公开(公告)号：US20120237860A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13422206

申请日：2012-03-16

Applicant: Hoon KIM ,  Young-Su Sung ,  Young-Kuen Kim ,  Dong-Seok Nam

Inventor： Hoon KIM ,  Young-Su Sung ,  Young-Kuen Kim ,  Dong-Seok Nam

IPC: G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: A reflective EUV mask and a method of manufacturing the same, the reflective EUV mask including a mask substrate having an exposing region and a peripheral region, the mask substrate including a light scattering crystalline portion that scatters light incident to the peripheral region and that decreases reflectivity of the peripheral region; a reflective layer on an upper surface of the mask substrate, the reflective layer having a first opening that exposes the crystalline portion; and an absorbing layer pattern on an upper surface of the reflective layer, the absorbing layer pattern having a second opening in fluidic communication with the first opening.

Abstract translation: 反射型EUV掩模及其制造方法，所述反射型EUV掩模包括具有曝光区域和外围区域的掩模基板，所述掩模基板包括散射入射到所述周边区域的光并且降低反射率的光散射结晶部分 的周边地区; 在所述掩模基板的上表面上的反射层，所述反射层具有暴露所述结晶部分的第一开口; 以及在所述反射层的上表面上的吸收层图案，所述吸收层图案具有与所述第一开口流体连通的第二开口。

公开(公告)号：US07956983B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11635045

申请日：2006-12-07

Applicant: Dong-Seok Nam

Inventor： Dong-Seok Nam

IPC: G03B27/44 ,  G03B27/42 ,  G03B27/54 ,  G03B27/62 ,  G03B27/32

CPC classification number: G03F7/70191 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/32 ,  G03F1/36 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/7015

Abstract: Example embodiments of the present invention may provide exposure equipment having an auxiliary photo mask. The exposure equipment may include a light source and a first photo mask spaced apart from the light source by a desired distance. A second photo mask may include a third region and a fourth region. An exposure method using the exposure equipment also may be provided.

Abstract translation: 本发明的示例性实施例可以提供具有辅助光掩模的曝光设备。 曝光设备可以包括光源和与光源间隔开所需距离的第一光掩模。 第二光掩模可以包括第三区域和第四区域。 也可以提供使用曝光设备的曝光方法。

公开(公告)号：US20080062397A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11844094

申请日：2007-08-23

Applicant: Dong-seok Nam ,  Seong-woon Choi

Inventor： Dong-seok Nam ,  Seong-woon Choi

IPC: G03B27/70 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F7/70308 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/70266 ,  G03F7/706 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/064

Abstract: A photolithography apparatus includes an optical illumination system. The optical illumination system includes a light source, an illumination system, a photomask, and a projection system. The light source generates light. The illumination system transmits the light generated by the light source. The photomask receives the light transmitted by the illumination system and forms an optical pattern image. The projection system transmits the optical pattern image formed by the photomask to a substrate surface. Either one of the illumination system and the projection system includes at least one mirror for correcting aberrations.

Abstract translation: 光刻设备包括光学照明系统。 光学照明系统包括光源，照明系统，光掩模和投影系统。 光源产生光。 照明系统透射由光源产生的光。 光掩模接收由照明系统传输的光并形成光学图案图像。 投影系统将由光掩模形成的光学图案图像发送到基板表面。 照明系统和投影系统中的任一个包括用于校正像差的至少一个反射镜。

公开(公告)号：US20050158637A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11037805

申请日：2005-01-18

Applicant: Jin-Ah Kim ,  Dong-Seok Nam ,  Jung-Hwan Hah

Inventor： Jin-Ah Kim ,  Dong-Seok Nam ,  Jung-Hwan Hah

IPC: H01L21/027 ,  G03C5/00 ,  G03F7/00 ,  G03F9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0015

Abstract: A template, a method of forming the template and a method of forming a photoresist pattern using a lithographic template is disclosed. In the method, a photoresist film is formed on a substrate. A template for selectively transmitting light is pressed on the photoresist film. The template includes a transparent plate through which light passes, a blocking pattern formed thereon for selectively blocking the light passing through the transparent plate, and a plurality of concave and convex portions for imprinting the photoresist film. The concave and convex portions are formed in accordance with the blocking pattern. The photoresist film is partially exposed to light selectively passing through the template, and the photoresist film that has been exposed to the light is also partially developed to form the photoresist pattern.

Abstract translation: 公开了模板，形成模板的方法和使用光刻模板形成光致抗蚀剂图案的方法。 在该方法中，在基板上形成光致抗蚀剂膜。 用于选择性透射光的模板被压在光致抗蚀剂膜上。 模板包括光通过的透明板，形成在其上的阻挡图案，用于选择性地阻挡穿过透明板的光，以及多个用于压印光致抗蚀剂膜的凹凸部分。 根据阻挡图案形成凹凸部。 光致抗蚀剂膜部分地暴露于选择性地通过模板的光，并且已经暴露于光的光致抗蚀剂膜也被部分显影以形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US08524426B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13458722

申请日：2012-04-27

Applicant: Jin Choi ,  Dong-Seok Nam

Inventor： Jin Choi ,  Dong-Seok Nam

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7049 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7019 ,  G03F9/7088 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30438 ,  Y10S430/146

Abstract: A method for correcting a position error of a lithography apparatus comprises inputting position data of exposure pattern, irradiating laser light onto a position reference mask from a position measurement laser system, calculating actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask, and comparing the position data of the exposure pattern with the actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask. With this method, circuit patterns can be accurately formed at predetermined positions on a photomask, and the circuit patterns on the photomask can be accurately formed at predetermined positions on a wafer.

Abstract translation: 一种用于校正光刻设备的位置误差的方法，包括：输入曝光图案的位置数据，从位置测量激光系统将激光照射到位置参考掩模上，计算照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据，以及 将曝光图案的位置数据与照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据进行比较。 利用该方法，可以在光掩模上的预定位置精确地形成电路图案，并且可以在晶片上的预定位置精确地形成光掩模上的电路图案。

公开(公告)号：US08361679B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12900691

申请日：2010-10-08

Applicant: Se-Gun Moon ,  Dong-Seok Nam ,  Hoon Kim

Inventor： Se-Gun Moon ,  Dong-Seok Nam ,  Hoon Kim

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/82

Abstract: A phase shift mask having a first region and a second region in a transverse direction includes a transparent layer, a phase shift pattern disposed in the first region, a transmittance control layer pattern disposed in the second region, and a shading layer pattern disposed on the transmittance control layer pattern. The phase shift pattern has a first pattern including a transparent material and a second pattern including metal. The phase shift mask may prevent haze effects through a cleaning process using an alkaline cleaning solution.

Abstract translation: 具有第一区域和第二区域的相移掩模包括透明层，设置在第一区域中的相移图案，设置在第二区域中的透射率控制层图案，以及设置在第二区域上的遮光层图案 透光控制层图案。 相移图案具有包括透明材料的第一图案和包括金属的第二图案。 相移掩模可以通过使用碱性清洁溶液的清洁过程来防止雾度效应。

公开(公告)号：US20070054493A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11509729

申请日：2006-08-25

Applicant: Dong-seok Nam

Inventor： Dong-seok Nam

IPC: C23F1/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: G03F7/202 ,  G03F7/0043 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337

Abstract: In a method of forming patterns using a phase change material layer a phase change material layer may be formed, and selectively phase-changed along a pattern using an exposure beam or other heat source. A phase change material layer pattern may be formed by selectively removing phase-changed portions using a solution that dissolves only the phase-changed portion.

Abstract translation: 在使用相变材料层形成图案的方法中，可以形成相变材料层，并且使用曝光束或其它热源沿着图案选择性地相位变化。 可以通过使用仅溶解相变部的溶液选择性除去相变部分来形成相变材料层图案。

公开(公告)号：US06723607B2

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US10440104

申请日：2003-05-19

Applicant: Dong-Seok Nam ,  Ji-Soo Kim

Inventor： Dong-Seok Nam ,  Ji-Soo Kim

IPC: H01L218234

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/32139

Abstract: In the method of forming fine patterns of a semiconductor integrated circuit, a mask layer is formed over a semiconductor structure having a first region and a second region. A portion of the mask layer over the first region is removed to expose the semiconductor structure, and sacrificial layer patterns are formed over the exposed semiconductor structure. Then, spacers are formed on sidewalls of the sacrificial layer patterns and the mask layer, and portions of the spacers are removed to create fine mask patterns. The semiconductor structure is then patterned using the fine mask patterns to create fine patterns.

Abstract translation: 在形成半导体集成电路的精细图案的方法中，在具有第一区域和第二区域的半导体结构上形成掩模层。 去除第一区域上的掩模层的一部分以暴露半导体结构，并且在暴露的半导体结构上形成牺牲层图案。 然后，在牺牲层图案和掩模层的侧壁上形成间隔物，并且去除间隔物的部分以产生精细的掩模图案。 然后使用精细掩模图案对半导体结构进行构图以产生精细图案。

公开(公告)号：US08435705B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US13072993

申请日：2011-03-28

Applicant: Haek-seung Han ,  Dong-seok Nam ,  Sang-gyun Woo

Inventor： Haek-seung Han ,  Dong-seok Nam ,  Sang-gyun Woo

IPC: G03F1/70 ,  G03F1/72

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/36 ,  G03F1/74

Abstract: A method of correcting an optical parameter in a photomask is provided. The method includes providing a photomask, exposing the photomask, detecting an aerial image to estimate the photomask, and irradiating gas cluster ion beams to the photomask based on an estimation result to correct the optical parameter in the photomask in relation to the aerial image. The gas cluster ion beams may be irradiated to a front surface of the photomask on which a mask pattern is formed or a rear surface of the photomask on which the mask pattern is not formed.

Abstract translation: 提供了一种校正光掩模中的光学参数的方法。 该方法包括提供光掩模，曝光光掩模，检测空中图像以估计光掩模，以及基于估计结果将气体簇离子束照射到光掩模，以校正相对于空中图像的光掩模中的光学参数。 可以将气体簇离子束照射到其上形成有掩模图案的光掩模的前表面或其上未形成掩模图案的光掩模的后表面。

公开(公告)号：US08187778B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12656817

申请日：2010-02-17

Applicant: Jin Choi ,  Dong-Seok Nam

Inventor： Jin Choi ,  Dong-Seok Nam

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7049 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7019 ,  G03F9/7088 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30438 ,  Y10S430/146

Abstract: A method for correcting a position error of a lithography apparatus comprises inputting position data of exposure pattern, irradiating laser light onto a position reference mask from a position measurement laser system, calculating actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask, and comparing the position data of the exposure pattern with the actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask. With this method, circuit patterns can be accurately formed at predetermined positions on a photomask, and the circuit patterns on the photomask can be accurately formed at predetermined positions on a wafer.

Abstract translation: 一种用于校正光刻设备的位置误差的方法，包括：输入曝光图案的位置数据，从位置测量激光系统将激光照射到位置参考掩模上，计算照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据，以及 将曝光图案的位置数据与照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据进行比较。 利用该方法，可以在光掩模上的预定位置精确地形成电路图案，并且可以在晶片上的预定位置精确地形成光掩模上的电路图案。