公开(公告)号：US20110128772A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12801533

申请日：2010-06-14

申请人： Ho-Jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-Jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/08

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C5/063 ,  G11C11/21 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C15/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： A nonvolatile memory cell may include a bidirectional switch having a first threshold voltage when a forward current is applied to the bidirectional switch and a second threshold voltage when a reverse current is applied to the bidirectional switch; and a variable resistor connected to the bidirectional switch in series. A state of resistance of the variable resistor may be controlled according to voltage applied to the variable resistor. A sum of a magnitude of the first threshold voltage and a magnitude of the second threshold voltage may be greater than a write voltage that is used to perform a write operation on the variable resistor.

摘要翻译： 当向双向开关施加正向电流时，非易失性存储单元可以包括具有第一阈值电压的双向开关，当向双向开关施加反向电流时，非易失性存储单元可包括第二阈值电压; 以及串联连接到双向开关的可变电阻器。 可变电阻器的电阻状态可以根据施加到可变电阻器的电压来控制。 第一阈值电压的大小和第二阈值电压的大小的和可以大于用于对可变电阻器执行写入操作的写入电压。

公开(公告)号：US20110085368A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12659516

申请日：2010-03-11

申请人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C11/00 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/24

摘要： The non-volatile memory device may include a substrate, a plurality of first signal lines on the substrate in a vertical direction, a plurality of memory cells having ends connected to the plurality of first signal lines, a plurality of second signal lines perpendicular to the plurality of first signal lines on the substrate and each connected to other ends of the plurality of memory cells, and a plurality of selection elements on the substrate and connected to at least two of the plurality of first signal lines.

摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括衬底，在垂直方向上的衬底上的多个第一信号线，具有连接到多个第一信号线的端部的多个存储器单元，垂直于第一信号线的多个第二信号线 基板上的多个第一信号线，并且各自连接到多个存储单元的另一端，以及多个选择元件，并且连接到多个第一信号线中的至少两个。

公开(公告)号：US08357992B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12659516

申请日：2010-03-11

申请人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/24

摘要： The non-volatile memory device may include a substrate, a plurality of first signal lines on the substrate in a vertical direction, a plurality of memory cells having ends connected to the plurality of first signal lines, a plurality of second signal lines perpendicular to the plurality of first signal lines on the substrate and each connected to other ends of the plurality of memory cells, and a plurality of selection elements on the substrate and connected to at least two of the plurality of first signal lines.

摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括衬底，在垂直方向上的衬底上的多个第一信号线，具有连接到多个第一信号线的端部的多个存储器单元，垂直于第一信号线的多个第二信号线 基板上的多个第一信号线，并且各自连接到多个存储单元的另一端，以及多个选择元件，并且连接到多个第一信号线中的至少两个。

公开(公告)号：US08203863B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12801533

申请日：2010-06-14

申请人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C5/063 ,  G11C11/21 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C15/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： A nonvolatile memory cell may include a bidirectional switch having a first threshold voltage when a forward current is applied to the bidirectional switch and a second threshold voltage when a reverse current is applied to the bidirectional switch; and a variable resistor connected to the bidirectional switch in series. A state of resistance of the variable resistor may be controlled according to voltage applied to the variable resistor. A sum of a magnitude of the first threshold voltage and a magnitude of the second threshold voltage may be greater than a write voltage that is used to perform a write operation on the variable resistor.

摘要翻译： 当向双向开关施加正向电流时，非易失性存储单元可以包括具有第一阈值电压的双向开关，当向双向开关施加反向电流时，非易失性存储单元可包括第二阈值电压; 以及串联连接到双向开关的可变电阻器。 可变电阻器的电阻状态可以根据施加到可变电阻器的电压来控制。 第一阈值电压的大小和第二阈值电压的大小的和可以大于用于对可变电阻器执行写入操作的写入电压。

公开(公告)号：US08456889B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US12929519

申请日：2011-01-31

申请人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

发明人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L29/685 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/53

摘要： Semiconductor devices including variable resistance materials and methods of operating the semiconductor devices. The semiconductor devices use variable resistance materials with resistances that vary according to applied voltages as channel layers.

摘要翻译： 包括可变电阻材料的半导体器件和操作半导体器件的方法。 半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。

公开(公告)号：US08633868B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US12659156

申请日：2010-02-26

申请人： Chang-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Young-soo Park ,  Chan-hee Lee

发明人： Chang-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Young-soo Park ,  Chan-hee Lee

IPC分类号： G09G3/00 ,  G06F3/038

CPC分类号： G09G3/001 ,  G02B27/2264 ,  G09G3/003 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3611 ,  G09G2300/023 ,  G09G2310/0213 ,  G09G2340/10 ,  H04N13/395

摘要： An apparatus for displaying a three-dimensional (3D) image may include a plurality of display panels and a controller configured to apply image signals to each of the plurality of display panels. At least one of the display panels may include a transparent display panel. The plurality of display panels may be spaced apart from each other in a depth direction. A method of displaying a three-dimensional (3D) image may include displaying plane images on each of a plurality of display panels. At least one of the plurality of display panels may include a transparent display panel. The plurality of display panels may be spaced apart from each other in a depth direction.

摘要翻译： 用于显示三维（3D）图像的装置可以包括多个显示面板和被配置为将图像信号应用于多个显示面板中的每一个的控制器。 至少一个显示面板可以包括透明显示面板。 多个显示面板可以在深度方向上彼此间隔开。 显示三维（3D）图像的方法可以包括在多个显示面板的每一个上显示平面图像。 多个显示面板中的至少一个可以包括透明显示面板。 多个显示面板可以在深度方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：US20130026558A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13451688

申请日：2012-04-20

申请人： Sang-hun Jeon ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim

发明人： Sang-hun Jeon ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： The semiconductor device includes an insulating substrate, a channel layer over the insulating substrate, a gate at least partially extending from an upper surface of the channel layer into the channel layer, a source and a drain respectively at opposing sides of the gate on the channel layer, a gate insulating layer surrounding, the gate and electrically insulating the gate from the channel layer, the source, and the drain, and a variable resistance material layer between the insulating substrate and the gate.

摘要翻译： 半导体器件包括绝缘衬底，绝缘衬底上的沟道层，至少部分地从沟道层的上表面延伸到沟道层中的栅极，分别在沟道上的栅极的相对侧处的源极和漏极 所述栅极绝缘层包围所述栅极并使所述栅极与所述沟道层，所述源极和所述漏极电绝缘，以及所述绝缘基板和所述栅极之间的可变电阻材料层。

公开(公告)号：US20110188290A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12929519

申请日：2011-01-31

申请人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

发明人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/12 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L29/685 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/53

摘要： Semiconductor devices including variable resistance materials and methods of operating the semiconductor devices. The semiconductor devices use variable resistance materials with resistances that vary according to applied voltages as channel layers.

摘要翻译： 包括可变电阻材料的半导体器件和操作半导体器件的方法。 半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。

公开(公告)号：US20110001746A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12659156

申请日：2010-02-26

申请人： Chang-jung Kim ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-soo Park ,  Chan-hee Lee

发明人： Chang-jung Kim ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-soo Park ,  Chan-hee Lee

IPC分类号： G09G3/00 ,  G06F3/038

CPC分类号： G09G3/001 ,  G02B27/2264 ,  G09G3/003 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3611 ,  G09G2300/023 ,  G09G2310/0213 ,  G09G2340/10 ,  H04N13/395

摘要： An apparatus for displaying a three-dimensional (3D) image may include a plurality of display panels and a controller configured to apply image signals to each of the plurality of display panels. At least one of the display panels may include a transparent display panel. The plurality of display panels may be spaced apart from each other in a depth direction. A method of displaying a three-dimensional (3D) image may include displaying plane images on each of a plurality of display panels. At least one of the plurality of display panels may include a transparent display panel. The plurality of display panels may be spaced apart from each other in a depth direction.

摘要翻译： 用于显示三维（3D）图像的装置可以包括多个显示面板和被配置为将图像信号应用于多个显示面板中的每一个的控制器。 至少一个显示面板可以包括透明显示面板。 多个显示面板可以在深度方向上彼此间隔开。 显示三维（3D）图像的方法可以包括在多个显示面板的每一个上显示平面图像。 多个显示面板中的至少一个可以包括透明显示面板。 多个显示面板可以在深度方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：US20110108704A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12805723

申请日：2010-08-17

申请人： Ho-jung Kim ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-hun Jeon

发明人： Ho-jung Kim ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-hun Jeon

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102

CPC分类号： H04N9/045 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3745

摘要： Image sensors and methods of operating the same. An image sensor includes a pixel array including a plurality of pixels. Each of the plurality of pixels includes a photo sensor, the voltage-current characteristics of which vary according to energy of incident light, and that generates a sense current determined by the energy of the incident light; a reset unit that is activated to generate a reference current, according to a reset signal for resetting at least one of the plurality of pixels; and a conversion unit that converts the sense current and the reference current into a sense voltage and a reference voltage, respectively.

摘要翻译： 图像传感器及其操作方法。 图像传感器包括包括多个像素的像素阵列。 多个像素中的每一个包括光电传感器，其电压 - 电流特性根据入射光的能量而变化，并且产生由入射光的能量确定的感测电流; 根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号，被激活以产生参考电流的复位单元; 以及转换单元，其将感测电流和参考电流分别转换为感测电压和参考电压。