公开(公告)号：US20160225590A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：US14985688

申请日：2015-12-31

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Joseph F. Aubuchon ,  Tza-Jing Gung ,  Travis Lee Koh ,  Nattaworn Nuntaworanuch ,  Sheng-Chin Kung ,  Steven Lane ,  Kartik Ramaswamy ,  Yang Yang

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32669 ,  H01J37/3211

摘要： Embodiments described herein generally relate to plasma process apparatus. In one embodiment, the plasma process apparatus includes a plasma source assembly. The plasma source assembly may include a first coil, a second coil surrounding the first coil, and a magnetic device disposed outside the first and inside the second coil. The magnet enables additional tuning which improves uniformity control of the processes on the substrate.

摘要翻译： 本文描述的实施例一般涉及等离子体处理装置。 在一个实施例中，等离子体处理装置包括等离子体源组件。 等离子体源组件可以包括第一线圈，围绕第一线圈的第二线圈和设置在第二线圈的第一和内侧的磁性装置。 该磁体可实现额外的调谐，从而提高基板上工艺的均匀性控制。

公开(公告)号：US09312106B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US14174511

申请日：2014-02-06

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Satoru Kobayashi ,  Kartik Ramaswamy ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： H05B41/16 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3299

摘要： Phase angle between opposing electrodes in a plasma reactor is controlled in accordance with a user selected phase angle. Direct digital synthesis of RF waveforms of different phases for the different electrodes is employed. The synthesis is synchronized with a reference clock. The address generator employed for direct digital synthesis is synchronized with an output clock signal that is generated in phase with the reference clock using a phase lock loop. The phase lock loop operates only during a limited initialization period.

摘要翻译： 根据用户选择的相位角来控制等离子体反应器中的相对电极之间的相位角。 采用不同电极的不同相的RF波形的直接数字合成。 该合成与参考时钟同步。 用于直接数字合成的地址发生器与使用锁相环与参考时钟同相产生的输出时钟信号同步。 锁相环只在有限的初始化时段内工作。

公开(公告)号：US09177824B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US14301847

申请日：2014-06-11

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Banqiu Wu ,  Ajay Kumar ,  Leonid Dorf ,  Shahid Rauf ,  Kartik Ramaswamy ,  Omkaram Nalamasu

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/004 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/0273

摘要： Methods for reducing the line width roughness on a photoresist pattern are provided herein. In some embodiments, a method of processing a patterned photoresist layer disposed atop a substrate includes flowing a process gas into a processing volume of a process chamber having the substrate disposed therein; forming a plasma within the process chamber from the process gas, wherein the plasma has a ion energy of about 1 eV to about 10 eV; and etching the patterned photoresist layer with species from the plasma to at least one of smooth a line width roughness of a sidewall of the patterned photoresist layer or remove debris.

摘要翻译： 本文提供了减少光致抗蚀剂图案上的线宽粗糙度的方法。 在一些实施例中，处理设置在基板顶上的图案化光致抗蚀剂层的方法包括将工艺气体流入其中布置有衬底的处理室的处理容积; 在所述处理室内从所述处理气体形成等离子体，其中所述等离子体具有约1eV至约10eV的离子能; 以及将来自等离子体的物质的图案化光致抗蚀剂层蚀刻成图案化光致抗蚀剂层的侧壁的线宽粗糙度的至少一个或去除碎屑。

公开(公告)号：US09082590B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US13966614

申请日：2013-08-14

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： James D. Carducci ,  Kenneth S. Collins ,  Richard Fovell ,  Jason A. Kenney ,  Kartik Ramaswamy ,  Shahid Rauf

IPC分类号： H01J7/24 ,  H05B31/26 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  C23C16/505

CPC分类号： H01J37/3211 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32183 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

摘要： A plasma reactor has an overhead multiple coil inductive plasma source with symmetric and radial RF feeds and cylindrical RF shielding around the symmetric and radial RF feeds. The radial RF feeds are symmetrically fed to the plasma source.

摘要翻译： 等离子体反应器具有架空多线圈感应等离子体源，其具有对称和径向RF馈送以及围绕对称和径向RF馈送的圆柱形RF屏蔽。 径向RF馈送对称地馈送到等离子体源。

公开(公告)号：US20150170879A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：US14108683

申请日：2013-12-17

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Andrew Nguyen ,  Kartik Ramaswamy ,  Srinivas Nemani ,  Bradley Howard ,  Yogananda Sarode Vishwanath

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477

摘要： An exemplary semiconductor processing system may include a high-frequency electrical source that has an outlet plug. The system may include a processing chamber having a top plate, and an inlet assembly coupled with the top plate. The inlet assembly may include an electrode defining an aperture at a first end and configured to receive the outlet plug. The aperture may be characterized at the first end by a first diameter, and a second end of the aperture opposite the first end may be characterized by a second diameter less than the first diameter. The inlet assembly may further include an inlet insulator coupled with the top plate and configured to electrically insulate the top plate from the electrode.

摘要翻译： 示例性的半导体处理系统可以包括具有出口插头的高频电源。 该系统可以包括具有顶板的处理室和与顶板联接的入口组件。 入口组件可以包括在第一端限定孔并且被配置为接收出口塞的电极。 孔可以在第一端被表征为第一直径，并且与第一端相对的孔的第二端的特征在于小于第一直径的第二直径。 入口组件还可包括与顶板耦合的入口绝缘体并且构造成使顶板与电极电绝缘。

公开(公告)号：US20140339980A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：US14307945

申请日：2014-06-18

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Ming-Feng Wu ,  Leonid Dorf ,  Shahid Rauf ,  Ying Zhang ,  Kenneth S. Collins ,  Hamid Tavassoli ,  Kartik Ramaswamy ,  Steven Lane

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32669 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458

摘要： In a plasma reactor for processing a workpiece, an electron beam is employed as the plasma source, and a remote radical source is incorporated with the process chamber.

摘要翻译： 在用于处理工件的等离子体反应器中，使用电子束作为等离子体源，并且将远程自由基源与处理室结合。

公开(公告)号：US20140069584A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US13958875

申请日：2013-08-05

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Yang Yang ,  Kartik Ramaswamy ,  Kenneth S. Collins ,  Steven Lane ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  Lawrence Wong ,  Nipun Misra

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6833

摘要： A plasma reactor includes an RF-driven ceiling electrode overlying a process zone and two (or more) counter electrodes underlying the process zone and facing different portions of the process zones, two (or more) variable reactances connected between respective ones of the counter electrodes and ground, and a controller governing the variable reactances to control distribution of a plasma parameter such as plasma ion density or ion energy.

摘要翻译： 等离子体反应器包括覆盖工艺区域的RF驱动的天花板电极和处理区域下面的两个（或更多个）对置电极，并且面对处理区域的不同部分，连接在相应电极之间的两个（或更多个）可变电抗器 并控制控制可变电抗以控制诸如等离子体离子密度或离子能量之类的等离子体参数分布的控制器。

公开(公告)号：US20140020835A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：US13666224

申请日：2012-11-01

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Andrew Nguyen ,  Kenneth S. Collins ,  Kartik Ramaswamy ,  Shahid Rauf ,  James D. Carducci ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  Ankur Agrawal ,  Jason A. Kenney ,  Leonid Dorf ,  Ajit Balakrishna ,  Richard Fovell

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23C14/28

CPC分类号： C23F1/08 ,  B01J12/002 ,  C23C14/28 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32834 ,  H05H1/46

摘要： A plasma reactor has an overhead multiple coil inductive plasma source with symmetric RF feeds and a symmetrical chamber exhaust with plural struts through the exhaust region providing access to a confined workplace support. A grid may be included for masking spatial effects of the struts from the processing region.

摘要翻译： 等离子体反应器具有具有对称RF进料的顶置多线圈感应等离子体源和具有穿过排气区域的多个支柱的对称室排气，从而提供对受限制的工作场所支撑件的通路。 可以包括用于屏蔽来自处理区域的支柱的空间效应的网格。

公开(公告)号：US20130277333A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13842287

申请日：2013-03-15

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Nipun Misra ,  Kartik Ramaswamy ,  Yang Yang ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  James D. Carducci ,  Lawrence Wong ,  Shane C. Nevil ,  Shahid Rauf ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23C16/505

CPC分类号： C23F1/08 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32183

摘要： In a plasma reactor having a driven electrode and a counter electrode, an impedance controller connected between the counter electrode and ground includes both series sand parallel variable impedance elements that facilitate two-dimensional movement of a ground path input impedance in a complex impedance space to control spatial distribution of a plasma process parameter.

摘要翻译： 在具有驱动电极和对电极的等离子体反应器中，连接在对电极和地之间的阻抗控制器包括两个串联的砂平行的可变阻抗元件，它们促进复阻抗空间中的接地路径输入阻抗的二维运动以控制 等离子体工艺参数的空间分布。

公开(公告)号：US11538663B2

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：US17183034

申请日：2021-02-23

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： John Poulose ,  Kartik Ramaswamy

IPC分类号： H03H7/38 ,  H01J37/32

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, a matching network configured for use with a plasma processing chamber comprises an input configured to receive one or more radio frequency (RF) signals, an output configured to deliver the one or more RF signals to a processing chamber, a first variable capacitor disposed between the input and the output, a second variable capacitor disposed in parallel to the first variable capacitor, a third variable capacitor connected in parallel with each of the first variable capacitor and the second variable capacitor and in series with a transistor switch, and a controller configured to tune the matching network between a first frequency for high-power operation and a second frequency for low-power operation.