公开(公告)号：CN106298770B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610410889.X

申请日：2016-06-13

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7436 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种EOS保护，尤其涉及一种用于集成电路的EOS保护；在一些实施例中，半导体器件中的保险丝结构使用一个金属保险丝元件，连接到堆栈通孔熔断器上，堆栈通孔熔断器连接到薄膜电阻元件。在用于EOS保护的集成电路中可以引入保险丝结构。在其他实施例中，集成EOS/ESD保护电路包括一个限流电阻器，与ESD保护电路集成在一起。在一些实施例中，限流电阻器形成在N‑阱中，构成ESD保护电路的集电极。

公开(公告)号：CN104508975B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201380037566.5

申请日：2013-06-13

申请人： 天工方案公司

发明人： D.S.里普利 ,  P.J.莱托拉 ,  P.J.赞帕迪 ,  H.邵 ,  T.M.科 ,  M.T.奥扎拉斯

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/19

CPC分类号： H03F3/195 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/665 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/302 ,  H03F3/191 ,  H03F3/21 ,  H03F3/211 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/555 ,  H04B1/3827 ,  H04B1/40 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开涉及用于偏置功率放大器的系统。所述系统可以包括第一裸芯，所述第一裸芯包括功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性质的无源组件。此外所述系统可以包括第二裸芯，所述第二裸芯包含偏置信号产生电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生偏置信号。

公开(公告)号：CN101536189B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200780040577.3

申请日：2007-11-16

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  马督儿·博德

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66303 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/866 ,  H01L29/945 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一垂直TVS电路包括一半导体衬底以支撑垂直TVS器件，在半导体衬底上有一延伸到衬底底部的重掺杂层。深沟槽提供了多通道垂直TVS间的隔离。沟槽栅极也用于增加整合有EMI滤波器的垂直TVS的电容。

公开(公告)号：CN106298770A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610410889.X

申请日：2016-06-13

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7436 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296

摘要： 本发明涉及一种EOS保护，尤其涉及一种用于集成电路的EOS保护；在一些实施例中，半导体器件中的保险丝结构使用一个金属保险丝元件，连接到堆栈通孔熔断器上，堆栈通孔熔断器连接到薄膜电阻元件。在用于EOS保护的集成电路中可以引入保险丝结构。在其他实施例中，集成EOS/ESD保护电路包括一个限流电阻器，与ESD保护电路集成在一起。在一些实施例中，限流电阻器形成在N-阱中，构成ESD保护电路的集电极。

公开(公告)号：CN1252168A

公开(公告)日：2000-05-03

申请号：CN98803910.9

申请日：1998-03-19

申请人： 艾利森电话股份有限公司

发明人： A·K·S·瑟德贝里 ,  N·O·厄格伦 ,  E·H·舍丁

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7304 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 为了避免双极型晶体管中的热击穿,发射极配备了镇流电阻。建议使用长条形镇流电阻,连接其长度的一部分以便获得适当的阻抗和设计灵活性。一方面,建议将发射极(3)分隔成多个发射极部分,并为每个部分提供一个独立的发射极镇流电阻。在优选实施方案中,集电极和基极也是分隔开的,晶体管分隔成多个单位单元,每个单位单元包含发射极、镇流电阻、基极和集电极,它们通过各自的公用引线(10,11,12)连接起来。这种结构可以优选地在SOI技术中实现,电绝缘可以保证数字、模拟和功率器件毫无问题地混合在同一芯片上。

公开(公告)号：CN1239590A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN97180238.6

申请日：1997-09-15

申请人： 艾利森公司

发明人： L·莱顿 ,  T·约翰森 ,  B·斯科格隆

IPC分类号： H01L29/73

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/7304

摘要： 具有改进的热平衡特性的RF功率晶体管(10)包括形成在硅管芯第一发射极电极(12)和基极电极(18)，第二发射极电极(22)形成在基极电极(18)之上并与第一发射极电极电连接。在硅管芯的每一侧以基本均匀间隔的方式形成镇流电阻(28，30)，它们与第一发射极电极(12)的至少一部分发射指(16)串联，还与第二发射极电极(22)的至少一部分发射指(26)串联。

公开(公告)号：CN1158008A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96122899.7

申请日：1996-11-07

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 采女丰 ,  门岩薰 ,  早藤纪生 ,  紫村辉之

IPC分类号： H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7304 ,  H01L29/7371

摘要： 提供一种晶体管单元可进行均匀的动作的异质结双极型晶体管。上述晶体管的特征是：在把在发射极电极34与集电极电极33之间具备有发射极层7，基极层5和集电极层4的多个晶体管单元15并联形成的异质结双极型晶体管中，在上述发射极层7与上述发射极电极34之间具有由AlxGa1-xAs(0.5≤x≤1)构成的镇流电阻层9。

公开(公告)号：CN1132939A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95117767.2

申请日：1995-10-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 三井茂 ,  园田琢二 ,  紫村辉之 ,  高宫三郎

IPC分类号： H01L29/737

CPC分类号： H01L29/0817 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明为一种双极晶体管电路元件，包括：半导体基片；配制在基片上的基极层、发射极层和集电极层；由集电极、基极和发射极层构成的双极晶体管；由该基极层部分构成的基极平衡电阻；与该基极平衡电阻并联连接的基极并联电容。基极并联电容包括基极输入接区部分；设置该基极电极接区部分上的电介质膜和一个设置在电介层上的第二电极。基极平衡电阻相对于发射极平衡电阻具有较高的电阻值，所以容易大量制造，并具有好的均匀性。

公开(公告)号：CN109039289A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810486299.4

申请日：2018-05-18

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 松井俊树 ,  佐佐木健次 ,  播磨史生

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/45

CPC分类号： H03F1/302 ,  H01L27/0772 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7371 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/30 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/211 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/21 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F3/4508 ,  H03F2203/45031

摘要： 本发明提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。功率放大电路具备：第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；偏置电路，对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；多个第一电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间；以及多个第二电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。

公开(公告)号：CN101752370B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910252948.5

申请日：2009-12-04

申请人： 索尼株式会社

发明人： 井本努 ,  小林敏夫

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及晶体管型保护器件和半导体集成电路。一种晶体管型保护器件包括：半导体衬底；第一导电类型的阱，形成于半导体衬底中；第二导电类型的源极区域，形成于阱中；栅电极，在源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于阱中；第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与栅电极正下方的阱部分分开预定距离；电阻连接部分，以预定电阻连接在多个漏极区域之间。