公开(公告)号：US20170016118A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：US15278455

申请日：2016-09-28

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Nagarajan RAJAGOPALAN ,  Xinhai HAN ,  Michael Wenyoung TSIANG ,  Masaki OGATA ,  Zhijun JIANG ,  Juan Carlos ROCHA-ALVAREZ ,  Thomas NOWAK ,  Jianhua ZHOU ,  Ramprakash SANKARAKRISHNAN ,  Amit Kumar BANSAL ,  Jeongmin LEE ,  Todd EGAN ,  Edward BUDIARTO ,  Dmitriy PANASYUK ,  Terrance Y. LEE ,  Jian J. CHEN ,  Mohamad A. AYOUB ,  Heung Lak PARK ,  Patrick REILLY ,  Shahid SHAIKH ,  Bok Hoen KIM ,  Sergey STARIK ,  Ganesh BALASUBRAMANIAN

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/46 ,  H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  G01B11/06 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01N21/55 ,  G01N21/658 ,  G01N2201/1222 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/687

摘要： A method of processing a substrate according to a PECVD process is described. Temperature profile of the substrate is adjusted to change deposition rate profile across the substrate. Plasma density profile is adjusted to change deposition rate profile across the substrate. Chamber surfaces exposed to the plasma are heated to improve plasma density uniformity and reduce formation of low quality deposits on chamber surfaces. In situ metrology may be used to monitor progress of a deposition process and trigger control actions involving substrate temperature profile, plasma density profile, pressure, temperature, and flow of reactants.

摘要翻译： 描述了根据PECVD工艺处理衬底的方法。 调整衬底的温度分布以改变衬底上的沉积速率分布。 调整等离子体密度分布以改变跨衬底的沉积速率分布。 暴露于等离子体的室表面被加热以改善等离子体密度均匀性并减少在室表面上形成低质量的沉积物。 原位计量可用于监测沉积过程的进展并触发涉及衬底温度曲线，等离子体密度分布，压力，温度和反应物流动的控制动作。

公开(公告)号：US20170009344A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：US15275060

申请日：2016-09-23

申请人： Novellus Systems, Inc.

发明人： Henner W. Meinhold ,  Dan M. Doble ,  Stephen Yu-Hong Lau ,  Vince Wilson ,  Easwar Srinivasan

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45572 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

摘要： A temperature controlled showerhead for chemical vapor deposition (CVD) chambers enhances heat dissipation to enable accurate temperature control with an electric heater. Heat dissipates by conduction through a showerhead stem and fluid passageway and radiation from a back plate. A temperature control system includes one or more temperature controlled showerheads in a CVD chamber with fluid passageways serially connected to a heat exchanger.

摘要翻译： 用于化学气相沉积（CVD）室的温度控制喷头增强了散热，从而能够使用电加热器进行精确的温度控制。 散热通过喷头杆和流体通道的传导以及来自背板的辐射而消散。 温度控制系统包括在CVD室中具有串联连接到热交换器的流体通道的一个或多个温度控制的喷头。

公开(公告)号：US09499905B2

公开(公告)日：2016-11-22

申请号：US13547487

申请日：2012-07-12

申请人： Mehmet Tugrul Samir ,  Nyi Oo Myo

发明人： Mehmet Tugrul Samir ,  Nyi Oo Myo

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45504 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4558

摘要： Methods and apparatus for deposition of materials on substrates are provided herein. In some embodiments, an apparatus may include a process chamber having a substrate support; a heating system to provide heat energy to the substrate support; a gas inlet port disposed to a first side of the substrate support to provide at least one of a first process gas or a second process gas across a processing surface of the substrate; a first gas distribution conduit disposed above the substrate support and having one or more first outlets disposed along the length of the first gas distribution conduit to provide a third process gas to the processing surface of the substrate, wherein the one or more first outlets are substantially linearly arranged; and an exhaust manifold disposed to a second side of the substrate support opposite the gas inlet port to exhaust the process gases from the process chamber.

摘要翻译： 本文提供了在基板上沉积材料的方法和装置。 在一些实施例中，装置可以包括具有基板支撑件的处理室; 用于向衬底支撑件提供热能的加热系统; 气体入口，设置在所述衬底支撑件的第一侧上，以提供穿过所述衬底的处理表面的第一工艺气体或第二工艺气体中的至少一种; 第一气体分配导管，设置在所述衬底支撑件上方，并且具有沿着所述第一气体分配导管的长度设置的一个或多个第一出口，以向所述衬底的所述处理表面提供第三工艺气体，其中所述一个或多个第一出口基本上 线性排列; 以及设置在与气体入口相对的衬底支撑件的第二侧上以排出来自处理室的处理气体的排气歧管。

公开(公告)号：US20160145741A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：US14925299

申请日：2015-10-28

申请人： Centro de Investigación en Materiales Avanzados, S.C.

发明人： Mario MIKI YOSHIDA ,  Oscar VEGA BECERRA ,  Patricia AMEZAGA MADRID ,  Pedro PIZA RUIZ

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  B05B1/02 ,  B05D1/00 ,  B05B1/24

CPC分类号： C23C16/4486 ,  C23C16/4557

摘要： This invention relates to an aerosol injection nozzle designed with a specific geometry to place materials vertically “upwards”, i.e., in opposite direction to the gravity and its method of use. With the nozzle is possible to deposited coatings, multilayer, composite materials, nanopins, nanorods, nanoclusters, nanoplates, nanowires, nanoparticles, “quantum dots” or semiconductors confined, of different materials, not limited to the examples above: TiO2 oxides, ZnO, ZrO2, SnO2, CuO, NiO, CrOx, AlOx, PbZrTiO3, LiNbO3; noble metal Ag, Au, Pt; polymer PANI, PEDOT. The process can be repeated in successive stages with the same device and with the same method to get one or several coatings or materials in successive stages.

摘要翻译： 本发明涉及一种设计具有特定几何形状的气溶胶喷射喷嘴，以将材料垂直地“向上”，即与重力及其使用方法相反的方向。 使用喷嘴可以沉积不同材料的沉积涂层，多层，复合材料，纳米颗粒，纳米棒，纳米团簇，纳米板，纳米线，纳米颗粒，“量子点”或半导体，不限于上述实例：TiO 2氧化物，ZnO， ZrO 2，SnO 2，CuO，NiO，CrO x，AlO x，PbZrTiO 3，LiNbO 3; 贵金属Ag，Au，Pt; 聚合物PANI，PEDOT。 该过程可以在相同的装置和相同的方法的连续阶段中重复以获得连续阶段中的一种或多种涂层或材料。

公开(公告)号：US09230815B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US14062804

申请日：2013-10-24

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Xinyu Fu ,  Srinivas Gandikota ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Atif Noori ,  Mei Chang ,  David Thompson ,  Steve G. Ghanayem

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768 ,  C23C16/14

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/345 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76877

摘要： Provided are atomic layer deposition methods to deposit a tungsten film or tungsten-containing film using a tungsten-containing reactive gas comprising one or more of tungsten pentachloride, a compound with the empirical formula WCl5 or WCl6.

摘要翻译： 提供了使用包含一种或多种五氯化钨，具有经验式WCl 5或WCl 6的化合物的含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法。

公开(公告)号：US09157730B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US14056203

申请日：2013-10-17

申请人： Applied Materials, Inc.

发明人： Nagarajan Rajagopalan ,  Xinhai Han ,  Michael Tsiang ,  Masaki Ogata ,  Zhijun Jiang ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Thomas Nowak ,  Jianhua Zhou ,  Ramprakash Sankarakrishnan ,  Ganesh Balasubramanian ,  Amit Kumar Bansal ,  Jeongmin Lee ,  Todd Egan ,  Edward Budiarto ,  Dmitriy Panasyuk ,  Terrance Y. Lee ,  Jian J. Chen ,  Mohamad A. Ayoub ,  Heung Lak Park ,  Patrick Reilly ,  Shahid Shaikh ,  Bok Hoen Kim ,  Sergey Starik

IPC分类号： G01B11/06 ,  H01L21/00

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01N21/55 ,  G01N21/658 ,  G01N2201/1222 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/687

摘要： A method of processing a substrate according to a PECVD process is described. Temperature profile of the substrate is adjusted to change deposition rate profile across the substrate. Plasma density profile is adjusted to change deposition rate profile across the substrate. Chamber surfaces exposed to the plasma are heated to improve plasma density uniformity and reduce formation of low quality deposits on chamber surfaces. In situ metrology may be used to monitor progress of a deposition process and trigger control actions involving substrate temperature profile, plasma density profile, pressure, temperature, and flow of reactants.

摘要翻译： 描述了根据PECVD工艺处理衬底的方法。 调整衬底的温度分布以改变衬底上的沉积速率分布。 调整等离子体密度分布以改变跨衬底的沉积速率分布。 暴露于等离子体的室表面被加热以改善等离子体密度均匀性并减少在室表面上形成低质量的沉积物。 原位计量可用于监测沉积过程的进展并触发涉及衬底温度曲线，等离子体密度分布，压力，温度和反应物流动的控制动作。

公开(公告)号：US20150275371A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：US14375821

申请日：2012-07-11

申请人： Masashi Mizuta

发明人： Masashi Mizuta

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262

摘要： A vapor deposition apparatus (1) includes a deposition chamber (4) for carrying out a deposition of a film on a substrate, source gas tubes (21) and (31) for supplying a source gas, a transfer unit (5) for transferring the substrate in the interior of the deposition chamber (4) so that the substrate is alternately situated in a state where the substrate is located in a deposition region that faces the gas discharge port for supplying the source gas and in a state where the substrate is located in other region except the deposition region, while the source gas is supplied from a gas discharge port of any one of the source gas tubes (21) and (31), and a supply tube (7) for supplying a gas containing group-V element to the substrate S located in the other region.

摘要翻译： 气相沉积装置（1）包括用于在基板上进行膜的沉积的沉积室（4），用于供给源气体的源气体管（21）和（31），用于转移的转移单元 在沉积室（4）的内部的基板，使得基板交替地位于基板位于面向用于供给源气体的气体排出口的沉积区域中的状态下，并且在基板为 位于除了沉积区域之外的其它区域，而源气体是从源气体管道（21）和（31）中的任何一个的气体排出口供给的，以及用于供给含有气体的气体的供给管（7） V元件到位于另一区域中的衬底S.

公开(公告)号：US20150221503A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：US14566989

申请日：2014-12-11

申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc.

发明人： Kazuyuki TOYODA ,  Tadashi TAKASAKI ,  Hiroshi ASHIHARA ,  Atsushi SANO ,  Naonori AKAE ,  Hidehiro YANAI

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02263 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4557 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device is disclosed. The method includes (a) loading a substrate into a process chamber; (b) processing the substrate by supplying a process gas into the process chamber via a shower head disposed above the process chamber and including a buffer chamber; (c) unloading the substrate from the process chamber; and (d) cleaning the buffer chamber and the process chamber after performing the step (c), wherein the step (d) comprises: (d-1) cleaning the buffer chamber by a plasma generation from a cleaning gas in the buffer chamber by a plasma generation unit including a plasma generation region switching unit; and (d-2) cleaning the process chamber by switching the plasma generation from the cleaning gas in the buffer chamber to a plasma generation from the cleaning gas in the process chamber by the plasma generation region switching unit.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 该方法包括（a）将衬底装载到处理室中; （b）通过经由设置在所述处理室上方并包括缓冲室的淋浴喷头将处理气体供给所述处理室来处理所述基板; （c）从处理室卸载基板; （d）在执行步骤（c）之后清洗缓冲室和处理室，其中步骤（d）包括：（d-1）通过缓冲室内的清洁气体的等离子体产生清洗缓冲室 等离子体产生单元，其包括等离子体产生区域切换单元; 和（d-2）通过等离子体产生区域切换单元将来自缓冲室中的清洁气体的等离子体产生切换到来自处理室中的清洁气体的等离子体产生来清洁处理室。

公开(公告)号：US20150184301A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：US14581492

申请日：2014-12-23

申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc.

发明人： Shuhei SAIDO

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/46

摘要： Provided is a substrate processing apparatus capable of suppressing the difference between temperatures of a susceptor and the shower head. The substrate processing apparatus includes a process chamber configured to process a substrate; a substrate placement device disposed in the process chamber, the substrate placement device comprising a substrate placement surface where the substrate is placed and a first heater; a shower head disposed opposite to the substrate placement surface, the shower head comprising a second heater and an opposing surface facing the substrate placement surface; a processing gas supply system configured to supply a processing gas for processing the substrate placed on the substrate placement surface into the process chamber via the shower head; an exhaust system configured to evacuate an inner atmosphere of the process chamber; and a controller configured to control outputs of the first heater and the second heater.

摘要翻译： 提供一种能够抑制基座和淋浴头的温度之间的差异的基板处理装置。 基板处理装置包括：处理室，被配置为处理基板; 设置在所述处理室中的衬底放置装置，所述衬底放置装置包括放置衬底的衬底放置表面和第一加热器; 淋浴头，其布置成与所述基板放置表面相对，所述淋浴喷头包括第二加热器和面向所述基板放置表面的相对表面; 处理气体供给系统，其经由所述喷淋头供给用于将配置在所述基板配置面上的所述基板进行处理的处理气体; 排气系统，构造成排出处理室的内部气氛; 以及控制器，被配置为控制第一加热器和第二加热器的输出。

公开(公告)号：US09068265B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US13363342

申请日：2012-01-31

申请人： Dmitry Lubomirsky ,  Kartik Ramaswamy ,  Kallol Bera ,  Jennifer Sun

发明人： Dmitry Lubomirsky ,  Kartik Ramaswamy ,  Kallol Bera ,  Jennifer Sun

IPC分类号： B05B5/00 ,  B05B1/14 ,  C23C16/509 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32559

摘要： Embodiments of the present invention provide a gas distribution plate assembly having protective elements for plasma processing. The gas distribution plate assembly includes a base plate having a front side and a backside, and a plurality of protective elements in direct contact with the base plate. The protective elements cover the front side of the base plate to protect the base plate from a plasma processing environment during use.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种具有用于等离子体处理的保护元件的气体分配板组件。 气体分配板组件包括具有前侧和后侧的基板，以及与基板直接接触的多个保护元件。 保护元件覆盖基板的前侧，以在使用过程中保护基板免受等离子体处理环境的影响。