the oxide layer and the SiGe feature, and forming source and drain regions in the layer.

摘要翻译： 形成用于晶体管的沟道区的方法包括在衬底上形成硅锗层（SiGe），在SiGe层上形成氧化物层，其中氧化物层包括沟道区中的孔，并且孔填充有 SiGe特征，在氧化物层上沉积具有第一厚度的层和SiGe特征，以及在该层中形成源区和漏区。

公开(公告)号：US20050153486A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US10755763

申请日：2004-01-12

申请人： Qi Xiang ,  James Pan ,  Jung-Suk Goo

发明人： Qi Xiang ,  James Pan ,  Jung-Suk Goo

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： An exemplary embodiment relates to a method of FinFET channel structure formation. The method can include providing a compound semiconductor layer above an insulating layer, providing a trench in the compound semiconductor layer, and providing a strained semiconductor layer above the compound semiconductor layer and within the trench. The method can also include removing the strained semiconductor layer from above the compound semiconductor layer, thereby leaving the strained semiconductor layer within the trench and removing the compound semiconductor layer to leave the strained semiconductor layer and form the fin-shaped channel region.

摘要翻译： 示例性实施例涉及FinFET沟道结构形成的方法。 该方法可以包括在绝缘层之上提供化合物半导体层，在化合物半导体层中提供沟槽，并在化合物半导体层之上和沟槽内提供应变半导体层。 该方法还可以包括从化合物半导体层上方去除应变半导体层，从而将应变半导体层留在沟槽内，并去除化合物半导体层以留下应变半导体层并形成鳍状沟道区。

公开(公告)号：US20050151222A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US10755602

申请日：2004-01-12

申请人： Qi Xiang ,  James Pan ,  Jung-Suk Goo

发明人： Qi Xiang ,  James Pan ,  Jung-Suk Goo

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/10 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/76 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78687 ,  Y10S438/933

摘要： A method of manufacturing an integrated circuit (IC) utilizes a shallow trench isolation (STI) technique. The shallow trench isolation technique is used in strained silicon (SMOS) process. The strained material is formed after the trench is formed. The process can be utilized on a compound semiconductor layer above a box layer.

摘要翻译： 集成电路（IC）的制造方法利用浅沟槽隔离（STI）技术。 浅沟槽隔离技术用于应变硅（SMOS）工艺。 在形成沟槽之后形成应变材料。 该方法可以用在盒层上方的化合物半导体层上。

公开(公告)号：US07015078B1

公开(公告)日：2006-03-21

申请号：US10658668

申请日：2003-09-09

申请人： Qi Xiang ,  Jung-Suk Goo ,  James Pan

发明人： Qi Xiang ,  Jung-Suk Goo ,  James Pan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78687

摘要： A silicon on insulator (SOI) substrate includes a layer of silicon carbide beneath an insulating layer on which semiconductor devices are formed. The silicon carbide layer has a high thermal conductivity and provides beneficial dissipation of thermal energy generated by the devices. The SOI substrate may be formed by a bonding method. SOI MOSFET devices using the SOI substrate are also disclosed.

摘要翻译： 绝缘体上硅（SOI）衬底包括在其上形成有半导体器件的绝缘层下方的碳化硅层。 碳化硅层具有高导热性，并提供由器件产生的热能的有益耗散。 SOI衬底可以通过接合方法形成。 还公开了使用SOI衬底的SOI MOSFET器件。

公开(公告)号：US07012007B1

公开(公告)日：2006-03-14

申请号：US10658479

申请日：2003-09-09

申请人： Jung-Suk Goo ,  Qi Xiang ,  James Pan

发明人： Jung-Suk Goo ,  Qi Xiang ,  James Pan

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

摘要： A strained silicon MOSFET employs a high thermal conductivity insulating material in the trench isolations to dissipate thermal energy generated in the MOSFET and to avoid self-heating caused by the poor thermal conductivity of an underlying silicon germanium layer. The high thermal conductivity material is preferably silicon carbide, and the isolations preferably extend through the silicon germanium layer to contact an underlying silicon layer so as to conduct thermal energy from the active region to the silicon layer.

摘要翻译： 应变硅MOSFET在沟槽隔离中采用高导热绝缘材料，以消散MOSFET中产生的热能，并避免由于下层硅锗层导热性差导致的自发热。 高导热性材料优选为碳化硅，并且隔离优选延伸穿过硅锗层以接触下面的硅层，以便将热能从有源区传导到硅层。

公开(公告)号：US20080054316A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11926655

申请日：2007-10-29

申请人： Qi Xiang ,  Niraj Subba ,  Witold Maszara ,  Zoran Krivokapic ,  Ming-Ren Lin

发明人： Qi Xiang ,  Niraj Subba ,  Witold Maszara ,  Zoran Krivokapic ,  Ming-Ren Lin

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78639 ,  H01L29/78684 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor substrate is provided having an insulator thereon with a semiconductor layer on the insulator. A deep trench isolation is formed, introducing strain to the semiconductor layer. A gate dielectric and a gate are formed on the semiconductor layer. A spacer is formed around the gate, and the semiconductor layer and the insulator are removed outside the spacer. Recessed source/drain are formed outside the spacer.

摘要翻译： 提供了一种在绝缘体上具有半导体层的绝缘体的半导体衬底。 形成深沟槽隔离，向半导体层引入应变。 栅极电介质和栅极形成在半导体层上。 在栅极周围形成间隔物，并且将半导体层和绝缘体去除在间隔物的外部。 凹陷的源极/漏极形成在间隔物外部。

公开(公告)号：US20060099752A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US10986399

申请日：2004-11-10

申请人： Qi Xiang ,  Niraj Subba ,  Witold Maszara ,  Zoran Krivokapic ,  Ming-Ren Lin

发明人： Qi Xiang ,  Niraj Subba ,  Witold Maszara ,  Zoran Krivokapic ,  Ming-Ren Lin

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78639 ,  H01L29/78684 ,  Y10S438/938

摘要： A semiconductor substrate is provided having an insulator thereon with a semiconductor layer on the insulator. A deep trench isolation is formed, introducing strain to the semiconductor layer. A gate dielectric and a gate are formed on the semiconductor layer. A spacer is formed around the gate, and the semiconductor layer and the insulator are removed outside the spacer. Recessed source/drain are formed outside the spacer.

摘要翻译： 提供了一种在绝缘体上具有半导体层的绝缘体的半导体衬底。 形成深沟槽隔离，向半导体层引入应变。 栅极电介质和栅极形成在半导体层上。 在栅极周围形成间隔物，并且将半导体层和绝缘体去除在间隔物的外部。 凹陷的源极/漏极形成在间隔物外部。

公开(公告)号：US07923785B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US10643461

申请日：2003-08-18

申请人： Qi Xiang ,  Boon-Yong Ang ,  Jung-Suk Goo

发明人： Qi Xiang ,  Boon-Yong Ang ,  Jung-Suk Goo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L29/02 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7845 ,  Y10S438/938

摘要： According to one exemplary embodiment, a FET which is situated over a substrate, comprises a channel situated in the substrate. The FET further comprises a first gate dielectric situated over the channel, where the first gate dielectric has a first coefficient of thermal expansion. The FET further comprises a first gate electrode situated over the first gate dielectric, where the first gate electrode has a second coefficient of thermal expansion, and where the second coefficient of thermal expansion is different than the first coefficient of thermal expansion so as to cause an increase in carrier mobility in the FET. The second coefficient of thermal expansion may be greater that the first coefficient of thermal expansion, for example. The increase in carrier mobility may be caused by, for example, a tensile strain created in the channel.

摘要翻译： 根据一个示例性实施例，位于衬底上方的FET包括位于衬底中的通道。 FET还包括位于沟道上方的第一栅极电介质，其中第一栅极电介质具有第一热膨胀系数。 FET还包括位于第一栅极电介质上方的第一栅电极，其中第一栅电极具有第二热膨胀系数，并且其中第二热膨胀系数不同于第一热膨胀系数，从而导致 增加FET中的载流子迁移率。 例如，第二热膨胀系数可以大于第一热膨胀系数。 载流子迁移率的增加可以由例如在通道中产生的拉伸应变引起。

公开(公告)号：US07138302B2

公开(公告)日：2006-11-21

申请号：US10755763

申请日：2004-01-12

申请人： Qi Xiang ,  James N. Pan ,  Jung-Suk Goo

发明人： Qi Xiang ,  James N. Pan ,  Jung-Suk Goo

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/84 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： An exemplary embodiment relates to a method of FinFET channel structure formation. The method can include providing a compound semiconductor layer above an insulating layer, providing a trench in the compound semiconductor layer, and providing a strained semiconductor layer above the compound semiconductor layer and within the trench. The method can also include removing the strained semiconductor layer from above the compound semiconductor layer, thereby leaving the strained semiconductor layer within the trench and removing the compound semiconductor layer to leave the strained semiconductor layer and form the fin-shaped channel region.

摘要翻译： 示例性实施例涉及FinFET沟道结构形成的方法。 该方法可以包括在绝缘层之上提供化合物半导体层，在化合物半导体层中提供沟槽，并在化合物半导体层之上和沟槽内提供应变半导体层。 该方法还可以包括从化合物半导体层上方去除应变半导体层，从而将应变半导体层留在沟槽内，并去除化合物半导体层以留下应变半导体层并形成鳍状沟道区。