公开(公告)号：US08546164B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13293158

申请日：2011-11-10

申请人： Hong-Han Jeong ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

发明人： Hong-Han Jeong ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： A thin film transistor (TFT), including a substrate, a gate electrode on the substrate, an oxide semiconductor layer including a channel region, a source region, and a drain region, a gate insulating layer between the gate electrode and the oxide semiconductor layer, and source and drain electrodes in contact with the source and drain regions of the oxide semiconductor layer, respectively, wherein the oxide semiconductor layer has a GaInZnO (GIZO) bilayer structure including a lower layer and an upper layer, and the upper layer has a different indium (In) concentration than the lower layer.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管（TFT），包括基板，基板上的栅电极，包括沟道区，源极区和漏极区的氧化物半导体层，栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层 以及与氧化物半导体层的源极和漏极区域接触的源极和漏极，其中氧化物半导体层具有包括下层和上层的GaInZnO（GIZO）双层结构，并且上层具有 不同的铟（In）浓度比下层。

公开(公告)号：US20120220077A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13462535

申请日：2012-05-02

申请人： Jae-Heung HA ,  Young-Woo SONG ,  Jong-Hyuk LEE ,  Jong-Han JEONG ,  Min-Kyu KIM ,  Yeon-Gon MO ,  Jae-Kyeong JEONG ,  Hyun-Joong CHUNG ,  Kwang-Suk KIM ,  Hui-Won YANG ,  Chaun-Gi CHOI

发明人： Jae-Heung HA ,  Young-Woo SONG ,  Jong-Hyuk LEE ,  Jong-Han JEONG ,  Min-Kyu KIM ,  Yeon-Gon MO ,  Jae-Kyeong JEONG ,  Hyun-Joong CHUNG ,  Kwang-Suk KIM ,  Hui-Won YANG ,  Chaun-Gi CHOI

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor, and a flat panel display device including the thin film transistor. The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; a gate insulating film formed on the gate electrode; an activation layer formed on the gate insulating film; a passivation layer including a compound semiconductor oxide, formed on the activation layer; and source and drain electrodes that contact the activation layer.

公开(公告)号：US20120153278A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13408825

申请日：2012-02-29

申请人： Jae-Kyeong JEONG ,  Jong-Han JEONG ,  Min-Kyu KIM ,  Tae-Kyung AHN ,  Yeon-Gon MO ,  Hui-Won YANG

发明人： Jae-Kyeong JEONG ,  Jong-Han JEONG ,  Min-Kyu KIM ,  Tae-Kyung AHN ,  Yeon-Gon MO ,  Hui-Won YANG

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor (TFT) using an oxide semiconductor as an active layer, a method of manufacturing the TFT, and a flat panel display device having the TFT include a gate electrode formed on a substrate; an active layer made of an oxide semiconductor and insulated from the gate electrode by a gate insulating layer; source and drain electrodes coupled to the active layer; and an interfacial stability layer formed on one or both surfaces of the active layer. In the TFT, the interfacial stability layer is formed of an oxide having a band gap of 3.0 to 8.0 eV. Since the interfacial stability layer has the same characteristic as a gate insulating layer and a passivation layer, chemically high interface stability is maintained. Since the interfacial stability layer has a band gap equal to or greater than that of the active layer, charge trapping is physically prevented.

摘要翻译： 使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管（TFT），制造TFT的方法以及具有该TFT的平板显示装置包括形成在基板上的栅电极; 由氧化物半导体制成的有源层，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘; 源极和漏极耦合到有源层; 以及形成在活性层的一个或两个表面上的界面稳定层。 在TFT中，界面稳定层由带隙为3.0〜8.0eV的氧化物形成。 由于界面稳定层具有与栅极绝缘层和钝化层相同的特性，因此保持化学上高的界面稳定性。 由于界面稳定层具有等于或大于有源层的带隙，所以物理地防止了电荷俘获。

公开(公告)号：US08178884B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12393422

申请日：2009-02-26

申请人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

发明人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/15 ,  H01L31/036 ,  H01L29/10 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  H01L29/76 ,  H01L31/112 ,  H01L29/12 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor, and a flat panel display device including the thin film transistor. The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; a gate insulating film formed on the gate electrode; an activation layer formed on the gate insulating film; a passivation layer including a compound semiconductor oxide, formed on the activation layer; and source and drain electrodes that contact the activation layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。 薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘膜; 形成在所述栅极绝缘膜上的活化层; 在活化层上形成包含化合物半导体氧化物的钝化层; 以及与激活层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：US08053773B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12155106

申请日：2008-05-29

申请人： Hyun-soo Shin ,  Yeon-gon Mo ,  Jae-kyeong Jeong ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

发明人： Hyun-soo Shin ,  Yeon-gon Mo ,  Jae-kyeong Jeong ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor includes a gate electrode, a first insulating layer on the gate electrode, a semiconductor layer on the gate electrode and separated from the gate electrode by the first insulating layer, the semiconductor layer including a channel region corresponding to the gate electrode, a source region, and a drain region, a hydrogen diffusion barrier layer on the semiconductor layer, the hydrogen diffusion barrier layer covering the channel region and exposing the source and drain regions, and a second insulation layer on the source and drain regions and on the hydrogen diffusion barrier layer, such that the hydrogen diffusion barrier layer is between the second insulation layer and the channel region.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括栅电极，栅电极上的第一绝缘层，栅电极上的半导体层，并通过第一绝缘层与栅电极分离，半导体层包括与栅电极相对应的沟道区， 源极区域和漏极区域，在半导体层上的氢扩散阻挡层，覆盖沟道区域的氢扩散阻挡层和暴露源极和漏极区域，以及在源极和漏极区域上以及在源极区域和漏极区域上的第二绝缘层 氢扩散阻挡层，使得氢扩散阻挡层位于第二绝缘层和沟道区之间。

公开(公告)号：US08030844B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US11407018

申请日：2006-04-19

申请人： Hyun-Soo Shin ,  Jae-Bon Koo ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong

发明人： Hyun-Soo Shin ,  Jae-Bon Koo ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01J9/26 ,  H01J9/32

CPC分类号： H01L51/0097 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/566 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a flat panel display which has improved flexibility by using a metal substrate or a conductive substrate, wherein the substrate is protected from external exposure. Also provided is a method of manufacturing the flat panel display. The flat panel display includes a substrate, a first insulator with which one surface of the substrate is covered, a display unit disposed on the other surface of the substrate, and a second insulator with which edges of the substrate are covered to prevent exposure.

摘要翻译： 提供一种平板显示器，其通过使用金属基板或导电基板具有改进的柔性，其中基板被保护免受外部曝光。 还提供了一种制造平板显示器的方法。 平板显示器包括基板，覆盖基板的一个表面的第一绝缘体，设置在基板的另一个表面上的显示单元和覆盖基板的边缘以防止曝光的第二绝缘体。

公开(公告)号：US08016628B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12219380

申请日：2008-07-21

申请人： Jae-Seob Lee ,  Kyu-Sung Lee ,  Hyo-Jin Kim ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Jin-Ho Kwack

发明人： Jae-Seob Lee ,  Kyu-Sung Lee ,  Hyo-Jin Kim ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Jin-Ho Kwack

IPC分类号： H01J9/00

CPC分类号： B32B38/162 ,  B32B2309/65 ,  B32B2311/00 ,  B32B2457/00 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0079 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

摘要： A method of joining a flexible layer and a support includes forming a first metal layer on one surface of the flexible layer, forming a second metal layer on one surface of the support, cleaning the first metal layer and the second metal layer, and joining the first metal layer to the second metal layer, such that the first metal layer is between the flexible layer and the second metal layer.

摘要翻译： 一种接合柔性层和支撑体的方法包括在柔性层的一个表面上形成第一金属层，在支撑体的一个表面上形成第二金属层，清洗第一金属层和第二金属层， 第一金属层到第二金属层，使得第一金属层在柔性层和第二金属层之间。

公开(公告)号：US07915101B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12118345

申请日：2008-05-09

申请人： Jae-kyeong Jeong ,  Yeon-gon Mo ,  Jin-seong Park ,  Hyun-soo Shin ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

发明人： Jae-kyeong Jeong ,  Yeon-gon Mo ,  Jin-seong Park ,  Hyun-soo Shin ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66969

摘要： Thin film transistors and organic light emitting displays using the same are provided. The thin film transistor may include a substrate, a semiconductor layer, a gate electrode, and source/drain electrodes on the substrate. The semiconductor layer is composed of a P-type semiconductor layer obtained by diffusing phosphorus into a zinc oxide semiconductor. The phosphorus is doped in the semiconductor layer to a concentration ranging from about 1×1014 to about 1×1018 cm−3.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管和使用其的有机发光显示器。 薄膜晶体管可以包括衬底，半导体层，栅电极和衬底上的源/漏电极。 半导体层由将磷扩散到氧化锌半导体中而获得的P型半导体层构成。 磷在半导体层中掺杂至约1×1014至约1×1018cm-3的浓度。

公开(公告)号：US07903187B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11635501

申请日：2006-12-08

申请人： Hyun Soo Shin ,  Yeon Gon Mo ,  Jae Kyeong Jeong ,  Se Yeoul Kwon

发明人： Hyun Soo Shin ,  Yeon Gon Mo ,  Jae Kyeong Jeong ,  Se Yeoul Kwon

IPC分类号： G02F1/1333 ,  H01L27/13

CPC分类号： H01L27/0248 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276

摘要： A static electricity preventing assembly for an electronic device, may include a substrate, a buffer layer on the substrate, the buffer layer including a plurality of contact holes exposing respective regions of the substrate, a shorting bar on the buffer layer, pad electrodes on the buffer layer, metal wiring lines on the buffer layer, wherein a first portion of each of the metal wiring lines may be electrically connected to the substrate through the contact holes, a second portion of each of the metal wiring lines may be connected to a respective one of the pad electrodes, and a third portion of each of the metal wiring lines may be connected to the shorting bar, wherein the first portion may be between the second portion and the third portion.

摘要翻译： 一种用于电子设备的静电防止组件可以包括衬底，衬底上的缓冲层，缓冲层包括暴露衬底各自区域的多个接触孔，缓冲层上的短路棒， 缓冲层，缓冲层上的金属布线，其中每个金属布线的第一部分可以通过接触孔电连接到基板，每个金属布线的第二部分可以连接到相应的 焊盘电极中的一个，并且每个金属布线的第三部分可以连接到短路棒，其中第一部分可以在第二部分和第三部分之间。

公开(公告)号：US07803699B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US11507606

申请日：2006-08-22

申请人： Jae Kyeong Jeong ,  Hyun Soo Shin ,  Yeon Gon Mo

发明人： Jae Kyeong Jeong ,  Hyun Soo Shin ,  Yeon Gon Mo

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

摘要： A polysilicon thin film transistor (TFT) may include a substrate, at least one insulating layer, a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a heat retaining layer formed to contact the semiconductor layer. The heat retaining layer may reduce and/or prevent a reduction in a melt duration time of amorphous silicon during a crystallization process for forming a polysilicon layer of the TFT.

摘要翻译： 多晶硅薄膜晶体管（TFT）可以包括基板，至少一个绝缘层，半导体层，栅电极，源电极，漏电极和形成为接触半导体层的保温层。 在用于形成TFT的多晶硅层的结晶工艺期间，保温层可以减少和/或防止非晶硅的熔融持续时间的减少。