公开(公告)号：CN1239590A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN97180238.6

申请日：1997-09-15

Applicant: 艾利森公司

Inventor： L·莱顿 ,  T·约翰森 ,  B·斯科格隆

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L29/7304

Abstract: 具有改进的热平衡特性的RF功率晶体管(10)包括形成在硅管芯第一发射极电极(12)和基极电极(18)，第二发射极电极(22)形成在基极电极(18)之上并与第一发射极电极电连接。在硅管芯的每一侧以基本均匀间隔的方式形成镇流电阻(28，30)，它们与第一发射极电极(12)的至少一部分发射指(16)串联，还与第二发射极电极(22)的至少一部分发射指(26)串联。

公开(公告)号：CN1230290A

公开(公告)日：1999-09-29

申请号：CN97197814.X

申请日：1997-07-02

Applicant: 艾利森公司

Inventor： T·W·莫勒 ,  L·莱顿

IPC: H01L23/66

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 射频功率晶体管封装(10)做成安装到多层PC极中散热器上的形状,并包括从位于陶瓷基片(18)上的晶体管芯片(16)到安装法兰(30)的、不穿过陶瓷基片的直接顶面电气接地通路,例如将陶瓷基片的外表面电镀金属,以便将顶部安装金属引线电连接到法兰。还通过穿过陶瓷基片的电镀的通路孔形成从晶体管芯片到安装法兰的直接接地通路。还构成顶面接地通路,以便当安装法兰固定到散热器上时顶面接地通路与多层PC板的中间接地基准层连接,使得晶体管在中间层和散热器都看到统一的地电位。这样,功率晶体管封装以同安装在PC板上的其它元件相同的基准电位接地,同时仍然具有由接地通路孔提供的高性能特征。