公开(公告)号：US20120319304A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13595049

申请日：2012-08-27

申请人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

发明人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/56

CPC分类号： G01P1/023 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0042 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and manufacturing method. One embodiment provides a semiconductor chip. An encapsulating material covers the semiconductor chip. A metal layer is over the semiconductor chip and the encapsulating material. At least one of a voltage generating unit and a display unit are rigidly attached to at least one of the encapsulating material and the metal layer.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 一个实施例提供了半导体芯片。 封装材料覆盖半导体芯片。 金属层在半导体芯片和封装材料之上。 电压产生单元和显示单元中的至少一个刚性地附接到至少一个封装材料和金属层。

公开(公告)号：US07858440B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11859346

申请日：2007-09-21

申请人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

发明人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L25/50 ,  B81C1/0023 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： Stacked semiconductor chips are disclosed. One embodiment provides an array of first semiconductor chips, covering the array of the first semiconductor chips with a mold material, and placing an array of second semiconductor chips over the array of the first semiconductor chips. The thicknesses of the second semiconductor chips is reduced. The array of the first semiconductor chips are singulated by dividing the mold material.

摘要翻译： 公开了堆叠的半导体芯片。 一个实施例提供了利用模具材料覆盖第一半导体芯片的阵列的第一半导体芯片的阵列，以及将第二半导体芯片的阵列放置在第一半导体芯片的阵列上。 第二半导体芯片的厚度减小。 通过分割模具材料来分割第一半导体芯片的阵列。

公开(公告)号：US07692588B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11421684

申请日：2006-06-01

申请人： Gottfried Beer ,  Christoph Kienmayer ,  Klaus Pressel ,  Werner Simbuerger

发明人： Gottfried Beer ,  Christoph Kienmayer ,  Klaus Pressel ,  Werner Simbuerger

IPC分类号： H01Q1/38 ,  H01Q15/08 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/66 ,  G01S7/032 ,  G01S19/36 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/44 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q9/0457 ,  H01Q19/00 ,  H01Q21/0087 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor module (1) has components (6) for microwave engineering in a plastic casing (7). The semiconductor module (1) has a principal surface (8) with an upper side (9) of a plastic package molding compound (10) and at least one active upper side (11) of a semiconductor chip (12). Disposed on the principal surface (8) is a multilayered conductor track structure (13) which alternately comprises structured metal layers (14, 15) and structured insulation layers (16, 17), where at least one of the insulation layers (16, 17) and/or the plastic package molding compound (10) has at least one microwave insulation region.

摘要翻译： 半导体模块（1）在塑料外壳（7）中具有用于微波工程的部件（6）。 半导体模块（1）具有主表面（8），其具有塑料封装模制化合物（10）的上侧（9）和半导体芯片（12）的至少一个有源上侧面（11）。 设置在主表面（8）上的是多层导体轨道结构（13），其交替地包括结构化金属层（14,15）和结构化绝缘层（16,17），其中至少一个绝缘层（16,17） ）和/或塑料包装模塑料（10）具有至少一个微波绝缘区域。

公开(公告)号：US20080308917A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US11762411

申请日：2007-06-13

申请人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

发明人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/00 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An electronic assembly is disclosed. One embodiment includes at least one semiconductor chip and a package structure embedding the semiconductor chip. The package structure includes at least one conducting line extending into an area of the package structure outside of the outline of the chip. The electronic assembly further includes a substrate embedding the package structure.

摘要翻译： 公开了一种电子组件。 一个实施例包括至少一个半导体芯片和嵌入半导体芯片的封装结构。 封装结构包括延伸到芯片轮廓外部的封装结构区域中的至少一条导线。 电子组件还包括嵌入封装结构的衬底。

公开(公告)号：US20120049375A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US12871939

申请日：2010-08-31

申请人： Thorsten MEYER ,  Gottfried BEER ,  Christian GEISSLER ,  Thomas ORT ,  Klaus PRESSEL ,  Bernd WAIDHAS ,  Andreas WOLTER

发明人： Thorsten MEYER ,  Gottfried BEER ,  Christian GEISSLER ,  Thomas ORT ,  Klaus PRESSEL ,  Bernd WAIDHAS ,  Andreas WOLTER

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00

摘要： A method and a system for routing electrical connections of a plurality of chips are disclosed. In one embodiment, a semiconductor device is provided comprising at least one semiconductor chip, at least one routing plane comprising at least one routing line, and at least one connecting line electrically coupled to the at least one routing line and at least one semiconductor chip.

摘要翻译： 公开了一种用于路由多个芯片的电连接的方法和系统。 在一个实施例中，提供半导体器件，其包括至少一个半导体芯片，包括至少一个布线线的至少一个布线平面以及电耦合到所述至少一个布线线和至少一个半导体芯片的至少一个连接线。

公开(公告)号：US07910404B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12205294

申请日：2008-09-05

申请人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

发明人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a stacked die module includes applying a plurality of stacked die structures to a carrier. Each stacked die structure includes a first semiconductor die applied to the carrier and a second semiconductor die stacked over the first semiconductor die. The second semiconductor die has a larger lateral surface area than the first semiconductor die. A dam is applied around each of the stacked die structures, thereby forming an enclosed cavity for each of the stacked die structures. The enclosed cavity for each stacked die structure surrounds the first semiconductor die of the stacked die structure.

摘要翻译： 制造堆叠模具模块的方法包括将多个堆叠的模具结构应用于载体。 每个堆叠的管芯结构包括施加到载体的第一半导体管芯和堆叠在第一半导体管芯上的第二半导体管芯。 第二半导体管芯具有比第一半导体管芯更大的侧表面积。 在每个堆叠的模具结构周围施加坝，从而为每个堆叠的模具结构形成封闭的腔。 用于每个堆叠的管芯结构的封闭空腔包围堆叠管芯结构的第一半导体管芯。

公开(公告)号：US20100019370A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12179217

申请日：2008-07-24

申请人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

发明人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50 ,  H01L21/98

CPC分类号： G01P1/023 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0042 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and manufacturing method. One embodiment provides a semiconductor chip. An encapsulating material covers the semiconductor chip. A metal layer is over the semiconductor chip and the encapsulating material. At least one of a voltage generating unit and a display unit are rigidly attached to at least one of the encapsulating material and the metal layer.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 一个实施例提供一种半导体芯片。 封装材料覆盖半导体芯片。 金属层在半导体芯片和封装材料之上。 电压产生单元和显示单元中的至少一个刚性地附接到至少一个封装材料和金属层。

公开(公告)号：US07268423B2

公开(公告)日：2007-09-11

申请号：US11013851

申请日：2004-12-16

申请人： Gottfried Beer ,  Jochen Dangelmaier ,  Alfred Haimerl ,  Manfred Mengel ,  Klaus Mueller ,  Klaus Pressel

发明人： Gottfried Beer ,  Jochen Dangelmaier ,  Alfred Haimerl ,  Manfred Mengel ,  Klaus Mueller ,  Klaus Pressel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49877 ,  H01L24/05 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/14 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/932

摘要： The present invention describes a rewiring plate for components with connection grids of between approx. 100 nm and 10 μm, which rewiring plate includes a base body and passages with carbon nanotubes, the lower end of the passages opening out into contact connection surfaces, and the carbon nanotubes forming an electrically conductive connection from the contact connection surfaces to the front surface of the base body.

摘要翻译： 本发明描述了一种用于具有连接栅格的部件的再布线板， 100nm和10um，该再布线板包括基体和具有碳纳米管的通道，通道的下端开口成接触连接表面，并且碳纳米管从接触连接表面到前表面形成导电连接 的基体。

公开(公告)号：US20050142933A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US11013851

申请日：2004-12-16

申请人： Gottfried Beer ,  Jochen Dangelmaier ,  Alfred Haimerl ,  Manfred Mengel ,  Klaus Mueller ,  Klaus Pressel

发明人： Gottfried Beer ,  Jochen Dangelmaier ,  Alfred Haimerl ,  Manfred Mengel ,  Klaus Mueller ,  Klaus Pressel

IPC分类号： B82B1/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01R13/60

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49877 ,  H01L24/05 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/14 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/932

摘要： The present invention describes a rewiring plate for components with connection grids of between approx. 100 nm and 10 μm, which rewiring plate includes a base body and passages with carbon nanotubes, the lower end of the passages opening out into contact connection surfaces, and the carbon nanotubes forming an electrically conductive connection from the contact connection surfaces to the front surface of the base body.

摘要翻译： 本发明描述了一种用于具有连接栅格的部件的再布线板， 100nm和10um，该再布线板包括基体和具有碳纳米管的通道，通道的下端开口成接触连接表面，并且碳纳米管从接触连接表面到前表面形成导电连接 的基体。

公开(公告)号：US08338936B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12179217

申请日：2008-07-24

申请人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

发明人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： G01P1/023 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0042 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and manufacturing method. One embodiment provides a semiconductor chip. An encapsulating material covers the semiconductor chip. A metal layer is over the semiconductor chip and the encapsulating material. At least one of a voltage generating unit and a display unit are rigidly attached to at least one of the encapsulating material and the metal layer.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 一个实施例提供一种半导体芯片。 封装材料覆盖半导体芯片。 金属层在半导体芯片和封装材料之上。 电压产生单元和显示单元中的至少一个刚性地附接到至少一个封装材料和金属层。