公开(公告)号：US20070086931A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11452188

申请日：2006-06-13

申请人： Sebastien Raoux ,  Brian Kingston ,  Mark Curry ,  Daniel Clark ,  Robbert Vermeulen ,  Belynda Flippo ,  Mark Holst ,  Steve Tsu ,  Kevin Lin ,  Monique Mcintosh

发明人： Sebastien Raoux ,  Brian Kingston ,  Mark Curry ,  Daniel Clark ,  Robbert Vermeulen ,  Belynda Flippo ,  Mark Holst ,  Steve Tsu ,  Kevin Lin ,  Monique Mcintosh

IPC分类号： B01D53/34 ,  B01D53/46 ,  B01D53/86

CPC分类号： B01D53/78 ,  B01D53/68 ,  B01D53/70 ,  B01D53/75 ,  B01D53/8659 ,  B01D53/8662 ,  B01D53/8678 ,  B01D2257/204 ,  B01D2257/206 ,  B01D2257/2064 ,  B01D2257/2066 ,  B01D2257/708 ,  B01D2258/0216 ,  Y02C20/30

摘要： In a first aspect, a first abatement apparatus is provided. The first abatement apparatus includes (1) an oxidation unit adapted to receive an effluent stream from a semiconductor device manufacturing chamber; (2) a first water scrubber unit adapted to receive the effluent stream from the oxidation unit; and (3) a catalysis unit adapted to receive the effluent stream from the first water scrubber unit. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了一种第一减排装置。 第一减排装置包括（1）氧化单元，适于从半导体装置制造室接收流出物流; （2）适于接收来自氧化单元的流出物流的第一水洗涤单元; 和（3）适于接收来自第一水洗涤器单元的流出物流的催化单元。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US5846275A

公开(公告)日：1998-12-08

申请号：US778386

申请日：1996-12-31

申请人： Scott Lane ,  Mark Holst

发明人： Scott Lane ,  Mark Holst

IPC分类号： B01D45/00 ,  B01D53/14 ,  B01J4/00 ,  B01J4/04 ,  B01J8/00 ,  B01J8/20 ,  B01J8/22 ,  B01J19/00 ,  B01J19/26 ,  C23C16/44 ,  C30B25/14 ,  B01D35/00 ,  B01D51/00 ,  B65G53/18

CPC分类号： C30B25/14 ,  B01D45/00 ,  B01D53/14 ,  B01J19/002 ,  B01J19/26 ,  B01J8/003 ,  B01J8/20 ,  B01J8/22 ,  C23C16/4412 ,  B01J2219/00065 ,  B01J2219/00094 ,  B01J2219/00135 ,  B01J2219/00164 ,  B01J2219/00252 ,  B01J2219/00268

摘要： A clog-resistant inlet structure for introducing a particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system, including: a gas-permeable wall enclosing a gas flow path, and an outer annular jacket circumscribing the gas-permeable wall to define an annular gas reservoir therebetween; and a flow passage for introducing a gas into the annular gas reservoir during the flow of the particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system through such inlet structure at a pressure sufficient to cause the gas to permeate through the gas-permeable wall to combat the deposition or formation of solids on the interior surface of the gas-permeable wall. The inlet structure may further optionally include a downstream annular section in which the wall surface bounding the gas stream is blanketed with a falling liquid film, to combat solids deposition or formation on the blanketed wall surface.

摘要翻译： 一种用于将含颗粒固体和/或固体形成气流引入气体处理系统的阻塞入口结构，包括：封闭气体流动路径的气体可渗透壁，以及围绕气体可渗透的外部环形套管 壁以在其间限定环形气体储存器; 以及流动通道，用于在将含颗粒固体的和/或固体形成气体流通过这种入口结构流入气体处理系统期间将气体引入到环形气体储存器中，压力足以使气体渗透通过 气体渗透壁，用于抵抗气体可渗透壁的内表面上沉积或形成固体。 入口结构可进一步可选地包括下游环形部分，其中用落下的液体膜覆盖包围气流的壁面，以抵抗覆盖的壁表面上的固体沉积或形成。

公开(公告)号：US5650128A

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：US347870

申请日：1994-12-01

申请人： Mark Holst ,  Richard J. Martin

发明人： Mark Holst ,  Richard J. Martin

IPC分类号： B01D53/44 ,  A62D3/00 ,  B01D53/74 ,  B01D53/86 ,  B01J8/00 ,  B01J8/02 ,  B01J8/04 ,  F23G7/06 ,  B01D50/00

CPC分类号： F23G7/07 ,  B01D53/8668 ,  B01J8/001 ,  B01J8/0453 ,  B01J2208/00061 ,  B01J2208/025 ,  F23G2202/50 ,  F23G2207/101 ,  F23G2207/20 ,  F23G2207/30 ,  F23G2207/40

摘要： Apparatuses and methods for treating gas streams containing variations in VOC concentration whereby the VOC's are destroyed in a combination non-catalytic/catalytic oxidation system are disclosed. A non-catalytic destruction matrix composed of inert ceramic materials that enhance process mixing and provide thermal inertia for process stability is used when VOC concentrations are high and a catalytic oxidizer is principally used when VOC concentrations are low. The exhaust from the non-catalytic destruction matrix is passed through the catalytic oxidizer to maintain proper catalytic oxidizer operating temperatures. Supplemental fuel and air are added as appropriate upstream or downstream of the non-catalytic oxidizer to maintain proper heat values in each portion of the system.

摘要翻译： 公开了用于处理含有VOC浓度变化的气流的设备和方法，由此VOC在非催化/催化氧化系统组合中被破坏。 当VOC浓度高时使用由惰性陶瓷材料组成的非催化破坏基质，其增强工艺混合并提供工艺稳定性的热惯性，当VOC浓度低时，主要使用催化氧化剂。 来自非催化破坏基质的废气通过催化氧化剂以保持适当的催化氧化剂操作温度。 补充的燃料和空气适当地在非催化氧化剂的上游或下游添加，以在系统的每个部分中保持适当的热值。

公开(公告)号：US20070212288A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11745428

申请日：2007-05-07

申请人： Mark Holst ,  Kent Carpenter ,  Scott Lane ,  Prakash Arya

发明人： Mark Holst ,  Kent Carpenter ,  Scott Lane ,  Prakash Arya

IPC分类号： B01D53/68 ,  B01D47/00

CPC分类号： B01D47/06 ,  B01D53/14 ,  B01D53/1456 ,  B01D53/68 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30

摘要： An effluent gas stream treatment system for treatment of gaseous effluents such as waste gases from semiconductor manufacturing operations. The effluent gas stream treatment system comprises a pre-oxidation treatment unit, which may for example comprise a scrubber, an oxidation unit such an electrothermal oxidizer, and a post-oxidation treatment unit, such as a wet or dry scrubber. The effluent gas stream treatment system of the invention may utilize an integrated oxidizer, quench and wet scrubber assembly, for abatement of hazardous or otherwise undesired components from the effluent gas stream. Gas or liquid shrouding of gas streams in the treatment system may be provided by high efficiency inlet structures.

摘要翻译： 一种废气处理系统，用于处理来自半导体制造业务的废气等气体流出物。 废气流处理系统包括预氧化处理单元，其可以例如包括洗涤器，氧化单元如电热氧化器，以及后氧化处理单元，例如湿式或干式洗涤器。 本发明的废气流处理系统可以利用集成的氧化剂，骤冷和湿式洗涤器组件，以从废气流中减少有害或不希望的组分。 可以通过高效率的入口结构来提供处理系统中气流的气体或液体覆盖。

公开(公告)号：US20070166205A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11552447

申请日：2006-10-24

申请人： Mark Holst ,  Kent Carpenter ,  Scott Lane ,  Prakash Arya

发明人： Mark Holst ,  Kent Carpenter ,  Scott Lane ,  Prakash Arya

IPC分类号： B01D50/00

CPC分类号： B01D47/06 ,  B01D53/14 ,  B01D53/1456 ,  B01D53/68 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30

摘要： An effluent gas stream treatment system for treatment of gaseous effluents such as waste gases from semiconductor manufacturing operations. The effluent gas stream treatment system comprises a pre-oxidation treatment unit, which may for example comprise a scrubber, an oxidation unit such an electrothermal oxidizer, and a post-oxidation treatment unit, such as a wet or dry scrubber. The effluent gas stream treatment system of the invention may utilize an integrated oxidizer, quench and wet scrubber assembly, for abatement of hazardous or otherwise undesired components from the effluent gas stream. Gas or liquid shrouding of gas streams in the treatment system may be provided by high efficiency inlet structures.

公开(公告)号：US07214349B2

公开(公告)日：2007-05-08

申请号：US09970613

申请日：2001-10-04

申请人： Mark Holst ,  Kent Carpenter ,  Scott Lane ,  Prakash V. Arya

发明人： Mark Holst ,  Kent Carpenter ,  Scott Lane ,  Prakash V. Arya

IPC分类号： B01D50/00

CPC分类号： B01D47/06 ,  B01D53/14 ,  B01D53/1456 ,  B01D53/68 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30

摘要： An effluent gas stream treatment system for treatment of gaseous effluents such as waste gases from semiconductor manufacturing operations. The effluent gas stream treatment system comprises a pre-oxidation treatment unit, which may for example comprise a scrubber, an oxidation unit such an electrothermal oxidizer, and a post-oxidation treatment unit, such as a wet or dry scrubber. The effluent gas stream treatment system of the invention may utilize an integrated oxidizer, quench and wet scrubber assembly, for abatement of hazardous or otherwise undesired components from the effluent gas stream. Gas or liquid shrouding of gas streams in the treatment system may be provided by high efficiency inlet structures.

摘要翻译： 一种废气处理系统，用于处理来自半导体制造业务的废气等气体流出物。 废气流处理系统包括预氧化处理单元，其可以例如包括洗涤器，氧化单元如电热氧化器，以及后氧化处理单元，例如湿式或干式洗涤器。 本发明的废气流处理系统可以利用集成的氧化剂，骤冷和湿式洗涤器组件，以从废气流中减少有害或不希望的组分。 可以通过高效率的入口结构来提供处理系统中气流的气体或液体覆盖。

公开(公告)号：US06749671B2

公开(公告)日：2004-06-15

申请号：US10358972

申请日：2003-02-05

申请人： Mark Holst ,  Ray Dubois ,  Jose Arno ,  Rebecca Faller ,  Glenn Tom

发明人： Mark Holst ,  Ray Dubois ,  Jose Arno ,  Rebecca Faller ,  Glenn Tom

IPC分类号： B01D5304

CPC分类号： B01D53/04 ,  B01D53/0446 ,  B01D53/06 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/104 ,  B01D2253/106 ,  B01D2253/108 ,  B01D2256/26 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/40096 ,  B01D2259/40098 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4412

摘要： A method and apparatus for abatement of effluent from a CVD process using a source reagent having a metal organic loosely bound to a organic or organometallic molecule such that upon exposure to heat such bond is readily cleavable, e.g., copper deposition process involving the formation of films on a substrate by metalorganic chemical vapor deposition (CVD) utilizing a precursor composition for such film formation. The abatement process in specific embodiments facilitates high efficiency abatement of effluents from copper deposition processes utilizing Cu(hfac)TMVS as a copper source reagent.

摘要翻译： 一种使用具有松散地结合有机或有机金属分子的金属有机物的源试剂从CVD工艺中消除流出物的方法和装置，使得当暴露于热时，这种键易于切割，例如涉及形成膜的铜沉积工艺 通过利用用于这种成膜的前体组合物的金属有机化学气相沉积（CVD）在衬底上。 在具体实施方案中的减排方法有利于利用Cu（hfac）TMVS作为铜源试剂从铜沉积过程中高效地减少废水。

公开(公告)号：US06500487B1

公开(公告)日：2002-12-31

申请号：US09420107

申请日：1999-10-18

申请人： Mark Holst ,  Rebecca Faller ,  Glenn Tom ,  Jose Arno ,  Ray Dubois

发明人： Mark Holst ,  Rebecca Faller ,  Glenn Tom ,  Jose Arno ,  Ray Dubois

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： B01D53/02 ,  B01D53/04 ,  B01D53/64 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/104 ,  B01D2253/106 ,  B01D2253/108 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4412

摘要： Apparatus and method for abatement of effluent from multi-component metal oxides deposited by CVD processes using metal source reagent liquid solutions which comprise at least one metal coordination complex including a metal to which is coordinatively bound at least one ligand in a stable complex and a suitable solvent medium for that metal coordination complex e.g., a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process for forming barium strontium titanate (BST) thin films on substrates. The effluent is sorptively treated to remove precursor species and MOCVD process by-products from the effluent. An endpoint detector such as a quartz microbalance detector may be employed to detect incipient breakthrough conditions in the sorptive treatment unit.

摘要翻译： 用于使用金属源试剂液体溶液沉积的多组分金属氧化物排出的流出物的装置和方法，所述金属源试剂液体溶液包含至少一种金属配位络合物，所述金属配位络合物包括与稳定络合物中的至少一个配位体配位结合的金属， 用于该金属配位络合物的溶剂介质，例如用于在基底上形成钛酸钡锶（BST）薄膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺。 废水被吸附处理以从流出物中除去前体物质和MOCVD处理副产物。 可以使用诸如石英微量天平检测器的端点检测器来检测吸附处理单元中的初始突破条件。

公开(公告)号：US06491884B1

公开(公告)日：2002-12-10

申请号：US09717439

申请日：2000-11-21

申请人： Rebecca Faller ,  Mark Holst

发明人： Rebecca Faller ,  Mark Holst

IPC分类号： C01B700

CPC分类号： B01D53/02 ,  B01D53/04 ,  B01D2253/112 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/402

摘要： An effluent abatement system for abating hydride species in a hydride-containing effluent, arranged for carrying out the steps of: (1) contacting the hydride-containing effluent with a dry scrubber material comprising a metal oxide that is reactive with the hydride species to remove the hydride species from the effluent, until the capacity of the dry scrubber material for hydride species is at least partially exhausted; and (2) contacting the at least partially exhausted capacity dry scrubber material with an oxidant to at least partially regain the capacity of the dry scrubber material for the hydride species. The system of the invention has particular utility in the treatment of effluent from III-V compound semiconductor manufacturing operations.

摘要翻译： 一种用于减少含氢化物的流出物中的氢化物物质的排放物排放系统，用于执行以下步骤：（1）使含氢化物的流出物与包含与氢化物物质反应以除去的金属氧化物的干洗涤器材料接触 来自流出物的氢化物物质直到氢化物物质的干洗涤材料的能力至少部分被耗尽; 和（2）使所述至少部分耗尽的干燥洗涤器材料与氧化剂接触以至少部分地重新获得用于氢化物物质的干洗涤器材料的能力。 本发明的系统在处理III-V化合物半导体制造操作的流出物方面具有特殊的用途。

公开(公告)号：US06333010B1

公开(公告)日：2001-12-25

申请号：US09400662

申请日：1999-09-20

申请人： Mark Holst ,  Kent Carpenter ,  Scott Lane ,  Prakash V. Arya

发明人： Mark Holst ,  Kent Carpenter ,  Scott Lane ,  Prakash V. Arya

IPC分类号： B01D5334

CPC分类号： B01D47/06 ,  B01D53/14 ,  B01D53/1456 ,  B01D53/68 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30

摘要： An effluent gas stream treatment system for treatment of gaseous effluents such as waste gases from semiconductor manufacturing operations. The effluent gas stream treatment system comprises a pre-oxidation treatment unit, which may for example comprise a scrubber, an oxidation unit such an electrothermal oxidizer, and a post-oxidation treatment unit, such as a wet or dry scrubber. The effluent gas stream treatment system of the invention may utilize an integrated oxidizer, quench and wet scrubber assembly, for abatement of hazardous or otherwise undesired components from the effluent gas stream. Gas or liquid shrouding of gas streams in the treatment system may be provided by high efficiency inlet structures.

摘要翻译： 一种废气处理系统，用于处理来自半导体制造业务的废气等气体流出物。 废气流处理系统包括预氧化处理单元，其可以例如包括洗涤器，氧化单元如电热氧化器，以及后氧化处理单元，例如湿式或干式洗涤器。 本发明的废气流处理系统可以利用集成的氧化剂，骤冷和湿式洗涤器组件，以从废气流中减少有害或不希望的组分。 可以通过高效率的入口结构来提供处理系统中气流的气体或液体覆盖。