公开(公告)号：US20090315074A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12143612

申请日：2008-06-20

申请人： Ta-Wei Wang ,  Chih-Sheng Chang

发明人： Ta-Wei Wang ,  Chih-Sheng Chang

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

摘要： A semiconductor device includes a gate stack; an air-gap under the gate stack; a semiconductor layer vertically between the gate stack and the air-gap; and a first dielectric layer underlying and adjoining the semiconductor layer. The first dielectric layer is exposed to the air-gap.

摘要翻译： 半导体器件包括栅极堆叠; 门叠下的气隙; 垂直于栅极堆叠和气隙之间的半导体层; 以及在半导体层下面和毗邻的第一介电层。 第一介电层暴露于气隙。

公开(公告)号：US20120094456A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13336191

申请日：2011-12-23

申请人： Ta-Wei Wang ,  Chih-Sheng Chang

发明人： Ta-Wei Wang ,  Chih-Sheng Chang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

摘要： A semiconductor device includes a gate stack; an air-gap under the gate stack; a semiconductor layer vertically between the gate stack and the air-gap; and a first dielectric layer underlying and adjoining the semiconductor layer. The first dielectric layer is exposed to the air-gap.

摘要翻译： 半导体器件包括栅极堆叠; 门叠下的气隙; 垂直于栅极堆叠和气隙之间的半导体层; 以及在半导体层下面和毗邻的第一介电层。 第一介电层暴露于气隙。

公开(公告)号：US08106468B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12143612

申请日：2008-06-20

申请人： Ta-Wei Wang ,  Chih-Sheng Chang

发明人： Ta-Wei Wang ,  Chih-Sheng Chang

IPC分类号： H01L21/764

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

摘要： A semiconductor device includes a gate stack; an air-gap under the gate stack; a semiconductor layer vertically between the gate stack and the air-gap; and a first dielectric layer underlying and adjoining the semiconductor layer. The first dielectric layer is exposed to the air-gap.

摘要翻译： 半导体器件包括栅极堆叠; 门叠下的气隙; 垂直于栅极堆叠和气隙之间的半导体层; 以及在半导体层下面和毗邻的第一介电层。 第一介电层暴露于气隙。

公开(公告)号：US09070774B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US13336191

申请日：2011-12-23

申请人： Ta-Wei Wang ,  Chih-Sheng Chang

发明人： Ta-Wei Wang ,  Chih-Sheng Chang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

摘要： A semiconductor device includes a gate stack; an air-gap under the gate stack; a semiconductor layer vertically between the gate stack and the air-gap; and a first dielectric layer underlying and adjoining the semiconductor layer. The first dielectric layer is exposed to the air-gap.

摘要翻译： 半导体器件包括栅极堆叠; 门叠下的气隙; 垂直于栅极堆叠和气隙之间的半导体层; 以及在半导体层下面和毗邻的第一介电层。 第一介电层暴露于气隙。

公开(公告)号：US09245805B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US12831903

申请日：2010-07-07

申请人： Chih Chieh Yeh ,  Chih-Sheng Chang ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Chih Chieh Yeh ,  Chih-Sheng Chang ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/8256 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848

摘要： An integrated circuit structure includes an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET. The n-type FinFET includes a first germanium fin over a substrate; a first gate dielectric on a top surface and sidewalls of the first germanium fin; and a first gate electrode on the first gate dielectric. The p-type FinFET includes a second germanium fin over the substrate; a second gate dielectric on a top surface and sidewalls of the second germanium fin; and a second gate electrode on the second gate dielectric. The first gate electrode and the second gate electrode are formed of a same material having a work function close to an intrinsic energy level of germanium.

摘要翻译： 集成电路结构包括n型鳍式场效应晶体管（FinFET）和p型FinFET。 n型FinFET包括在衬底上的第一锗鳍; 顶表面上的第一栅电介质和第一锗鳍的侧壁; 以及在第一栅极电介质上的第一栅电极。 p型FinFET在衬底上包括第二个锗鳍; 在顶表面上的第二栅电介质和第二锗鳍的侧壁; 和在第二栅极电介质上的第二栅电极。 第一栅电极和第二栅极由具有接近锗的固有能级的功函数的相同材料形成。

公开(公告)号：US09035426B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US13339160

申请日：2011-12-28

申请人： Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin ,  Ming-Feng Shieh

发明人： Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin ,  Ming-Feng Shieh

IPC分类号： H01L29/70 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/6625 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/311 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/735

摘要： A bipolar junction transistor (BJT) formed using a fin field-effect transistor (FinFET) complimentary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process flow is provided. The BJT includes an emitter fin, a base fin, and a collector fin formed on a substrate. The base fin encloses the emitter fin and collector fin encloses the emitter fin. In some embodiments, the emitter fin, base fin, and collector fin have a square shape when viewed from above and are concentric with each other.

摘要翻译： 提供了使用鳍状场效应晶体管（FinFET）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺流程形成的双极结型晶体管（BJT）。 BJT包括在基板上形成的发射极翅片，基极翅片和集电极翅片。 发射极散热片和收集器散热片包围发射极翅片。 在一些实施例中，当从上方观察并且彼此同心时，发射器翅片，底部翅片和收集器翅片具有正方形形状。

公开(公告)号：US08896055B2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：US13585436

申请日：2012-08-14

申请人： Chih Chieh Yeh ,  Chih-Sheng Chang ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Chih Chieh Yeh ,  Chih-Sheng Chang ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L2029/7857

摘要： This description relates to a fin field-effect-transistor (FinFET) including a substrate and a fin structure on the substrate. The fin structure includes a channel between a source and a drain, wherein the source, the drain, and the channel have a first type dopant, and the channel comprises at least one of a Ge, SiGe, or III-V semiconductor. The FinFET further includes a gate dielectric layer over the channel and a gate over the gate dielectric layer. The FinFET further includes a nitride spacer on the substrate adjacent the gate and an oxide layer between the nitride spacer and the gate and between the nitride spacer and the substrate.

摘要翻译： 本说明书涉及在基板上包括基板和翅片结构的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 鳍结构包括源极和漏极之间的沟道，其中源极，漏极和沟道具有第一类型掺杂物，并且沟道包括Ge，SiGe或III-V半导体中的至少一个。 FinFET还包括通道上的栅极介电层和栅极电介质层上的栅极。 FinFET还包括邻近栅极的衬底上的氮化物间隔物和氮化物间隔物和栅极之间以及氮化物间隔物和衬底之间的氧化物层。

公开(公告)号：US08621406B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13416642

申请日：2012-03-09

申请人： Cheok-Kei Lei ,  Yi-Tang Lin ,  Hsiao-Hui Chen ,  Yu-Ning Chang ,  Shu-Yu Chen ,  Chien-Wen Chen ,  Chih-Sheng Chang ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Cheok-Kei Lei ,  Yi-Tang Lin ,  Hsiao-Hui Chen ,  Yu-Ning Chang ,  Shu-Yu Chen ,  Chien-Wen Chen ,  Chih-Sheng Chang ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： H01L27/0207 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/823821

摘要： A method for generating a layout for a device having FinFETs from a first layout for a device having planar transistors is disclosed. The planar layout is analyzed and corresponding FinFET structures are generated.

摘要翻译： 公开了一种用于从具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。 分析平面布局并生成相应的FinFET结构。

公开(公告)号：US20130168819A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13339160

申请日：2011-12-28

申请人： Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin ,  Ming-Feng Shieh

发明人： Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin ,  Ming-Feng Shieh

IPC分类号： H01L29/70 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/6625 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/311 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/735

摘要： A bipolar junction transistor (BJT) formed using a fin field-effect transistor (FinFET) complimentary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process flow is provided. The BJT includes an emitter fin, a base fin, and a collector fin formed on a substrate. The base fin encloses the emitter fin and collector fin encloses the emitter fin. In some embodiments, the emitter fin, base fin, and collector fin have a square shape when viewed from above and are concentric with each other.

公开(公告)号：US20090243987A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12383873

申请日：2009-03-30

申请人： Chih-Sheng Chang ,  Chao-Yi Hung ,  Sz-Hsiao Chen ,  Sheng-Tien Cho ,  Chueh-Ju Chen ,  Tsau-Hua Hsieh ,  Chiu-Lien Yang

发明人： Chih-Sheng Chang ,  Chao-Yi Hung ,  Sz-Hsiao Chen ,  Sheng-Tien Cho ,  Chueh-Ju Chen ,  Tsau-Hua Hsieh ,  Chiu-Lien Yang

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： G09G3/3655 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2320/048

摘要： A liquid crystal display (LCD) device includes an LCD panel, and a common voltage generating circuit configured for providing common voltages to the LCD panel. The common voltage generating circuit includes a microprocessor, a timer, a voltage adjustment circuit, and a look up table. The microprocessor is electrically connected to the timer, the look up table, and the voltage adjustment circuit. The timer is configured for recording a continuous operated time of the LCD panel. The look up table is configured for storing optimal common voltages corresponding to each continuous operated time. The microprocessor is configured for reading the optimal common voltage at set intervals corresponding to the continuous operated time, and controlling the voltage adjustment circuit to provide the corresponding optimal common voltage to the LCD panel.

摘要翻译： 液晶显示器（LCD）装置包括LCD面板和配置用于向LCD面板提供公共电压的公共电压产生电路。 公共电压产生电路包括微处理器，定时器，电压调节电路和查找表。 微处理器电连接到定时器，查找表和电压调节电路。 定时器配置为记录LCD面板的连续操作时间。 查找表被配置用于存储对应于每个连续操作时间的最佳公共电压。 微处理器被配置为以对应于连续操作时间的设定间隔读取最佳公共电压，并且控制电压调节电路以向LCD面板提供相应的最佳公共电压。